山東天岳先進科技(ji)股份有限公司成立(li)于2010年11月,是一(yi)家專注(zhu)于寬禁帶(第三代(dai))半導(dao)體(ti)碳化硅襯底材(cai)料研發、生產和銷售的科技(ji)型企業(ye)。
公司建有“碳化(hua)硅半導體(ti)材料研發(fa)技術”國(guo)家地方(fang)聯合(he)工程研究中心、國(guo)家博士后(hou)科研工作站(zhan)、山東省碳化(hua)硅材料重點實驗(yan)室。公司擁有80余人的研發(fa)團隊(dui),截至2021年6月末,擁有授權(quan)專利332項。
歷年來,山東天岳先后(hou)承擔了國(guo)家(jia)(jia)(jia)“核(he)高基(ji)”重大(da)專(zhuan)(zhuan)項(xiang)(xiang)(01 專(zhuan)(zhuan)項(xiang)(xiang))、國(guo)家(jia)(jia)(jia)新一(yi)代寬(kuan)帶無線(xian)移動通信網重大(da)專(zhuan)(zhuan)項(xiang)(xiang)(03 專(zhuan)(zhuan)項(xiang)(xiang))、國(guo)家(jia)(jia)(jia)新材料專(zhuan)(zhuan)項(xiang)(xiang)、國(guo)家(jia)(jia)(jia)高技術研究發展(zhan)計(ji)劃(863 計(ji)劃)項(xiang)(xiang)目、國(guo)家(jia)(jia)(jia)重點研發計(ji)劃項(xiang)(xiang)目、國(guo)家(jia)(jia)(jia)重大(da)科技成果轉化專(zhuan)(zhuan)項(xiang)(xiang)等多項(xiang)(xiang)國(guo)家(jia)(jia)(jia)和省部級項(xiang)(xiang)目,走在國(guo)內碳化硅襯(chen)底(di)領域(yu)前列。
公司主要產品包括半絕(jue)緣型和(he)導(dao)電(dian)型碳化(hua)硅(gui)襯(chen)底(di),可應用于微(wei)波電(dian)子(zi)、電(dian)力電(dian)子(zi)等(deng)領域。經(jing)過十余年的(de)(de)技(ji)術發(fa)展,公司已掌握(wo)涵蓋了設(she)備(bei)設(she)計、熱場設(she)計、粉(fen)料合成(cheng)、晶(jing)體(ti)生長、襯(chen)底(di)加工等(deng)環節的(de)(de)核(he)心技(ji)術,自主研發(fa)了不(bu)同尺寸半絕(jue)緣型及(ji)導(dao)電(dian)型碳化(hua)硅(gui)襯(chen)底(di)制備(bei)技(ji)術。
碳化硅(gui)襯(chen)底(di)處于寬禁(jin)帶半導體產業鏈的(de)前端,是前沿、基礎的(de)核心(xin)關(guan)鍵材料(liao)。公司作(zuo)為我(wo)國碳化硅(gui)襯(chen)底(di)領(ling)域的(de)領(ling)軍企業,實現了核心(xin)戰略材料(liao)的(de)自主可(ke)控,有力保(bao)障國內產品(pin)的(de)供應,確保(bao)我(wo)國寬禁(jin)帶半導體產業鏈的(de)平穩發展。
標準號 | 標準名稱 | 發布日期 | 實施日期 | 標準詳情 |
GB/T 41153-2021 | 碳化硅單晶中硼、鋁、氮雜質含量的測定 二次離子質譜法 | 2022-12-31 | 2023-07-01 |