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人物簡介

林蘭英（1918年2月7日—2003年3月4日），女，福建莆田人，半導體材料科學家(jia)，中(zhong)國科學院(yuan)學部委(wei)員，中(zhong)國科學院(yuan)半導體研究所研究員、博士(shi)生導師(shi)。

林(lin)蘭英(ying)于1940年(nian)從福建協(xie)和大(da)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)畢業后(hou)(hou)留校任(ren)教(jiao)；1948年(nian)赴美留學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)，進(jin)(jin)入(ru)賓夕(xi)法尼(ni)亞州迪(di)金森學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)院(yuan)(yuan)數(shu)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)系學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)習；1949年(nian)獲(huo)得(de)迪(di)金森學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)院(yuan)(yuan)數(shu)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)士學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)位(wei)，同年(nian)進(jin)(jin)入(ru)賓夕(xi)法尼(ni)亞大(da)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)研(yan)(yan)(yan)究(jiu)(jiu)(jiu)生(sheng)院(yuan)(yuan)進(jin)(jin)行(xing)固體(ti)物理的研(yan)(yan)(yan)究(jiu)(jiu)(jiu)，先后(hou)(hou)獲(huo)得(de)碩士、博(bo)士學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)位(wei)；1955年(nian)博(bo)士畢業后(hou)(hou)進(jin)(jin)入(ru)紐約(yue)長島的索菲尼(ni)亞公司擔任(ren)高級工(gong)程(cheng)師(shi)進(jin)(jin)行(xing)半導(dao)(dao)(dao)體(ti)研(yan)(yan)(yan)究(jiu)(jiu)(jiu)；1957年(nian)1月回到中(zhong)(zhong)國，并(bing)進(jin)(jin)入(ru)中(zhong)(zhong)國科學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)院(yuan)(yuan)物理研(yan)(yan)(yan)究(jiu)(jiu)(jiu)所工(gong)作；1960年(nian)中(zhong)(zhong)國科學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)院(yuan)(yuan)半導(dao)(dao)(dao)體(ti)研(yan)(yan)(yan)究(jiu)(jiu)(jiu)所成立后(hou)(hou)，林(lin)蘭英(ying)擔任(ren)該所研(yan)(yan)(yan)究(jiu)(jiu)(jiu)員(yuan)；1977年(nian)至(zhi)1983年(nian)擔任(ren)中(zhong)(zhong)國科學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)院(yuan)(yuan)半導(dao)(dao)(dao)體(ti)研(yan)(yan)(yan)究(jiu)(jiu)(jiu)所副所長；1980年(nian)當(dang)選為中(zhong)(zhong)國科學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)院(yuan)(yuan)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)部(bu)委員(yuan)（院(yuan)(yuan)士）；2003年(nian)3月4日(ri)在北京(jing)逝世，享年(nian)85歲。

林蘭英(ying)主要從事半導體材(cai)料制備及(ji)物理的(de)研究。在鍺單晶、硅單晶、砷化(hua)鎵(jia)單晶和(he)(he)高純銻(ti)化(hua)銦(yin)單晶的(de)制備及(ji)性質等(deng)研究方(fang)面獲得成果，其中(zhong)砷化(hua)鎵(jia)氣相和(he)(he)液相外延單晶的(de)純度及(ji)電(dian)子(zi)遷移率，均達(da)到國際先進水(shui)平(ping)。

主要經歷

1918年(nian)2月7日(ri)（農(nong)歷丁巳年(nian)十(shi)二月二十(shi)六(liu)日(ri)），林蘭(lan)英出生于福建莆田縣。幼年(nian)為了(le)上(shang)學(xue)，經過一番絕食(shi)斗爭，家人同(tong)意林蘭(lan)英上(shang)了(le)礪(li)(li)青小(xiao)學(xue)，林蘭(lan)英在(zai)礪(li)(li)青小(xiao)學(xue)的(de)成績始終在(zai)有(you)著(zhu)40多名男(nan)女學(xue)生的(de)班中(zhong)占居前兩名，校長彭介(jie)之決定保送她進入礪(li)(li)青中(zhong)學(xue)。

1930年(nian)9月(yue)，進入(ru)礪(li)青中(zhong)學初(chu)中(zhong)部一(yi)年(nian)級，初(chu)中(zhong)六(liu)個(ge)學期(qi)她都保持全年(nian)級第一(yi)。

