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主要經歷

1935年元旦，王陽(yang)(yang)元出(chu)生于浙江寧波柴橋鎮一個普通(tong)勞動者的家庭，由于是在陽(yang)(yang)歷(li)年元旦出(chu)生，祖父(fu)為他起名陽(yang)(yang)元。

1941年，王陽元在柴橋小(xiao)學學習，從上小(xiao)學起，就刻(ke)苦用功，各科學習成績年年都(dou)名列(lie)前茅。

1947年(nian)，王陽(yang)元(yuan)小學(xue)(xue)畢(bi)業，并且(qie)以寧(ning)波(bo)(bo)市(shi)鎮海區統考第一(yi)(yi)名(ming)(ming)的(de)(de)(de)成(cheng)績考上(shang)了省立寧(ning)波(bo)(bo)中學(xue)(xue)，在中學(xue)(xue)時(shi)期，他不僅養成(cheng)了健(jian)康的(de)(de)(de)生活和學(xue)(xue)習習慣，還(huan)樹(shu)立了要成(cheng)為(wei)一(yi)(yi)個對祖國、對人民有貢獻(xian)的(de)(de)(de)科學(xue)(xue)家的(de)(de)(de)堅定(ding)理(li)想。在寧(ning)波(bo)(bo)中學(xue)(xue)的(de)(de)(de)時(shi)候，王陽(yang)元(yuan)以其《未(wei)來的(de)(de)(de)科學(xue)(xue)家——宇耕在成(cheng)長》一(yi)(yi)文(wen)聞名(ming)(ming)于全班。“宇耕”是王陽(yang)元(yuan)為(wei)自己起的(de)(de)(de)筆名(ming)(ming)，意(yi)為(wei)“宇宙(zhou)的(de)(de)(de)耕耘者”。

1953年，考入北京大學(xue)。

1956年(nian)，周恩(en)來總理(li)親(qin)自主持制定了(le)12年(nian)科(ke)學(xue)(xue)規劃后，半導體作為五(wu)大(da)門類(lei)學(xue)(xue)科(ke)之一得以重點發展，北大(da)再一次(ci)云集了(le)一大(da)批(pi)優秀的(de)(de)半導體專家。王陽元作為第一批(pi)學(xue)(xue)生被重點培(pei)養。其(qi)間，他學(xue)(xue)習了(le)有關半導體理(li)論(lun)與技(ji)術的(de)(de)多(duo)方(fang)面知(zhi)識(shi)，為長(chang)期在微電子領域開展工(gong)作奠(dian)定了(le)扎實的(de)(de)基礎。

1958年，畢業于(yu)北京大學物理系，之后(hou)留校任教，在北京大學工作。

1982年，美國加州(zhou)大學(xue)伯(bo)克利分校高(gao)級訪問學(xue)者（至1983年）。

1995年，當選為中國科學(xue)院(yuan)(yuan)信(xin)息技術科學(xue)部院(yuan)(yuan)士。王陽(yang)元現為北京大(da)學(xue)信(xin)息科學(xue)技術學(xue)院(yuan)(yuan)教授（1985年）、微電子(zi)學(xue)研究院(yuan)(yuan)首(shou)席(xi)科學(xue)家(jia)。

王陽元發表科(ke)研論文230多篇，出版著作6部(bu)，現有17項重大科(ke)技成果(guo)。獲全(quan)國(guo)科(ke)學大會獎(jiang)(jiang)、國(guo)家(jia)(jia)發明獎(jiang)(jiang)、國(guo)家(jia)(jia)教(jiao)委科(ke)技進步一(yi)等(deng)獎(jiang)(jiang)、光(guang)華科(ke)技基(ji)金一(yi)等(deng)獎(jiang)(jiang)等(deng)共16項國(guo)家(jia)(jia)級和部(bu)委級獎(jiang)(jiang)勵。

主要作品

70年代(dai)主持研(yan)(yan)制成功我(wo)國(guo)第一(yi)塊1024位(wei)MOS隨(sui)機存儲器(qi)(qi)，是我(wo)國(guo)硅柵N溝道(dao)技(ji)術開(kai)拓(tuo)者之一(yi)，此后在多(duo)晶硅薄膜物理(li)和(he)(he)氧(yang)化(hua)動力(li)學(xue)研(yan)(yan)究(jiu)(jiu)方(fang)面(mian)(mian)(mian)提出了(le)新(xin)(xin)的多(duo)晶硅氧(yang)化(hua)模(mo)(mo)(mo)(mo)型(xing)和(he)(he)氧(yang)化(hua)動力(li)學(xue)工(gong)程應用方(fang)程和(he)(he)特征(zheng)參數(shu)。被國(guo)際同行認為"在微(wei)電子領域處理(li)了(le)對許多(duo)工(gong)作者都有(you)重要(yao)意(yi)義(yi)(yi)的課題"，“對現實(shi)工(gong)藝(yi)過程研(yan)(yan)究(jiu)(jiu)具有(you)重要(yao)的指導意(yi)義(yi)(yi)。”在絕(jue)緣(yuan)(yuan)襯底(di)上生長(chang)硅單晶薄膜（Silicon On Insulator-SOI）和(he)(he)TFSOI/CMOS電路(lu)研(yan)(yan)究(jiu)(jiu)中，發現了(le)磷(lin)摻雜對固(gu)相外延速(su)率的增強效應以(yi)及CoSi2柵對器(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)抗輻(fu)照特性(xing)的改進作用。在SOI/CMOS器(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)模(mo)(mo)(mo)(mo)型(xing)和(he)(he)電路(lu)模(mo)(mo)(mo)(mo)擬(ni)工(gong)作方(fang)面(mian)(mian)(mian)，提出了(le)SOI器(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)浮(fu)體效應模(mo)(mo)(mo)(mo)型(xing)和(he)(he)通過改變器(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)參量(liang)抑制浮(fu)體效應的工(gong)藝(yi)設計技(ji)術，擴充(chong)了(le)SPICE模(mo)(mo)(mo)(mo)擬(ni)軟件(jian)(jian)(jian)。在SOI/CMOS新(xin)(xin)結構電路(lu)研(yan)(yan)究(jiu)(jiu)方(fang)面(mian)(mian)(mian)，開(kai)發了(le)新(xin)(xin)的深(shen)(shen)亞微(wei)米器(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)模(mo)(mo)(mo)(mo)型(xing)和(he)(he)電路(lu)模(mo)(mo)(mo)(mo)擬(ni)方(fang)法，研(yan)(yan)究(jiu)(jiu)成功了(le)多(duo)種新(xin)(xin)型(xing)器(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)和(he)(he)電路(lu)。在MOS絕(jue)緣(yuan)(yuan)層物理(li)與小尺寸(cun)器(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)物理(li)研(yan)(yan)究(jiu)(jiu)，與合(he)作者一(yi)起提出新(xin)(xin)的預測(ce)深(shen)(shen)亞微(wei)米器(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)可靠(kao)性(xing)的分析和(he)(he)測(ce)試(shi)方(fang)法。首次在國(guo)際上實(shi)現了(le)有(you)關陷阱電荷三個基本參量(liang)（俘(fu)獲(huo)截面(mian)(mian)(mian)、面(mian)(mian)(mian)密度和(he)(he)矩心）的直接測(ce)量(liang)和(he)(he)在線(xian)檢測(ce)。

