SSD固態硬盤的優點
1、SSD不需要機械結構,完(wan)全(quan)的(de)半導體化,不存在數(shu)據(ju)查找時(shi)間、延遲(chi)時(shi)間和(he)磁(ci)盤尋道時(shi)間,數(shu)據(ju)存取(qu)速度快,讀取(qu)數(shu)據(ju)的(de)能力在400M/s以上(shang),最高的(de)目前可(ke)達500M/s以上(shang)。
2、SSD全部采(cai)用閃存芯片,經久耐用,防震抗摔(shuai),即使發(fa)生與硬物(wu)碰(peng)撞(zhuang),數(shu)據丟失的可能(neng)(neng)性也能(neng)(neng)夠降到最小。
3、得益(yi)于無機械部件及(ji)FLASH閃存芯片,SSD沒有任何噪音,功耗低(di)。
4、質量輕(qing),比常(chang)規1.8英寸硬盤重量輕(qing)20-30克,使(shi)得便攜設(she)備(bei)搭載(zai)多塊SSD成為可(ke)能。同時因其完全半導體(ti)化(hua),無結構限制,可(ke)根據實際(ji)情況設(she)計(ji)成各種不同接(jie)口、形狀的特殊電子硬盤。
SSD固態硬盤的缺點
1、固態硬盤成本高
目前SSD成本(ben)已(yi)經大幅下降。128G SSD已(yi)經在1000元級別。但(dan)是相(xiang)對機(ji)械硬(ying)盤(pan),價格還是很高(gao)的(de)~而(er)作(zuo)為筆記(ji)本(ben)廠商(shang),在將固態硬(ying)盤(pan)當作(zuo)可選配(pei)件后,升級的(de)費用更是要(yao)遠高(gao)于實際成本(ben),這(zhe)也就導(dao)致了(le)配(pei)備(bei)傳統硬(ying)盤(pan)筆記(ji)本(ben)和固態硬(ying)盤(pan)筆記(ji)本(ben)之間(jian)千(qian)元的(de)價差。
2、存儲容量有待提高
如(ru)今傳統機械式硬(ying)(ying)盤(pan)憑借最新(xin)的(de)(de)垂直(zhi)記錄技術已經向2TB級別邁進,而固態硬(ying)(ying)盤(pan)的(de)(de)最高紀錄仍停留幾(ji)百GB(PQI推出的(de)(de)2.5英寸SSD產品)左右,由于(yu)閃(shan)存(cun)成本一直(zhi)居高不下(xia),很(hen)少(shao)有(you)(you)(you)廠商涉及這種高容量的(de)(de)SSD產品的(de)(de)研發,即(ji)使(shi)有(you)(you)(you)相(xiang)關的(de)(de)產品出現(xian),離(li)量產還(huan)有(you)(you)(you)很(hen)長很(hen)長的(de)(de)路(lu),現(xian)階段可以買(mai)到的(de)(de)固態硬(ying)(ying)盤(pan)最實際的(de)(de)存(cun)儲容量只有(you)(you)(you)最高幾(ji)百GB。但是價格(ge)高昂。
如何選購SSD固態硬盤
1 、看主控芯片
目前(qian)市(shi)面上占有率最(zui)高的(de)(de)SandForce二代主(zhu)控(kong),由于它提供了一套成熟的(de)(de)主(zhu)控(kong)方案。硬(ying)盤(pan)廠商只需買來方案,在(zai)加(jia)入(ru)自己的(de)(de)PCB設計、閃存搭配、固件(jian)算(suan)法(fa)就能(neng)制造出(chu)固態硬(ying)盤(pan)。有點類(lei)似(si)于谷歌(ge)的(de)(de)Android開源模(mo)式(shi),不(bu)(bu)過其弊病(bing)也是相同(tong)的(de)(de),那就是同(tong)樣的(de)(de)主(zhu)控(kong)要兼容(rong)各(ge)種不(bu)(bu)同(tong)的(de)(de)芯(xin)片(pian)、固件(jian),所以各(ge)大SandForce主(zhu)控(kong)的(de)(de)硬(ying)盤(pan)產品性能(neng)也是參差不(bu)(bu)齊(qi)的(de)(de)。另外還(huan)有Marvell主(zhu)控(kong)和Intel主(zhu)控(kong),只是產品較少,但性能(neng)都(dou)相當給(gei)力(li)。
2 、看閃存顆粒
前固態硬盤采用的閃存(cun)顆粒有(you)著25/34nm制(zhi)程、MLC/SLC、同(tong)步(bu)/異步(bu)、ONFI/Toggle Mode等等不(bu)同(tong)。不(bu)同(tong)閃存(cun)顆粒數據(ju)傳輸率有(you)著很大的差(cha)異,異步(bu)ONFI顆粒只有(you)50MT/s(Intel或(huo)(huo)者(zhe)Micron早期(qi)顆粒),同(tong)步(bu)ONFI 2.x顆粒則可以達(da)到(dao)133MT/s ~ 200MT/s (Intel或(huo)(huo)者(zhe)Micron顆粒),異步(bu)Toggly DDR 1.0顆粒也可以達(da)到(dao)133MT/s ~ 200MT/s (TOSHIBA或(huo)(huo)者(zhe)Samsung顆粒)。
申明:以上內容源于程序系統索引或網民分享提供,僅供您參考使用,不代表本網站的研究觀點,請注意甄別內容來源的真實性和權威性。