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【瓷片電容】瓷片電容的讀數方法 瓷片電容有什么作用

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摘要:瓷片電容是一種用陶瓷材料作介質,在陶瓷表面涂覆一層金屬薄膜,再經高溫燒結后作為電極而成的電容器。通常用于高穩定振蕩回路中,作為回路、旁路電容器及墊整電容器。那么,瓷片電容的作用是什么?瓷片電容的讀數方法如何呢?

【瓷片電(dian)容】瓷片電(dian)容的讀數方法 瓷片電(dian)容有什么作(zuo)用

瓷片電容的讀數方法

電容器容量的表示方法

電容器容量的(de)基本單位是“法(fa)(fa)拉”(F),1法(fa)(fa)拉的(de) 1/1000000 (百(bai)萬(wan)分之(zhi)一)是1微(wei)法(fa)(fa)(μF),1微(wei)法(fa)(fa)的(de) 1/1000000是1pF (1微(wei)微(wei)法(fa)(fa)或1皮(pi)法(fa)(fa))。它們之(zhi)間的(de)關系是百(bai)萬(wan)(或稱10的(de)6次(ci)方)進(jin)位關系。

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我們(men)常(chang)用的(de)電容有:

1、電解(jie)電容:多數在(zai)1μF以上,直接用(yong)數字表(biao)示。如:4.7μF、100μF、220μF等等。這種電容的兩極(ji)有正(zheng)負之分,長腳是正(zheng)極(ji)。

2、瓷片電容:多(duo)數(shu)在(zai)1μF以下,直接(jie)用數(shu)字表示。如(ru):10、22、0.047、0.1等等,這里要(yao)注意的(de)是單(dan)(dan)位(wei)。凡用整數(shu)表示的(de),單(dan)(dan)位(wei)默認(ren)pF;凡用小數(shu)表示的(de),單(dan)(dan)位(wei)默認(ren)μF。如(ru)以上(shang)例子中,分別是10P、22P、0.047μF、220μF等。

現在(zai)國際上流行(xing)另(ling)一種(zhong)類(lei)似色環電阻的表示方(fang)法(單位默認pF):

如(ru):“473”即47000pF=0.047μF,“103”即10000pF=0.01μF等(deng)等(deng),“ XXX”第(di)(di)一、二個(ge)(ge)數(shu)(shu)字是有(you)效(xiao)數(shu)(shu)字,第(di)(di)三個(ge)(ge)數(shu)(shu)字代(dai)表后面添加0的個(ge)(ge)數(shu)(shu)。這(zhe)種表示(shi)法已經相當普(pu)遍。

瓷片電容的讀數方法

瓷片電(dian)容的(de)讀數(shu)方法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)和電(dian)阻的(de)讀數(shu)方法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)基(ji)本(ben)相(xiang)同,分(fen)色標(biao)法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)、數(shu)標(biao)法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)和直標(biao)法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)3種。瓷片電(dian)容的(de)基(ji)本(ben)單位用法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)拉(F)表示,其它單位還有:毫(hao)法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)(mF)、微法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)(μF)、納法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)(nF)、皮法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)(pF)。其中:1法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)拉=1000毫(hao)法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)(mF),1毫(hao)法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)=1000微法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)(μF),1微法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)=1000納法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa) (nF),1納法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)=1000皮法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)(pF)。

容量大的瓷片電容其容量值在電容上直(zhi)接標明,如10μF/16V;

容量(liang)(liang)小的瓷片電容其(qi)容量(liang)(liang)值(zhi)在電容上用字(zi)母(mu)表(biao)示或數字(zi)表(biao)示;

字母表示法:2m=2000μF,1P2=1.2PF,2n=2000PF;

數(shu)(shu)(shu)字(zi)(zi)表示(shi)(shi)法(fa):三位(wei)數(shu)(shu)(shu)字(zi)(zi)的(de)(de)(de)表示(shi)(shi)法(fa)也稱(cheng)電容量(liang)的(de)(de)(de)數(shu)(shu)(shu)碼表示(shi)(shi)法(fa)。三位(wei)數(shu)(shu)(shu)字(zi)(zi)的(de)(de)(de)前兩位(wei)數(shu)(shu)(shu)字(zi)(zi)為標稱(cheng)容量(liang)的(de)(de)(de)有(you)效數(shu)(shu)(shu)字(zi)(zi),第三位(wei)數(shu)(shu)(shu)字(zi)(zi)表示(shi)(shi)有(you)效數(shu)(shu)(shu)字(zi)(zi)后(hou)面零的(de)(de)(de)個(ge)數(shu)(shu)(shu),它們的(de)(de)(de)單位(wei)都是pF。