在(zai)80年代和(he)(he)90年代分(fen)別研(yan)究亞微(wei)米/深(shen)亞微(wei)米CMOS復合柵結構和(he)(he)多晶(jing)硅發(fa)射極(ji)超高速電(dian)路，與合作者一(yi)(yi)起在(zai)理論上提出了一(yi)(yi)個新(xin)的、能夠更(geng)準確反映多晶(jing)硅發(fa)射極(ji)晶(jing)體管物理特(te)性的解(jie)析模(mo)型(xing)，被(bei)國際同行(xing)列(lie)為國際上有(you)代表性的模(mo)型(xing)之一(yi)(yi)。對(dui)中國獨立自主發(fa)展超大規(gui)模(mo)集成(cheng)電(dian)路產業和(he)(he)改變我國雙極(ji)集成(cheng)電(dian)路技術(shu)落后面貌均有(you)重要意義。

在1986-1993年任全國ICCAD專家(jia)委(wei)員會主(zhu)任和ICCAT專家(jia)委(wei)員會主(zhu)任期間(jian)，領導研制成(cheng)(cheng)功了(le)(le)我(wo)國第(di)一個大型(xing)集成(cheng)(cheng)化(hua)的ICCAD系統，使我(wo)國繼美國、日(ri)本、歐共體之(zhi)后進入能自行(xing)開(kai)發大型(xing)ICCAD工具(ju)的先進國家(jia)行(xing)列；在研究集成(cheng)(cheng)電路發展規律基礎上提出了(le)(le)我(wo)國集成(cheng)(cheng)電路產(chan)業(ye)和設計業(ye)的發展方向；組織(zhi)參(can)與了(le)(le)國家(jia)微電子"七·五"，"八·五"國家(jia)科技攻(gong)關。

現(xian)從事微電子學領域(yu)中新(xin)器件、新(xin)工(gong)藝(yi)和(he)新(xin)結構電路的(de)研究，發(fa)表科研論(lun)文160多篇，出版著作6部，現(xian)有(you)16項重大(da)科技(ji)(ji)成果。獲全國(guo)科學大(da)會獎、國(guo)家(jia)發(fa)明獎、國(guo)家(jia)教委科技(ji)(ji)進步(bu)一等獎、光華(hua)科技(ji)(ji)基金一等獎等共(gong)16項國(guo)家(jia)級和(he)部委級獎勵(li)。

發(fa)(fa)表科(ke)研論(lun)文230多篇(pian)(pian)，出版(ban)著(zhu)作(zuo)6部(bu)(bu)，現有(you)17項重(zhong)大科(ke)技(ji)成(cheng)(cheng)果。獲(huo)全國科(ke)學大會(hui)獎(jiang)(jiang)、國家(jia)(jia)(jia)發(fa)(fa)明獎(jiang)(jiang)、國家(jia)(jia)(jia)教委科(ke)技(ji)進(jin)步(bu)一等(deng)獎(jiang)(jiang)、光華科(ke)技(ji)基金一等(deng)獎(jiang)(jiang)等(deng)共16項國家(jia)(jia)(jia)級(ji)(ji)和(he)部(bu)(bu)委級(ji)(ji)獎(jiang)(jiang)勵(li)。為推動我國微電子(zi)產(chan)(chan)業的發(fa)(fa)展，作(zuo)為發(fa)(fa)起人之一，創建中芯國際(ji)集(ji)(ji)(ji)成(cheng)(cheng)電路(lu)制造有(you)限公(gong)司，領導建設成(cheng)(cheng)功(gong)了我國第一條12英寸納米級(ji)(ji)集(ji)(ji)(ji)成(cheng)(cheng)電路(lu)生(sheng)產(chan)(chan)線，使我國集(ji)(ji)(ji)成(cheng)(cheng)電路(lu)大生(sheng)產(chan)(chan)技(ji)術(shu)水(shui)平處(chu)于國際(ji)先進(jin)水(shui)平。共培養百名碩(shuo)士、博(bo)士和(he)博(bo)士后。發(fa)(fa)表科(ke)研論(lun)文230多篇(pian)(pian)，出版(ban)著(zhu)作(zuo)6部(bu)(bu)。

王陽元有20項重大(da)科(ke)技(ji)成果。1978年(nian)獲(huo)(huo)(huo)全國(guo)(guo)科(ke)學(xue)大(da)會獎，1991年(nian)獲(huo)(huo)(huo)國(guo)(guo)家(jia)教委(wei)(wei)科(ke)技(ji)進步(bu)(bu)一等獎，2003年(nian)獲(huo)(huo)(huo)何梁何利科(ke)技(ji)進步(bu)(bu)獎，2007年(nian)獲(huo)(huo)(huo)國(guo)(guo)家(jia)科(ke)技(ji)進步(bu)(bu)二等獎，等19項國(guo)(guo)家(jia)級(ji)和部委(wei)(wei)級(ji)獎勵。

