江蘇華興激光科技有限公(gong)司成立于(yu)2016年,是一家專注于(yu)化合物半導體光電子外延片(pian)研(yan)發和制造(zao)的高新(xin)技術(shu)企業(ye),主要基于(yu)先進半導體技術(shu)制備以磷(lin)化銦(yin)(InP)、砷化鎵(GaAs)為(wei)基底的不(bu)同(tong)結構和功(gong)能(neng)的光電子外延片(pian),廣泛應用于(yu)通信、醫(yi)美等領域。
公(gong)(gong)司(si)位于江(jiang)蘇省徐州市邳州市經濟開發區半導體材(cai)料與(yu)設備產業園,占(zhan)地(di)30畝(mu),建筑面(mian)積(ji)2.3萬平方(fang)米,其(qi)中百級、千級、萬級潔凈(jing)車間5000余平方(fang)米。公(gong)(gong)司(si)擁有多條砷化鎵(jia)、磷化銦外(wai)延片(pian)(pian)生(sheng)產線,包括材(cai)料外(wai)延生(sheng)長、微納結構加工和分(fen)析檢(jian)測等環節。公(gong)(gong)司(si)技(ji)術(shu)團隊通過長期自主研發和迭代,掌(zhang)握(wo)化合物半導體光電(dian)子芯片(pian)(pian)材(cai)料核心技(ji)術(shu),已累計獲(huo)得授(shou)權專(zhuan)利40余項。
專利號/專利申請號 | 專利名稱 | 專利詳情 |
ZL201210150154.X | 制作砷化銦/磷化銦量子點激光器有源區的方法 | 第二十二屆中國專利優秀獎(2020年) |