例如:102表示(shi)標稱容量為(wei)1000pF。

211表示(shi)標稱容量為(wei)210pF。

214表示(shi)標(biao)稱容量為21x10(4)pF。

在這(zhe)種表(biao)示法中有一個特(te)殊情況,就(jiu)是當第三位數字用"9"表(biao)示時,是用有效數字乘上10的-1次(ci)方來(lai)表(biao)示容量(liang)大小。例如:219表(biao)示標(biao)稱(cheng)容量(liang)為21x(10-1)pF=2.2pF。

瓷片電容規格有哪些

瓷片電容用高介(jie)電常數的電容(rong)器陶瓷(ci)〈鈦酸鋇一氧(yang)化(hua)鈦〉擠壓成(cheng)圓管、圓片或圓盤作為(wei)介(jie)質,在陶瓷(ci)表面涂覆一層金屬薄膜,并(bing)用燒滲法將(jiang)銀鍍(du)在陶瓷(ci)上作為(wei)電極制成(cheng)的電容(rong)器。

瓷片電容有什么作用

1、容量損耗隨溫度頻率具高穩(wen)定性;

2、特殊(shu)的串(chuan)聯結構適合于高電壓極(ji)長期工作可靠性;

3、高(gao)電流爬升速率并適用(yong)于大電流回(hui)路(lu)(lu)無感型結構。通常用(yong)于高(gao)穩定振蕩回(hui)路(lu)(lu)中,作為回(hui)路(lu)(lu)、旁路(lu)(lu)電容(rong)(rong)器(qi)及墊整(zheng)電容(rong)(rong)器(qi)如(ru)消除高(gao)頻干擾。

瓷片電容器不(bu)宜使用在(zai)脈(mo)沖(chong)電(dian)路中,因(yin)為它們易(yi)于被脈(mo)沖(chong)電(dian)壓擊(ji)穿。

陶瓷(ci)(ci)有I類瓷(ci)(ci),II類瓷(ci)(ci),III類瓷(ci)(ci)之分,I類瓷(ci)(ci),NP0,溫度特(te)性,頻率特(te)性和電(dian)壓特(te)性佳,因(yin)介(jie)(jie)電(dian)常(chang)數不(bu)高,所以容(rong)量做(zuo)不(bu)大(da);II類瓷(ci)(ci),X7R次(ci)之,溫度特(te)性和電(dian)壓特(te)性較好(hao);III類瓷(ci)(ci),介(jie)(jie)電(dian)常(chang)數高,所以容(rong)量可以做(zuo)很大(da),但(dan)溫度特(te)性和電(dian)壓特(te)性不(bu)太好(hao)。瓷(ci)(ci)片電(dian)容(rong)器一般體(ti)積不(bu)大(da)。另(ling)外,再強(qiang)調一個重要(yao)特(te)點:瓷(ci)(ci)介(jie)(jie)電(dian)容(rong)器擊穿后,往(wang)往(wang)呈(cheng)短路狀(zhuang)態。(這是它(ta)的(de)弱(ruo)點)而薄膜電(dian)容(rong)器失效后,一般呈(cheng)開路狀(zhuang)態

瓷片(pian)電(dian)容(rong)規格(ge)Ⅱ類(lei)(lei)瓷也叫做高(gao)介電(dian)常數(shu)(shu)型(High Dielectric Constant Type),是適用於作旁路(lu)、耦合或用在對損耗(hao)和電(dian)容(rong)量穩定性要求不高(gao)的電(dian)路(lu)中的具有高(gao)介電(dian)常數(shu)(shu)的一種電(dian)容(rong)器。該類(lei)(lei)陶(tao)瓷介質是以在類(lei)(lei)別溫度范圍內(nei)電(dian)容(rong)量非線性變化(hua)來表徵(zhi)。其(qi)特性符(fu)合以下標準:

用途:1)旁路和耦(ou)合;2)對Q值和容量(liang)穩定(ding)性要求(qiu)一般的(de)分步電路。

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