王陽(yang)元長期擔任中國電(dian)子(zi)(zi)學會副理事長，《半導(dao)體學報》和(he)(he)《電(dian)子(zi)(zi)學報》（英(ying)(ying)文版(ban)）副主(zhu)編。信息產業部科(ke)技委委員(電(dian)子(zi)(zi))，美國IEEE Fellow和(he)(he)英(ying)(ying)國IEE Fellow等。

其著作(zuo)《集(ji)成(cheng)電(dian)(dian)路(lu)工(gong)業全(quan)書》、《集(ji)成(cheng)電(dian)(dian)路(lu)工(gong)藝基礎》、《多(duo)晶(jing)(jing)硅(gui)薄膜及共(gong)在集(ji)成(cheng)電(dian)(dian)路(lu)中的應用(yong)》、《多(duo)晶(jing)(jing)硅(gui)發(fa)射極晶(jing)(jing)體(ti)管(guan)及其集(ji)成(cheng)電(dian)(dian)路(lu)》、《半導體(ti)器件(jian)》現存(cun)于寧(ning)波市圖(tu)書館“地方文獻·甬籍名人名作(zuo)庫”。

貢獻影響

研究課題

從事微(wei)(wei)電(dian)(dian)(dian)子(zi)學領域中新器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)、新工(gong)(gong)藝(yi)(yi)和(he)(he)(he)(he)新結(jie)構(gou)電(dian)(dian)(dian)路的(de)研(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)究。二十世紀70年(nian)代(dai)主(zhu)(zhu)持(chi)研(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)究成(cheng)(cheng)(cheng)功我國(guo)(guo)(guo)(guo)(guo)第一(yi)塊3種(zhong)(zhong)類型(xing)(xing)1024位(wei)MOS動(dong)態隨機(ji)存儲(chu)器(qi)(qi)(qi),是我國(guo)(guo)(guo)(guo)(guo)硅(gui)(gui)柵(zha)N溝道MOS技術(shu)開(kai)拓者之一(yi)。80年(nian)代(dai)提出了(le)(le)(le)(le)(le)多(duo)晶(jing)(jing)(jing)硅(gui)(gui)薄膜"應力(li)增強"氧化模(mo)(mo)(mo)(mo)型(xing)(xing)、工(gong)(gong)程應用方程和(he)(he)(he)(he)摻(chan)雜濃度與(yu)遷移率的(de)關系，被國(guo)(guo)(guo)(guo)(guo)際(ji)同行認為"在(zai)微(wei)(wei)電(dian)(dian)(dian)子(zi)領域處理了(le)(le)(le)(le)(le)一(yi)個對(dui)(dui)許(xu)多(duo)研(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)究者都(dou)有重(zhong)要意(yi)義(yi)的(de)問(wen)題"，"對(dui)(dui)實踐有重(zhong)要的(de)指導意(yi)義(yi)"。研(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)究了(le)(le)(le)(le)(le)亞(ya)微(wei)(wei)米(mi)(mi)和(he)(he)(he)(he)深亞(ya)微(wei)(wei)米(mi)(mi)CMOS電(dian)(dian)(dian)路的(de)硅(gui)(gui)化物/多(duo)晶(jing)(jing)(jing)硅(gui)(gui)復(fu)合(he)柵(zha)結(jie)構(gou)；發(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)現磷(lin)摻(chan)雜對(dui)(dui)固相外延速(su)率增強效應以(yi)及(ji)CoSi2柵(zha)對(dui)(dui)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)抗輻(fu)照特(te)性(xing)的(de)改(gai)進(jin)(jin)作用；90年(nian)代(dai)在(zai)SOI/CMOS器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)模(mo)(mo)(mo)(mo)型(xing)(xing)和(he)(he)(he)(he)電(dian)(dian)(dian)路模(mo)(mo)(mo)(mo)擬工(gong)(gong)作方面(mian)，提出了(le)(le)(le)(le)(le)SOI器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)浮體(ti)效應模(mo)(mo)(mo)(mo)型(xing)(xing)和(he)(he)(he)(he)通過改(gai)變(bian)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)參量抑(yi)制(zhi)浮體(ti)效應的(de)工(gong)(gong)藝(yi)(yi)設計(ji)技術(shu)，擴(kuo)充(chong)了(le)(le)(le)(le)(le)SPICE模(mo)(mo)(mo)(mo)擬軟(ruan)件(jian)(jian)(jian)。在(zai)SOI/CMOS新結(jie)構(gou)電(dian)(dian)(dian)路研(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)究方面(mian)，開(kai)發(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)了(le)(le)(le)(le)(le)新的(de)深亞(ya)微(wei)(wei)米(mi)(mi)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)模(mo)(mo)(mo)(mo)型(xing)(xing)和(he)(he)(he)(he)電(dian)(dian)(dian)路模(mo)(mo)(mo)(mo)擬方法，研(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)究成(cheng)(cheng)(cheng)功了(le)(le)(le)(le)(le)多(duo)種(zhong)(zhong)新型(xing)(xing)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)和(he)(he)(he)(he)電(dian)(dian)(dian)路；與(yu)合(he)作者一(yi)起提出了(le)(le)(le)(le)(le)超高速(su)多(duo)晶(jing)(jing)(jing)硅(gui)(gui)發(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)射極(ji)晶(jing)(jing)(jing)體(ti)管的(de)新的(de)解析模(mo)(mo)(mo)(mo)型(xing)(xing)，開(kai)發(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)了(le)(le)(le)(le)(le)成(cheng)(cheng)(cheng)套的(de)先進(jin)(jin)雙(shuang)極(ji)集(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路工(gong)(gong)藝(yi)(yi)技術(shu)；這對(dui)(dui)獨立自主(zhu)(zhu)發(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)展(zhan)我國(guo)(guo)(guo)(guo)(guo)集(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路產(chan)(chan)業(ye)(ye)具有重(zhong)要意(yi)義(yi)。90年(nian)代(dai)后(hou)(hou)期(qi)開(kai)始研(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)究微(wei)(wei)機(ji)電(dian)(dian)(dian)系統(tong)（MEMS），任(ren)微(wei)(wei)米(mi)(mi)/納(na)米(mi)(mi)加工(gong)(gong)技術(shu)國(guo)(guo)(guo)(guo)(guo)家(jia)重(zhong)點實驗室(shi)主(zhu)(zhu)任(ren)，主(zhu)(zhu)持(chi)開(kai)發(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)了(le)(le)(le)(le)(le)五套具有自主(zhu)(zhu)知識產(chan)(chan)權的(de)MEMS工(gong)(gong)藝(yi)(yi)，開(kai)發(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)了(le)(le)(le)(le)(le)多(duo)種(zhong)(zhong)新型(xing)(xing)MEMS器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)并向(xiang)產(chan)(chan)業(ye)(ye)轉化，獲得一(yi)批發(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)明(ming)專(zhuan)利。近期(qi)又致(zhi)力(li)于研(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)究亞(ya)0.1μm器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)和(he)(he)(he)(he)集(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)技術(shu)。在(zai)1986-1993年(nian)任(ren)全國(guo)(guo)(guo)(guo)(guo)ICCAD專(zhuan)家(jia)委(wei)員(yuan)會主(zhu)(zhu)任(ren)和(he)(he)(he)(he)ICCAT專(zhuan)家(jia)委(wei)員(yuan)會主(zhu)(zhu)任(ren)期(qi)間，領導研(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)制(zhi)成(cheng)(cheng)(cheng)功了(le)(le)(le)(le)(le)我國(guo)(guo)(guo)(guo)(guo)第一(yi)個大型(xing)(xing)集(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)化的(de)ICCAD系統(tong)，使(shi)我國(guo)(guo)(guo)(guo)(guo)繼美(mei)國(guo)(guo)(guo)(guo)(guo)、日本、歐共體(ti)之后(hou)(hou)進(jin)(jin)入能自行開(kai)發(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)大型(xing)(xing)ICCAD工(gong)(gong)具的(de)先進(jin)(jin)國(guo)(guo)(guo)(guo)(guo)家(jia)行列；在(zai)研(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)究集(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路發(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)展(zhan)規律(lv)基(ji)礎上(shang)提出了(le)(le)(le)(le)(le)我國(guo)(guo)(guo)(guo)(guo)集(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路產(chan)(chan)業(ye)(ye)和(he)(he)(he)(he)設計(ji)業(ye)(ye)的(de)發(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)展(zhan)戰略建議。為推動(dong)我國(guo)(guo)(guo)(guo)(guo)微(wei)(wei)電(dian)(dian)(dian)子(zi)產(chan)(chan)業(ye)(ye)的(de)發(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)展(zhan)，作為發(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)起人之一(yi)，創建了(le)(le)(le)(le)(le)中芯國(guo)(guo)(guo)(guo)(guo)際(ji)（SMIC-Semiconductor Manufacturing International Corporation）集(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路制(zhi)造（上(shang)海(hai)）有限公司。

