晶(jing)湛半導體由業(ye)界公認的(de)硅基(ji)(ji)氮(dan)(dan)(dan)化鎵(GaN-on-Si)外延(yan)技術(shu)的(de)開拓者程凱博士于2012年回國(guo)創辦,坐落(luo)于蘇(su)州市工業(ye)園區(qu),擁有國(guo)際(ji)先進(jin)的(de)氮(dan)(dan)(dan)化鎵外延(yan)材料研發(fa)和產業(ye)化基(ji)(ji)地,致力于為電力電子以及微顯示等領域提供高品質氮(dan)(dan)(dan)化鎵外延(yan)材料解決方(fang)案,也(ye)是(shi)目前國(guo)際(ji)上可供應300mm硅基(ji)(ji)氮(dan)(dan)(dan)化鎵外延(yan)產品的(de)廠(chang)商,技術(shu)實(shi)力處(chu)于國(guo)際(ji)地位。
2014年底,晶湛半(ban)導(dao)(dao)體(ti)就率(lv)先在(zai)全球(qiu)首次發布(bu)商用8英寸硅基氮化(hua)(hua)鎵(jia)外延片產品,經有關下游客(ke)戶驗證(zheng),該材(cai)料具備(bei)技(ji)術指標和(he)卓越的性能(neng),填補(bu)了國內(nei)氮化(hua)(hua)鎵(jia)產業的空(kong)白。2021年9月,晶湛半(ban)導(dao)(dao)體(ti)又成(cheng)(cheng)功全球(qiu)12英寸硅基電(dian)力電(dian)子氮化(hua)(hua)鎵(jia)外延片,贏得了業內(nei)廣(guang)泛(fan)關注。經過多(duo)年的專(zhuan)注發展(zhan),晶湛半(ban)導(dao)(dao)體(ti)已(yi)經成(cheng)(cheng)為國內(nei)GaN材(cai)料研發和(he)產業化(hua)(hua)的領軍企業,通過與(yu)全球(qiu)數百(bai)家(jia)知名半(ban)導(dao)(dao)體(ti)科(ke)技(ji)企業、高校科(ke)研院所客(ke)戶建立廣(guang)泛(fan)深入的合(he)作,多(duo)次在(zai)行業期刊NatureElectronics,IEEEElectronDeviceLetters,及國際(ji)(ji)會議IEDM等發布(bu)相關創新成(cheng)(cheng)果,引起國際(ji)(ji)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)界的廣(guang)泛(fan)關注和(he)一(yi)致好評(ping)。
晶(jing)湛半導體高度重視自主研發(fa)和核(he)心知識(shi)產權(quan)工作,在(zai)氮化鎵(jia)外延領域已(yi)掌握多項核(he)心技術,擁(yong)有獨立的自主知識(shi)產權(quan),晶(jing)湛半導體目前已(yi)在(zai)國內外累計申(shen)請超500項專利(li),其(qi)中已(yi)獲得超140項專利(li)授權(quan)。