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專利名稱：一種基于CMOS工藝的超材料制備方法和超材料
專利類型：發明
申請號：CN201110120973.5
公開(公告)號：CN102891369B
申請日：20110511
公開(公告)日：20160504
申請人：深圳光啟高等理工研究院,深圳光啟創新技術有限公司
發明人：劉若鵬,楊宗榮,趙治亞,繆錫根
申請人地址：518000 廣東省深圳市南山區高新區中區高新中一道9號軟件大廈
申請人區域代碼：CN440305
專利權人：深圳光啟高等理工研究院,深圳光啟創新技術有限公司
洛迦諾分類：無
IPC：H01Q15/00
優先權：無
專利代理機構：無
代理人：無
審查員：馬菁
國際申請：無
國際公開(公告)：無
進入國家日期：無
分案申請：無

關鍵詞

電介質層,超材料,微結構,第二金屬層,第一金屬層,通孔,一種,制作,微結構可控,電磁特性,制備方法,豐富,符合

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