人物轉折

1958年(nian)(nian)，是王(wang)陽元(yuan)人生的一(yi)個關鍵轉折點(dian)，因為(wei)在(zai)這一(yi)年(nian)(nian)他畢業(ye)(ye)留校(xiao)，再(zai)一(yi)次選(xuan)擇了(le)(le)微電(dian)(dian)子事業(ye)(ye)。這也印(yin)證了(le)(le)王(wang)陽元(yuan)“傳家有(you)道(dao)唯存厚，處(chu)事無奇但執真”的家訓。留校(xiao)的王(wang)陽元(yuan)把工作(zuo)重心放在(zai)了(le)(le)如何促進國(guo)家微電(dian)(dian)子產(chan)業(ye)(ye)發展上(shang)，經過深入(ru)的調查研究，他和同事們確定了(le)(le)“硅柵N溝道(dao)技術(shu)(shu)”的研究方向。經過近7年(nian)(nian)堅韌不拔的奮(fen)斗(dou)，1975年(nian)(nian)，我國(guo)第一(yi)塊1024位(wei)MOS動態(tai)隨機存儲器(qi)問世，這被稱為(wei)是我國(guo)MOS集(ji)成電(dian)(dian)路(lu)技術(shu)(shu)和產(chan)業(ye)(ye)發展過程中具(ju)有(you)里程碑意義的事件(jian)，它比Intel公司研制的硅柵N溝道(dao)MOSDRAM只晚了(le)(le)4年(nian)(nian)，因此獲得了(le)(le)1978年(nian)(nian)全國(guo)科學大會獎。從此，王(wang)陽元(yuan)更加認定了(le)(le)集(ji)成電(dian)(dian)路(lu)技術(shu)(shu)對信(xin)息社會的重要作(zuo)用。

