1、顯(xian)卡芯片:顯(xian)卡核心型(xing)號(hao)差一(yi)(yi)檔(dang),性能也就(jiu)差了一(yi)(yi)檔(dang),所以可根(gen)據核心型(xing)號(hao)來判(pan)斷(duan)顯(xian)卡的(de)高(gao)低,例如,N卡型(xing)號(hao)的(de)前綴一(yi)(yi)共(gong)有(you)GTX > GTS > GT > GF,其后的(de)兩位(wei)數(shu)或一(yi)(yi)位(wei)數(shu)代(dai)表代(dai)數(shu),再其后兩位(wei)數(shu)越大,表示同代(dai)中的(de)性能就(jiu)越強(qiang),后綴有(you)Ti、SE、M、MX,分(fen)別表示加(jia)強(qiang)版(ban)、閹(yan)割版(ban)、移(yi)動版(ban)、移(yi)動加(jia)強(qiang)版(ban)。
2、流處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)(li)器(qi):流處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)(li)器(qi)是(shi)顯卡(ka)(ka)(ka)(ka)的核心,直接影(ying)響處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)(li)能(neng)力(li)(li),對于(yu)N卡(ka)(ka)(ka)(ka)和(he)(he)A卡(ka)(ka)(ka)(ka)來(lai)說,流處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)(li)單(dan)元(yuan)個(ge)數越多則(ze)處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)(li)能(neng)力(li)(li)越強(qiang)。N卡(ka)(ka)(ka)(ka)和(he)(he)A卡(ka)(ka)(ka)(ka)的流處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)(li)單(dan)元(yuan)可采取近似比(bi)較,N卡(ka)(ka)(ka)(ka)的1個(ge)流處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)(li)單(dan)元(yuan)相(xiang)當于(yu)AMD的5個(ge)流處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)(li)單(dan)元(yuan)。
3、顯存(cun)位(wei)(wei)寬(kuan)(kuan):顯存(cun)位(wei)(wei)寬(kuan)(kuan)表示一個(ge)時鐘(zhong)周期(qi)內所能傳送數據的位(wei)(wei)數,位(wei)(wei)數越大則傳輸量越大,常見(jian)的有64位(wei)(wei)、128位(wei)(wei)和256位(wei)(wei)顯卡。在顯存(cun)頻(pin)率相(xiang)當(dang)情況下,顯存(cun)位(wei)(wei)寬(kuan)(kuan)決定著帶寬(kuan)(kuan)的大小。
4、顯存類(lei)型:顯存類(lei)型主(zhu)要(yao)有(you)SDRAM,DDR SDRAM,DDR SGRAM三種,SDRAM顆粒(li)主(zhu)要(yao)應用(yong)在低端顯卡上,頻率(lv)一般(ban)不超(chao)過200MHz;DDR SDRAM是(shi)主(zhu)流(liu);DDR SGRAM適合繪圖專用(yong)。
5、散(san)熱設計(ji):散(san)熱系統的好壞直接(jie)決定了(le)性(xing)能發揮的穩定性(xing),被動式噪音(yin)低,適合(he)低頻率(lv)(lv)顯(xian)(xian)卡(ka);主動式有(you)散(san)熱片和(he)風(feng)扇,適合(he)高頻率(lv)(lv)顯(xian)(xian)卡(ka);導流(liu)式適合(he)高檔(dang)游戲顯(xian)(xian)卡(ka)。