1933年(nian)9月，進入(ru)莆田(tian)(tian)中(zhong)(zhong)(zhong)學(xue)高中(zhong)(zhong)(zhong)部(bu)一(yi)(yi)年(nian)級(ji)，成了當時高一(yi)(yi)年(nian)級(ji)唯(wei)一(yi)(yi)的(de)(de)一(yi)(yi)名(ming)女生，后來由于莆田(tian)(tian)中(zhong)(zhong)(zhong)學(xue)搞起了學(xue)生運動，林蘭英(ying)對(dui)運動本無興趣，轉學(xue)至莆田(tian)(tian)縣(xian)惟(wei)一(yi)(yi)的(de)(de)一(yi)(yi)所教會(hui)女子(zi)中(zhong)(zhong)(zhong)學(xue)———咸益中(zhong)(zhong)(zhong)學(xue)就讀。

1936年(nian)，考入福建協和(he)大(da)學(xue)(xue)（現福建師范大(da)學(xue)(xue)）物理系。

1940年，從福建協和大(da)學畢業后(hou)作為優(you)秀生(sheng)留校任助(zhu)教(jiao)。

1944年，擔(dan)任福建協和大學講師。

1947年5月，福建(jian)協和大(da)學與美國賓(bin)夕法尼(ni)亞州的(de)迪金森學院建(jian)立(li)互換留學生的(de)關系。

1948年8月9日，遠涉重洋到美國(guo)留學(xue)(xue)(xue)，進入國(guo)賓夕法尼亞州(zhou)的(de)迪金森(sen)學(xue)(xue)(xue)院(yuan)數學(xue)(xue)(xue)系學(xue)(xue)(xue)習。

1949年(nian)，獲得迪(di)金森(sen)學(xue)(xue)院數學(xue)(xue)學(xue)(xue)士學(xue)(xue)位，同(tong)(tong)時獲得美(mei)國大學(xue)(xue)榮(rong)譽學(xue)(xue)會(hui)迪(di)金森(sen)分會(hui)獎勵(li)她的(de)(de)一(yi)枚金鑰(yao)匙；同(tong)(tong)年(nian)深(shen)秋，進入賓夕法尼(ni)亞大學(xue)(xue)研(yan)究生院，開始了固(gu)體物理的(de)(de)研(yan)究。

1951年(nian)，獲得(de)賓(bin)夕法尼亞大學固體物理學碩(shuo)士學位，之(zhi)后繼續攻讀博士學位，師從米勒教授。

1955年(nian)6月，憑(ping)借博(bo)士(shi)論文(wen)《弱X射線(xian)輻(fu)照引起氯(lv)化(hua)鉀和(he)氯(lv)化(hua)鈉(na)晶體的(de)(de)(de)(de)膨脹》獲得賓(bin)夕法尼亞(ya)大學固體物理學博(bo)士(shi)學位，是(shi)該校(xiao)建校(xiao)215年(nian)以(yi)來，第(di)一位獲得博(bo)士(shi)學位的(de)(de)(de)(de)中國人，也是(shi)該校(xiao)有史以(yi)來的(de)(de)(de)(de)第(di)一位女(nv)博(bo)士(shi)。博(bo)士(shi)畢業(ye)后，導(dao)師推薦她去(qu)紐(niu)約長島專司(si)半導(dao)體研(yan)(yan)究的(de)(de)(de)(de)索(suo)菲(fei)(fei)尼亞(ya)公(gong)司(si)任(ren)高級工程師。之后，她被聘為從事(shi)半導(dao)體科研(yan)(yan)工作(zuo)的(de)(de)(de)(de)索(suo)菲(fei)(fei)尼亞(ya)公(gong)司(si)（Sylvania公(gong)司(si)）高級工程師，靠(kao)林蘭(lan)(lan)英(ying)杰出的(de)(de)(de)(de)科學分析(xi)指(zhi)導(dao)，公(gong)司(si)成(cheng)功地造出了第(di)一根硅單晶，不久，又為公(gong)司(si)申報了兩項專利，公(gong)司(si)三次提高她的(de)(de)(de)(de)年(nian)薪。林蘭(lan)(lan)英(ying)回國時(shi)索(suo)菲(fei)(fei)尼亞(ya)公(gong)司(si)給(gei)她年(nian)薪10000美元，回國后每月207元人民幣。