微電子(zi)學和集(ji)成電路技(ji)(ji)術(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)在上(shang)世紀(ji)80年代得(de)到了(le)較大(da)的(de)(de)發展(zhan)，集(ji)成電路的(de)(de)計(ji)算機輔助設(she)(she)(she)計(ji)技(ji)(ji)術(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)（ICCAD）與軟(ruan)件(jian)工(gong)具成為(wei)制約(yue)其發展(zhan)的(de)(de)障礙。鑒于中(zhong)(zhong)國(guo)當(dang)時的(de)(de)技(ji)(ji)術(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)水平和科研(yan)條(tiao)件(jian)，中(zhong)(zhong)國(guo)政府(fu)試圖通過(guo)技(ji)(ji)術(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)引進解決這個問題，但是(shi)為(wei)了(le)不(bu)讓我國(guo)發展(zhan)戰(zhan)略高技(ji)(ji)術(shu)(shu)(shu)(shu)(shu),西方(fang)(fang)國(guo)家在技(ji)(ji)術(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)和設(she)(she)(she)備(bei)上(shang)對我國(guo)實行封鎖禁運，技(ji)(ji)術(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)引進的(de)(de)問題經過(guo)多方(fang)(fang)面的(de)(de)努力與談判都(dou)沒能成功，中(zhong)(zhong)國(guo)決心自己開發這項(xiang)技(ji)(ji)術(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)。在這一關鍵時刻，王陽(yang)元當(dang)時作(zuo)為(wei)訪問學者從(cong)美國(guo)回國(guo)不(bu)久，即擔任起北大(da)微電子(zi)研(yan)究所所長的(de)(de)職(zhi)務，并被(bei)聘請(qing)擔任全國(guo)ICCAD委員會(hui)主(zhu)任，主(zhu)持組織集(ji)成化ICCAD三級系統的(de)(de)研(yan)發工(gong)作(zuo)，開始(shi)了(le)我國(guo)集(ji)成電路設(she)(she)(she)計(ji)自主(zhu)創(chuang)新的(de)(de)新階段(duan)。

經過6年奮戰(zhan)，中國(guo)第一個按軟件工程方法開(kai)(kai)發的(de)、集成化的(de)超大規模(mo)集成電路計(ji)算(suan)機輔助設計(ji)系統研制成功(gong)(gong)了。它的(de)研制成功(gong)(gong)使中國(guo)繼美(mei)國(guo)、日本、西歐(ou)之(zhi)后進入到(dao)能自(zi)行開(kai)(kai)發大型集成電路計(ji)算(suan)機輔助設計(ji)系統的(de)先進行列(lie)，具有完全的(de)自(zi)主(zhu)知(zhi)識產(chan)權。

對于自(zi)主知識(shi)產(chan)(chan)權，王陽元(yuan)還是(shi)十分重視，他說，知識(shi)產(chan)(chan)權是(shi)原(yuan)始創新的具體體現，一個(ge)產(chan)(chan)業的持續(xu)發展必須(xu)有足夠的知識(shi)產(chan)(chan)權作(zuo)為其堅強后盾。在針對客(ke)觀(guan)需求開展系(xi)統(tong)研究工作(zuo)的時候，我們決(jue)不能亦步亦趨地沿著已有的技術路線走下(xia)去，必須(xu)立足于創新，有所(suo)發明、有所(suo)創造。

王陽(yang)元(yuan)(yuan)曾任國(guo)家級微米/納米加(jia)工(gong)(gong)技術(shu)(shu)重點實(shi)驗(yan)室的主(zhu)任。在實(shi)驗(yan)室建設之(zhi)初(chu)，王陽(yang)元(yuan)(yuan)就強調(diao)：“真正(zheng)的關鍵(jian)技術(shu)(shu)是買不來(lai)的，我(wo)們(men)必須自主(zhu)研發(fa)，從基礎層面上提升我(wo)國(guo)微機電系統的研制和(he)開發(fa)水(shui)平(ping)。”經過近(jin)十年的努(nu)力，這個(ge)實(shi)驗(yan)室建立了(le)中(zhong)國(guo)第一個(ge)與(yu)集成電路加(jia)工(gong)(gong)工(gong)(gong)藝(yi)兼容的微機電系統加(jia)工(gong)(gong)平(ping)臺和(he)設計(ji)技術(shu)(shu)平(ping)臺。已(yi)經自主(zhu)開發(fa)了(le)3套加(jia)工(gong)(gong)工(gong)(gong)藝(yi)，有6項技術(shu)(shu)創新，已(yi)獲(huo)11項發(fa)明(ming)專(zhuan)利的授權(quan)，還正(zheng)在申請29項發(fa)明(ming)專(zhuan)利。

院士文集

匯(hui)集了(le)(le)(le)王陽(yang)元院(yuan)士在(zai)(zai)1998年到2004年期間(jian)發表的(de)重要論(lun)(lun)文(wen)和論(lun)(lun)述(shu)(shu)，內容涉(she)及(ji)(ji)微(wei)電子學(xue)科的(de)發展(zhan)戰(zhan)略研(yan)究(jiu)(jiu)、發展(zhan)前沿綜述(shu)(shu)、學(xue)術論(lun)(lun)文(wen)、科學(xue)研(yan)究(jiu)(jiu)方(fang)(fang)法論(lun)(lun)、產業(ye)建設(she)和人才培養(yang)等多個方(fang)(fang)面。在(zai)(zai)此期間(jian)里，他(ta)與合作(zuo)者以及(ji)(ji)研(yan)究(jiu)(jiu)生(sheng)(sheng)共同發表了(le)(le)(le)70余篇(pian)學(xue)術論(lun)(lun)文(wen)。本書從中精選了(le)(le)(le)發表在(zai)(zai)國內外重要學(xue)術刊物上的(de)有關(guan)SOI/CMOS器(qi)件(jian)(jian)與電路(lu)(lu)、超深(shen)亞微(wei)米器(qi)件(jian)(jian)研(yan)究(jiu)(jiu)、MEMS研(yan)究(jiu)(jiu)和電路(lu)(lu)研(yan)究(jiu)(jiu)等方(fang)(fang)面的(de)36篇(pian)有代表性的(de)學(xue)術論(lun)(lun)文(wen)。這些論(lun)(lun)文(wen)和論(lun)(lun)述(shu)(shu)在(zai)(zai)國內外微(wei)電子領域(yu)的(de)學(xue)術界(jie)、教育界(jie)和工業(ye)界(jie)產生(sheng)(sheng)了(le)(le)(le)深(shen)刻影響，推動了(le)(le)(le)我國微(wei)電子科學(xue)技術和產業(ye)的(de)發展(zhan)，反映了(le)(le)(le)王陽(yang)元院(yuan)士作(zuo)為(wei)(wei)一位“仁智雙馨”的(de)戰(zhan)略科學(xue)家的(de)風貌。本書可(ke)作(zuo)為(wei)(wei)高等學(xue)校(xiao)信息技術及(ji)(ji)微(wei)電子專業(ye)師生(sheng)(sheng)的(de)參考書，也(ye)可(ke)供相(xiang)關(guan)領域(yu)的(de)技術人員、科研(yan)人員及(ji)(ji)科技管理人員學(xue)習參考。

