SSD固態硬盤的優點

1、SSD不(bu)需要機(ji)械結構，完(wan)全的半導體(ti)化(hua)，不(bu)存在(zai)數據查找時間、延遲時間和磁盤(pan)尋道時間，數據存取速(su)度快，讀取數據的能力(li)在(zai)400M/s以上(shang)，最(zui)高的目前(qian)可(ke)達500M/s以上(shang)。

2、SSD全部(bu)采用閃(shan)存芯片，經久耐(nai)用，防震(zhen)抗摔，即使發生(sheng)與硬物碰撞，數據丟失的可能性也(ye)能夠降到最小。

3、得益于無機(ji)械部件及FLASH閃存芯片(pian)，SSD沒有(you)任(ren)何噪音，功耗低。

4、質量輕，比常規(gui)1.8英寸硬盤(pan)(pan)重(zhong)量輕20-30克，使得便攜設(she)備搭(da)載多塊SSD成(cheng)為可能。同時因其完全半導體化，無結構限制，可根據實際(ji)情況設(she)計(ji)成(cheng)各種不同接口(kou)、形狀的特殊電子硬盤(pan)(pan)。

SSD固態硬盤的缺點

1、固態硬盤成本高

目前SSD成本(ben)(ben)已(yi)經(jing)大(da)幅下降。128G SSD已(yi)經(jing)在(zai)1000元級別。但是相對機械硬盤(pan)，價格還是很高的~而作(zuo)為筆記(ji)(ji)本(ben)(ben)廠(chang)商，在(zai)將固(gu)(gu)態硬盤(pan)當作(zuo)可選配件(jian)后，升級的費用更(geng)是要遠高于實際成本(ben)(ben)，這也就導致了配備(bei)傳統硬盤(pan)筆記(ji)(ji)本(ben)(ben)和(he)固(gu)(gu)態硬盤(pan)筆記(ji)(ji)本(ben)(ben)之間千元的價差。

2、存儲容量有待提高

如今(jin)傳統機械式硬盤憑借最(zui)新的(de)(de)垂直(zhi)記(ji)錄(lu)技術已經向2TB級別邁進，而固(gu)態(tai)硬盤的(de)(de)最(zui)高(gao)紀錄(lu)仍(reng)停留幾(ji)百GB(PQI推出的(de)(de)2.5英寸SSD產(chan)品)左(zuo)右(you)，由于閃存成(cheng)本一(yi)直(zhi)居高(gao)不(bu)下，很(hen)少有廠商涉及這(zhe)種(zhong)高(gao)容(rong)量(liang)(liang)的(de)(de)SSD產(chan)品的(de)(de)研(yan)發，即使有相關的(de)(de)產(chan)品出現，離(li)量(liang)(liang)產(chan)還有很(hen)長很(hen)長的(de)(de)路，現階段(duan)可以買(mai)到的(de)(de)固(gu)態(tai)硬盤最(zui)實際的(de)(de)存儲(chu)容(rong)量(liang)(liang)只有最(zui)高(gao)幾(ji)百GB。但(dan)是價格高(gao)昂。

如何選購SSD固態硬盤

1 、看主控芯片

目前(qian)市面上占有率最高的(de)(de)SandForce二代主(zhu)(zhu)控，由于它提供了一套成熟的(de)(de)主(zhu)(zhu)控方案。硬盤廠(chang)商只需買來方案，在加入自己的(de)(de)PCB設計(ji)、閃存搭配(pei)、固(gu)件(jian)算法就能制造出固(gu)態硬盤。有點類似于谷(gu)歌的(de)(de)Android開源(yuan)模式(shi)，不(bu)過其弊病也是(shi)相同的(de)(de)，那就是(shi)同樣的(de)(de)主(zhu)(zhu)控要兼容各(ge)種不(bu)同的(de)(de)芯片、固(gu)件(jian)，所(suo)以各(ge)大SandForce主(zhu)(zhu)控的(de)(de)硬盤產品(pin)性能也是(shi)參(can)差不(bu)齊的(de)(de)。另外還有Marvell主(zhu)(zhu)控和(he)Intel主(zhu)(zhu)控，只是(shi)產品(pin)較少，但性能都(dou)相當給力。

2 、看閃存顆粒

前固態硬盤采用的(de)閃(shan)存顆(ke)(ke)粒(li)有(you)著(zhu)25/34nm制程、MLC/SLC、同步(bu)(bu)/異(yi)步(bu)(bu)、ONFI/Toggle Mode等(deng)等(deng)不同。不同閃(shan)存顆(ke)(ke)粒(li)數(shu)據傳輸率有(you)著(zhu)很大的(de)差異(yi)，異(yi)步(bu)(bu)ONFI顆(ke)(ke)粒(li)只有(you)50MT/s（Intel或者Micron早(zao)期(qi)顆(ke)(ke)粒(li)），同步(bu)(bu)ONFI 2.x顆(ke)(ke)粒(li)則可以(yi)達到133MT/s ~ 200MT/s （Intel或者Micron顆(ke)(ke)粒(li)），異(yi)步(bu)(bu)Toggly DDR 1.0顆(ke)(ke)粒(li)也可以(yi)達到133MT/s ~ 200MT/s （TOSHIBA或者Samsung顆(ke)(ke)粒(li)）。

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