1956年6月，林蘭英以“母親重病”為由，向印度(du)駐美國(guo)大使館(guan)提交回(hui)國(guo)申請(qing)，9月使館(guan)通知她填寫有關回(hui)國(guo)事宜的(de)表格。

1957年1月29日，幾經(jing)周(zhou)折抗(kang)爭，林蘭英(ying)乘坐的客輪安(an)抵(di)香港(gang)，在國務院辦公廳周(zhou)密安(an)排下，她走上了(le)深圳羅湖橋頭，回到了(le)中(zhong)國，之后(hou)由大(da)弟(di)林文豪送她經(jing)上海去北京，進入中(zhong)國科學(xue)院物理研究所(suo)工作，歷任研究員，副所(suo)長。

1960年，擔任(ren)中國科(ke)學院半導體研究所研究員(yuan)。

1966年，“文革”開(kai)始那年，她還與中(zhong)國第一(yi)位女院(yuan)士林巧稚一(yi)同登上天安(an)門城(cheng)樓，事后(hou)便(bian)跌于(yu)“文革”的(de)沼澤(ze)中(zhong)。

1977年(nian)—1983年(nian)，擔任中國(guo)科學院半導(dao)體研(yan)究所(suo)副所(suo)長。

1980年，當選為中(zhong)國科學院(yuan)學部委員(yuan)（院(yuan)士）。

2003年3月4日(ri)，在北京因(yin)病醫治無效逝世，享年85歲。

貢獻影響

科研成就

科研綜述

林蘭(lan)英先(xian)后負責研(yan)制(zhi)(zhi)成(cheng)中國(guo)第一(yi)根硅(gui)、銻化銦、砷(shen)化鎵、磷化鎵等(deng)單晶，為中國(guo)微(wei)電子和光電子學的(de)(de)發(fa)展奠定(ding)了基(ji)礎，負責研(yan)制(zhi)(zhi)的(de)(de)高純度汽(qi)相和液相外延材(cai)料達到(dao)國(guo)際先(xian)水平。開創(chuang)了中國(guo)微(wei)重力半導體材(cai)料科學研(yan)究新(xin)領域(yu)，并在砷(shen)化鎵晶體太空生長和性質研(yan)究方(fang)面取得了一(yi)定(ding)的(de)(de)成(cheng)績。

1958年秋(qiu)天，林(lin)蘭(lan)英(ying)(ying)(ying)研(yan)發(fa)出中國第(di)一(yi)(yi)根硅(gui)單(dan)(dan)晶，為制造出無位(wei)(wei)錯(cuo)硅(gui)單(dan)(dan)晶，林(lin)蘭(lan)英(ying)(ying)(ying)又投入研(yan)發(fa)硅(gui)單(dan)(dan)晶爐(lu)(lu)。她仔細(xi)考察(cha)、分析了蘇聯封閉(bi)式硅(gui)單(dan)(dan)晶爐(lu)(lu)，發(fa)現了不(bu)足，開始(shi)研(yan)究設(she)計中國式硅(gui)單(dan)(dan)晶爐(lu)(lu)。1961年的(de)(de)深(shen)秋(qiu)，由林(lin)蘭(lan)英(ying)(ying)(ying)主持設(she)計加工的(de)(de)中國第(di)一(yi)(yi)臺開門式硅(gui)單(dan)(dan)晶爐(lu)(lu)制造成功。1962年春，林(lin)蘭(lan)英(ying)(ying)(ying)依(yi)靠(kao)國產第(di)一(yi)(yi)臺開門式硅(gui)單(dan)(dan)晶爐(lu)(lu)，正式啟動(dong)拉制工作。中國第(di)一(yi)(yi)根無位(wei)(wei)錯(cuo)的(de)(de)硅(gui)單(dan)(dan)晶拉制成功，無位(wei)(wei)錯(cuo)達國際先進水平。