中芯國際

幾十年(nian)(nian)(nian)如(ru)一(yi)(yi)日的(de)(de)(de)(de)研(yan)究、實(shi)踐，使王陽(yang)元(yuan)深刻地體(ti)會到微(wei)電子(zi)學最終還要(yao)服務(wu)于(yu)(yu)實(shi)踐。于(yu)(yu)是(shi)，中芯(xin)(xin)國(guo)際(ji)(ji)應時(shi)而(er)生(sheng)。中芯(xin)(xin)國(guo)際(ji)(ji)成立(li)于(yu)(yu)2000年(nian)(nian)(nian)，擁有3座芯(xin)(xin)片代(dai)工廠，包括一(yi)(yi)座具(ju)有后(hou)端(duan)銅互連工藝的(de)(de)(de)(de)代(dai)工廠。2003年(nian)(nian)(nian)，中芯(xin)(xin)國(guo)際(ji)(ji)被世(shi)界知(zhi)名的(de)(de)(de)(de)《半(ban)導體(ti)國(guo)際(ji)(ji)》（Semiconductor International）雜志評為(wei)全球“2003年(nian)(nian)(nian)度最佳半(ban)導體(ti)廠”之一(yi)(yi)，并在2004年(nian)(nian)(nian)建(jian)成了我國(guo)第一(yi)(yi)條大型(xing)12英寸納米(mi)級(ji)集(ji)成電路大生(sheng)產線。對于(yu)(yu)中芯(xin)(xin)國(guo)際(ji)(ji)，王陽(yang)元(yuan)有自己(ji)的(de)(de)(de)(de)評價(jia)：“中芯(xin)(xin)國(guo)際(ji)(ji)既(ji)是(shi)中國(guo)芯(xin)(xin)片制(zhi)造業的(de)(de)(de)(de)又一(yi)(yi)個里程(cheng)碑(bei)，也不全是(shi)中國(guo)集(ji)成電路芯(xin)(xin)片制(zhi)造業的(de)(de)(de)(de)里程(cheng)碑(bei)。”

他解釋說，說它是(shi)里(li)程(cheng)(cheng)碑是(shi)因(yin)為(wei)(wei)(wei)它把中國(guo)集成電路技術(shu)水(shui)平(ping)與全(quan)球(qiu)先進水(shui)平(ping)的(de)差距由原來(lai)的(de)4~5個技術(shu)節點縮小到(dao)1~2個，實現了(le)中國(guo)芯片制造業的(de)歷史性突破；說它不是(shi)里(li)程(cheng)(cheng)碑，則是(shi)因(yin)為(wei)(wei)(wei)中芯國(guo)際(ji)還沒有(you)真(zhen)正能(neng)夠掌握一大批具有(you)世界(jie)前(qian)沿水(shui)平(ping)的(de)自(zi)主知識產權(quan)。但是(shi)，我們希望將來(lai)的(de)中芯國(guo)際(ji)能(neng)夠掌握國(guo)際(ji)前(qian)端技術(shu)，能(neng)在(zai)某(mou)些領域引領世界(jie)潮流，成為(wei)(wei)(wei)又一個真(zhen)正的(de)里(li)程(cheng)(cheng)碑。

在談到(dao)這個(ge)話題的(de)(de)時(shi)候(hou)，王(wang)陽元認為中國(guo)的(de)(de)風險(xian)(xian)投資(zi)(zi)(zi)機制尚不(bu)(bu)完(wan)善。因(yin)為科研院(yuan)所的(de)(de)科技成果并(bing)不(bu)(bu)等(deng)于產品，而產品又(you)不(bu)(bu)等(deng)于商品，其(qi)中要(yao)有(you)一個(ge)中間環(huan)節，即風險(xian)(xian)投資(zi)(zi)(zi)。他引用馬克思《資(zi)(zi)(zi)本論》中的(de)(de)一句話“產品變為商品是(shi)(shi)驚險(xian)(xian)的(de)(de)一躍，其(qi)結果要(yao)么是(shi)(shi)產生利潤，要(yao)么是(shi)(shi)摔死資(zi)(zi)(zi)本家”。這也是(shi)(shi)風險(xian)(xian)投資(zi)(zi)(zi)的(de)(de)真實寫照，所以，風險(xian)(xian)投資(zi)(zi)(zi)必須建立退出(chu)機制。同(tong)時(shi)國(guo)家應(ying)相應(ying)地降低企(qi)業上市的(de)(de)門檻，尤其(qi)是(shi)(shi)高(gao)新(xin)技術企(qi)業，讓(rang)更多(duo)的(de)(de)企(qi)業可以得到(dao)融資(zi)(zi)(zi)。我國(guo)高(gao)新(xin)技術企(qi)業的(de)(de)平均(jun)壽命是(shi)(shi)兩年左右，其(qi)中很重(zhong)要(yao)的(de)(de)因(yin)素是(shi)(shi)沒有(you)資(zi)(zi)(zi)金的(de)(de)支持。

