SSD固態硬盤的優點

1、SSD不需要機械結構，完全的(de)半(ban)導體化，不存(cun)在(zai)數據(ju)(ju)查找時間、延遲(chi)時間和磁盤(pan)尋道時間，數據(ju)(ju)存(cun)取速度快，讀取數據(ju)(ju)的(de)能力在(zai)400M/s以上(shang)(shang)，最高(gao)的(de)目前(qian)可達(da)500M/s以上(shang)(shang)。

2、SSD全部(bu)采(cai)用閃(shan)存芯片，經久耐用，防(fang)震抗摔，即使發生與硬(ying)物碰撞(zhuang)，數據丟失的可能(neng)性也能(neng)夠(gou)降到(dao)最小。

3、得益于(yu)無機械部件及FLASH閃存(cun)芯片，SSD沒有任何噪音，功(gong)耗低。

4、質量輕，比常(chang)規1.8英寸硬盤(pan)重量輕20-30克，使得便攜設(she)備搭(da)載多(duo)塊SSD成(cheng)為可(ke)能。同時因其完全半導體化，無結(jie)構限制(zhi)，可(ke)根據實際情(qing)況設(she)計成(cheng)各種(zhong)不同接口、形狀的特(te)殊電子硬盤(pan)。

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SSD固態硬盤的缺點

1、固態硬盤成本高

目(mu)前(qian)SSD成本已經(jing)大幅下降。128G SSD已經(jing)在(zai)(zai)1000元級(ji)別(bie)。但是相對機(ji)械硬(ying)盤(pan)，價格(ge)還是很高的~而作為筆記本廠(chang)商(shang)，在(zai)(zai)將固態硬(ying)盤(pan)當(dang)作可選(xuan)配件后，升級(ji)的費用更是要遠(yuan)高于實際成本，這也(ye)就(jiu)導致了配備(bei)傳統硬(ying)盤(pan)筆記本和固態硬(ying)盤(pan)筆記本之間千元的價差。

2、存儲容量有待提高

如(ru)今傳(chuan)統機械式硬(ying)盤憑(ping)借最(zui)(zui)新的(de)(de)(de)(de)垂直記錄(lu)(lu)技(ji)術已經向(xiang)2TB級別邁進，而固態硬(ying)盤的(de)(de)(de)(de)最(zui)(zui)高(gao)(gao)紀(ji)錄(lu)(lu)仍停(ting)留幾(ji)百GB(PQI推出(chu)的(de)(de)(de)(de)2.5英寸SSD產品)左右，由于閃存成本一(yi)直居高(gao)(gao)不下，很少有廠(chang)商涉及這種高(gao)(gao)容量的(de)(de)(de)(de)SSD產品的(de)(de)(de)(de)研(yan)發，即使有相關(guan)的(de)(de)(de)(de)產品出(chu)現(xian)(xian)，離量產還有很長很長的(de)(de)(de)(de)路，現(xian)(xian)階段(duan)可(ke)以買到的(de)(de)(de)(de)固態硬(ying)盤最(zui)(zui)實際的(de)(de)(de)(de)存儲容量只有最(zui)(zui)高(gao)(gao)幾(ji)百GB。但(dan)是價格(ge)高(gao)(gao)昂(ang)。

如何選購SSD固態硬盤

1 、看主控芯片

目前(qian)市面上占有率最(zui)高的(de)(de)SandForce二代主控(kong)，由于它提供(gong)了(le)一(yi)套成熟的(de)(de)主控(kong)方(fang)案(an)(an)。硬盤(pan)廠商只(zhi)需(xu)買來方(fang)案(an)(an)，在加入(ru)自己(ji)的(de)(de)PCB設計、閃存(cun)搭配、固(gu)件算(suan)法就能(neng)制造(zao)出固(gu)態硬盤(pan)。有點類似于谷歌的(de)(de)Android開源(yuan)模式，不(bu)過其弊病(bing)也(ye)是相(xiang)同(tong)的(de)(de)，那就是同(tong)樣的(de)(de)主控(kong)要(yao)兼容(rong)各(ge)種不(bu)同(tong)的(de)(de)芯片、固(gu)件，所(suo)以各(ge)大SandForce主控(kong)的(de)(de)硬盤(pan)產品(pin)性能(neng)也(ye)是參(can)差不(bu)齊的(de)(de)。另外(wai)還(huan)有Marvell主控(kong)和Intel主控(kong)，只(zhi)是產品(pin)較少，但性能(neng)都相(xiang)當給(gei)力。

2 、看閃存顆粒

前固態硬盤采用的閃(shan)存顆(ke)粒(li)有著(zhu)25/34nm制(zhi)程(cheng)、MLC/SLC、同(tong)步(bu)(bu)/異(yi)步(bu)(bu)、ONFI/Toggle Mode等等不同(tong)。不同(tong)閃(shan)存顆(ke)粒(li)數據(ju)傳輸率有著(zhu)很大的差異(yi)，異(yi)步(bu)(bu)ONFI顆(ke)粒(li)只(zhi)有50MT/s（Intel或者Micron早(zao)期顆(ke)粒(li)），同(tong)步(bu)(bu)ONFI 2.x顆(ke)粒(li)則可(ke)以(yi)達(da)到(dao)133MT/s ~ 200MT/s （Intel或者Micron顆(ke)粒(li)），異(yi)步(bu)(bu)Toggly DDR 1.0顆(ke)粒(li)也可(ke)以(yi)達(da)到(dao)133MT/s ~ 200MT/s （TOSHIBA或者Samsung顆(ke)粒(li)）。