晶湛半(ban)導體由業(ye)(ye)界公(gong)認的(de)硅(gui)基氮(dan)化(hua)鎵(jia)(jia)(GaN-on-Si)外(wai)延(yan)技(ji)術的(de)開拓者程凱博士于2012年回國(guo)創辦,坐落于蘇州市工業(ye)(ye)園區,擁有國(guo)際(ji)先進(jin)的(de)氮(dan)化(hua)鎵(jia)(jia)外(wai)延(yan)材(cai)料研發和產業(ye)(ye)化(hua)基地,致(zhi)力(li)(li)于為(wei)電力(li)(li)電子以及微(wei)顯示等領域提供高品質氮(dan)化(hua)鎵(jia)(jia)外(wai)延(yan)材(cai)料解決方(fang)案,也是目前國(guo)際(ji)上可供應300mm硅(gui)基氮(dan)化(hua)鎵(jia)(jia)外(wai)延(yan)產品的(de)廠(chang)商(shang),技(ji)術實(shi)力(li)(li)處于國(guo)際(ji)地位。
2014年(nian)底,晶(jing)湛半(ban)(ban)導體(ti)就(jiu)率先在全球(qiu)首(shou)次發(fa)布商用8英(ying)寸硅基氮(dan)化(hua)(hua)(hua)鎵(jia)外(wai)延(yan)片產(chan)品,經有關下游客(ke)戶(hu)驗證(zheng),該材料具備技術指(zhi)標和(he)卓越的性能,填補了(le)國(guo)(guo)內氮(dan)化(hua)(hua)(hua)鎵(jia)產(chan)業(ye)的空(kong)白。2021年(nian)9月(yue),晶(jing)湛半(ban)(ban)導體(ti)又成功全球(qiu)12英(ying)寸硅基電力電子(zi)氮(dan)化(hua)(hua)(hua)鎵(jia)外(wai)延(yan)片,贏(ying)得了(le)業(ye)內廣(guang)泛關注(zhu)。經過(guo)多(duo)年(nian)的專注(zhu)發(fa)展,晶(jing)湛半(ban)(ban)導體(ti)已(yi)經成為國(guo)(guo)內GaN材料研(yan)發(fa)和(he)產(chan)業(ye)化(hua)(hua)(hua)的領軍企(qi)業(ye),通過(guo)與全球(qiu)數百家(jia)知名半(ban)(ban)導體(ti)科技企(qi)業(ye)、高校科研(yan)院所客(ke)戶(hu)建立廣(guang)泛深(shen)入的合(he)作,多(duo)次在行業(ye)期刊NatureElectronics,IEEEElectronDeviceLetters,及國(guo)(guo)際會議(yi)IEDM等發(fa)布相(xiang)關創新成果,引起國(guo)(guo)際半(ban)(ban)導體(ti)界的廣(guang)泛關注(zhu)和(he)一致(zhi)好評。
晶湛半導(dao)體高度(du)重(zhong)視自主研(yan)發和核心(xin)知識產權(quan)工作(zuo),在(zai)(zai)氮化(hua)鎵外延領域已(yi)掌握多項核心(xin)技術,擁有獨立(li)的自主知識產權(quan),晶湛半導(dao)體目(mu)前已(yi)在(zai)(zai)國內外累(lei)計申(shen)請超(chao)500項專利,其中已(yi)獲得超(chao)140項專利授權(quan)。