作為微(wei)(wei)(wei)電(dian)(dian)子(zi)學(xue)(xue)(xue)界的(de)(de)一(yi)位領軍人物，王陽(yang)元對中國微(wei)(wei)(wei)電(dian)(dian)子(zi)技(ji)(ji)術的(de)(de)發(fa)展充滿信心，他(ta)說，未來(lai)我(wo)國微(wei)(wei)(wei)電(dian)(dian)子(zi)技(ji)(ji)術將(jiang)通(tong)過與其他(ta)學(xue)(xue)(xue)科(ke)更密切的(de)(de)結合產(chan)生(sheng)新的(de)(de)產(chan)業。微(wei)(wei)(wei)電(dian)(dian)子(zi)技(ji)(ji)術的(de)(de)強大(da)(da)生(sheng)命力在(zai)于它(ta)可以低成本、大(da)(da)批量地生(sheng)產(chan)出具有高可靠性和高精(jing)度的(de)(de)微(wei)(wei)(wei)電(dian)(dian)子(zi)芯(xin)(xin)片。這種技(ji)(ji)術一(yi)旦與其他(ta)學(xue)(xue)(xue)科(ke)相結合，便會誕生(sheng)出一(yi)系(xi)列(lie)嶄新的(de)(de)學(xue)(xue)(xue)科(ke)和重大(da)(da)的(de)(de)經(jing)濟(ji)增長點(dian)，作為與微(wei)(wei)(wei)電(dian)(dian)子(zi)技(ji)(ji)術成功結合的(de)(de)典型例(li)子(zi)便是(shi)MEMS（微(wei)(wei)(wei)機(ji)電(dian)(dian)系(xi)統(tong)）技(ji)(ji)術或稱微(wei)(wei)(wei)系(xi)統(tong)技(ji)(ji)術和生(sheng)物芯(xin)(xin)片等。前者是(shi)微(wei)(wei)(wei)電(dian)(dian)子(zi)技(ji)(ji)術與機(ji)械(xie)、光學(xue)(xue)(xue)等領域結合而誕生(sheng)的(de)(de)，后(hou)者則是(shi)與生(sheng)物工程技(ji)(ji)術結合的(de)(de)產(chan)物。

微電(dian)子(zi)(zi)機械系(xi)統就是(shi)(shi)(shi)微電(dian)子(zi)(zi)技(ji)術(shu)的(de)拓(tuo)寬和(he)延伸(shen)，它將(jiang)微電(dian)子(zi)(zi)技(ji)術(shu)和(he)精密機械加(jia)工(gong)技(ji)術(shu)相互(hu)融合，實現了微電(dian)子(zi)(zi)與(yu)機械融為一體(ti)的(de)系(xi)統。MEMS將(jiang)電(dian)子(zi)(zi)系(xi)統和(he)外(wai)部世界聯系(xi)起來，它不僅可以(yi)感(gan)受運(yun)動(dong)、光、聲、熱(re)、磁等自然界的(de)外(wai)部信(xin)號(hao)，把這些信(xin)號(hao)轉(zhuan)換成(cheng)電(dian)子(zi)(zi)系(xi)統可以(yi)認識的(de)電(dian)信(xin)號(hao)，而(er)且(qie)還(huan)可以(yi)通(tong)過電(dian)子(zi)(zi)系(xi)統控(kong)制這些信(xin)號(hao)，發出指令(ling)并(bing)完成(cheng)該指令(ling)。從廣義上(shang)講(jiang)，MEMS是(shi)(shi)(shi)指集微型傳感(gan)器、微型執行器、信(xin)號(hao)處(chu)理和(he)控(kong)制電(dian)路、接口(kou)電(dian)路、通(tong)信(xin)系(xi)統以(yi)及電(dian)源于(yu)一體(ti)的(de)微型機電(dian)系(xi)統。MEMS技(ji)術(shu)是(shi)(shi)(shi)一種典型的(de)多學(xue)(xue)(xue)(xue)科(ke)交(jiao)叉(cha)的(de)前沿(yan)性研究領(ling)域(yu)，它幾(ji)乎涉及到自然及工(gong)程科(ke)學(xue)(xue)(xue)(xue)的(de)所有(you)領(ling)域(yu)，如電(dian)子(zi)(zi)技(ji)術(shu)、機械技(ji)術(shu)、光學(xue)(xue)(xue)(xue)、物理學(xue)(xue)(xue)(xue)、化(hua)學(xue)(xue)(xue)(xue)、生(sheng)物醫學(xue)(xue)(xue)(xue)、材料科(ke)學(xue)(xue)(xue)(xue)、能源科(ke)學(xue)(xue)(xue)(xue)等。

集(ji)成電路作(zuo)為一(yi)項技術發明，極大(da)地改(gai)變了(le)人(ren)類的(de)(de)生活方式(shi)和生產方式(shi)，對(dui)社會的(de)(de)進步起到了(le)重大(da)作(zuo)用。我國集(ji)成電路的(de)(de)市(shi)場規模(mo)世界第(di)(di)一(yi)、市(shi)場增長速度(du)世界第(di)(di)一(yi)，但是(shi)外貿逆差也是(shi)國內第(di)(di)一(yi)。

開拓者

中(zhong)國(guo)集(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)路(lu)(lu)技(ji)術和產(chan)業(ye)從(cong)20世(shi)紀五六十年代剛(gang)剛(gang)起步(bu)的(de)(de)半導體研究，到(dao)(dao)“文革”時期(qi)與國(guo)際(ji)學(xue)術界基本隔(ge)離，再到(dao)(dao)八(ba)九十年代艱辛地挑(tiao)戰國(guo)際(ji)前沿(yan)，終于開(kai)(kai)始了飛躍式(shi)地發(fa)展，引起了世(shi)界的(de)(de)關注。面對中(zhong)國(guo)集(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)路(lu)(lu)令(ling)(ling)人興(xing)(xing)奮的(de)(de)成(cheng)(cheng)(cheng)績，作為中(zhong)國(guo)集(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)路(lu)(lu)產(chan)業(ye)的(de)(de)開(kai)(kai)拓者之一，中(zhong)國(guo)科學(xue)院院士(shi)王陽元有自己(ji)的(de)(de)看法：“中(zhong)國(guo)集(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)路(lu)(lu)能取得這樣(yang)的(de)(de)成(cheng)(cheng)(cheng)績固然令(ling)(ling)人興(xing)(xing)奮，但是我們也面臨著前所未(wei)有的(de)(de)挑(tiao)戰。自主知識產(chan)權缺少、科技(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)果產(chan)業(ye)化率(lv)低、研究人員缺乏等都是我們亟須解決的(de)(de)問(wen)題。”

自主知識產(chan)(chan)權是(shi)形成集成電路產(chan)(chan)業(ye)核(he)心競(jing)爭力的(de)關鍵。集成電路產(chan)(chan)業(ye)是(shi)資金高(gao)投入(ru)、技(ji)術高(gao)密集、高(gao)度(du)國(guo)際(ji)化的(de)產(chan)(chan)業(ye)，但真正阻礙后(hou)發國(guo)家進入(ru)國(guo)際(ji)集成電路產(chan)(chan)業(ye)領域的(de)是(shi)技(ji)術。不能在產(chan)(chan)品設計(ji)和(he)制造工藝技(ji)術上(shang)擁有一批自主知識產(chan)(chan)權，就永(yong)遠難(nan)以在國(guo)際(ji)市(shi)場(chang)中生存與發展。

在(zai)我國建設(she)創新型國家的(de)(de)背(bei)景下，自主知識產(chan)權、技術(shu)(shu)產(chan)業化(hua)尤為重要，在(zai)微電子領域，王陽元提出了(le)“產(chan)前(qian)研(yan)發(fa)(fa)聯(lian)盟(meng)”的(de)(de)設(she)想(xiang)。產(chan)前(qian)研(yan)發(fa)(fa)聯(lian)盟(meng)，將實行“官、產(chan)、學、研(yan)、用(yong)”相結(jie)合，背(bei)靠高校與(yu)科研(yan)機構的(de)(de)基(ji)礎(chu)和應(ying)用(yong)基(ji)礎(chu)研(yan)究，面向產(chan)業發(fa)(fa)展(zhan)(zhan)大生產(chan)的(de)(de)關鍵技術(shu)(shu)需要，能提高自主創新的(de)(de)核心競爭力，開(kai)發(fa)(fa)為下一代集成電路發(fa)(fa)展(zhan)(zhan)(當前(qian)可定(ding)位(wei)在(zai)45~22納米)提供企業所需要的(de)(de)產(chan)前(qian)核心技術(shu)(shu)、專(zhuan)利(li)，并培養相應(ying)的(de)(de)人才。

王陽(yang)元(yuan)認為(wei)(wei)，科(ke)(ke)技(ji)創(chuang)新(xin)(xin)的(de)(de)(de)(de)背后是體制(zhi)(zhi)、機(ji)(ji)制(zhi)(zhi)創(chuang)新(xin)(xin)的(de)(de)(de)(de)問題(ti)，科(ke)(ke)技(ji)創(chuang)新(xin)(xin)與機(ji)(ji)制(zhi)(zhi)創(chuang)新(xin)(xin)互為(wei)(wei)動力、互為(wei)(wei)因果，新(xin)(xin)的(de)(de)(de)(de)科(ke)(ke)技(ji)創(chuang)新(xin)(xin)會催(cui)生與之相適應(ying)的(de)(de)(de)(de)新(xin)(xin)型(xing)機(ji)(ji)制(zhi)(zhi)，同時也(ye)要依賴于機(ji)(ji)制(zhi)(zhi)的(de)(de)(de)(de)不(bu)斷進步；而新(xin)(xin)的(de)(de)(de)(de)機(ji)(ji)制(zhi)(zhi)創(chuang)新(xin)(xin)所形成的(de)(de)(de)(de)有利因素也(ye)可以(yi)(yi)促使更多(duo)的(de)(de)(de)(de)科(ke)(ke)技(ji)創(chuang)新(xin)(xin)成果不(bu)斷涌(yong)現。所以(yi)(yi)，產(chan)前研(yan)發聯盟要想(xiang)做好，首(shou)先要在體制(zhi)(zhi)與運作模(mo)式上下功夫。

產(chan)(chan)前研(yan)(yan)(yan)發(fa)聯(lian)盟會(hui)采取不以盈利為主(zhu)(zhu)要(yao)目(mu)(mu)的(de)(de)公司(si)運(yun)作機制。以政府(fu)(fu)為主(zhu)(zhu)導(包括中央政府(fu)(fu)和(he)地方政府(fu)(fu))，實行企業(ye)(ye)、大學(xue)、研(yan)(yan)(yan)究(jiu)所及主(zhu)(zhu)要(yao)應用部門(men)等共同組(zu)建的(de)(de)股(gu)份制獨立法(fa)人單位。產(chan)(chan)前研(yan)(yan)(yan)發(fa)聯(lian)盟采用開(kai)放模式(shi)，不僅向(xiang)(xiang)國(guo)內(nei)企業(ye)(ye)、研(yan)(yan)(yan)究(jiu)單位開(kai)放，而且向(xiang)(xiang)國(guo)際(ji)開(kai)放，以提高國(guo)際(ji)間合(he)作。它能夠(gou)激發(fa)原始創(chuang)(chuang)(chuang)新(xin)(xin)(xin)能力、能夠(gou)通過(guo)整(zheng)合(he)資源形成(cheng)集(ji)成(cheng)創(chuang)(chuang)(chuang)新(xin)(xin)(xin)能力和(he)通過(guo)引進消化吸收形成(cheng)再創(chuang)(chuang)(chuang)新(xin)(xin)(xin)能力的(de)(de)較好(hao)組(zu)織形式(shi)；是(shi)(shi)符(fu)合(he)自主(zhu)(zhu)創(chuang)(chuang)(chuang)新(xin)(xin)(xin)戰略(lve)目(mu)(mu)標的(de)(de)，企業(ye)(ye)為主(zhu)(zhu)體、產(chan)(chan)學(xue)研(yan)(yan)(yan)結合(he)的(de)(de)集(ji)約化技術(shu)創(chuang)(chuang)(chuang)新(xin)(xin)(xin)體系；是(shi)(shi)能夠(gou)在較短的(de)(de)時間內(nei)實現關鍵技術(shu)和(he)核心技術(shu)突破的(de)(de)、控制和(he)降低對國(guo)外資源依賴程度的(de)(de)有效戰略(lve)舉措；是(shi)(shi)加(jia)速科技成(cheng)果向(xiang)(xiang)現實生產(chan)(chan)力轉化的(de)(de)新(xin)(xin)(xin)型紐帶(dai)和(he)橋梁。