科研成果獎勵

根(gen)據2021年6月《莆田(tian)僑鄉時報》顯示，林蘭英(ying)先(xian)后四(si)次獲得中(zhong)國(guo)科(ke)學院科(ke)技進(jin)步獎(jiang)一等(deng)獎(jiang)，兩次獲國(guo)家科(ke)技進(jin)步二(er)、三等(deng)獎(jiang)。

時(shi)間 項目名(ming)稱 獎勵名(ming)稱

1981年 4K和16K硅DRAM及提高成品率研究 中國科學院科學技術進步獎一等(deng)獎

1985年 提高砷(shen)化鎵材料質量的研究 國家科學技術進步獎二等獎（排名第一）

1986年(nian) 高(gao)壓液封(feng)法生長熱穩定不摻雜半絕緣GaAs 中(zhong)國(guo)科(ke)(ke)學(xue)院科(ke)(ke)學(xue)技術進(jin)步獎(jiang)三等獎(jiang)（排名第一）

1989年 微重力(li)條件下從溶體(ti)生長GaAs單(dan)晶及性質研(yan)究 中國科學(xue)院科學(xue)技術進步獎一(yi)等(deng)獎（排名第一(yi)）

1990年 等電子雜質In在GaAs中行為的研究 中國科學(xue)院科學(xue)技術進(jin)步(bu)獎(jiang)三等獎(jiang)（排名(ming)第一）

1991年 集(ji)成電路用半絕緣砷化(hua)鎵(jia)熱穩定性和均勻(yun)性研究 中國科學院科學技(ji)術進步獎三等獎（排名(ming)第一(yi)）

1995年 高質量GaAs/AlGaAs二維(wei)電子氣(qi)材料研(yan)制及其器件應用 中(zhong)國科(ke)學院(yuan)科(ke)學技術進步獎(jiang)二等獎(jiang)（排(pai)名第六）

1996年 ф2”和ф3”非(fei)摻Si-GaAs單晶（片）研究(jiu) 中國科(ke)學院科(ke)學技術進步獎(jiang)二等獎(jiang)（排名第一）

人才培養

講授課程

1940年，林蘭英從福建協和(he)大(da)學畢(bi)業后作為優秀生留校任助(zhu)教，教授《普(pu)通物(wu)理學》《高(gao)等(deng)數(shu)學》《光學》《物(wu)性聲學》《電磁學》等(deng)課程。

獲獎記錄

時間 榮譽表(biao)彰(zhang) 授予單位

1980年 中國(guo)科(ke)學院(yuan)學部委員（院(yuan)士） 中華人民共(gong)和(he)國(guo)國(guo)務院(yuan)

1996年 何(he)梁何(he)利(li)基(ji)金科(ke)學(xue)與技術進步獎(jiang) 何(he)梁何(he)利(li)基(ji)金

1998年 霍(huo)英東成就獎

人物評價

林蘭英是中國半導體科學事業開拓者之一。（中國科學院學部與院士評）

林(lin)蘭英從事半(ban)導體材料(liao)科學40年，是(shi)中國半(ban)導體材料(liao)科學的奠基(ji)人，對(dui)中國半(ban)導體材料(liao)科學的發展作出了重大貢獻(xian)。（何梁(liang)何利基(ji)金評）

林蘭(lan)英(ying)的(de)工作極大地推(tui)進了中國(guo)半導體材料的(de)研究高度，為(wei)微(wei)電(dian)子和光電(dian)子學(xue)的(de)發展奠(dian)定了基(ji)礎，為(wei)中國(guo)太空(kong)事業(ye)做出巨大貢獻。（《莆(pu)田僑鄉時報》評）

林(lin)蘭英(ying)是(shi)中國(guo)半導體材(cai)料(liao)科技最(zui)著(zhu)名(ming)的(de)開拓者，她帶動(dong)同(tong)事一(yi)起創造了多個“新中國(guo)的(de)第一(yi)”，受到全世界科學(xue)家關注(zhu)，被譽為(wei)“中國(guo)太空材(cai)料(liao)之(zhi)母”。（新浪新聞評）

其他信息

社會任職

時間 擔任職務

1975年—1993年 中華人民共和國第四、五、六(liu)、七屆全國人民代(dai)(dai)表大(da)會代(dai)(dai)表

1978年—1985年 中國(guo)電子材料行(xing)業協會(hui)主任委(wei)員

1980年—1996年 中(zhong)國科(ke)學(xue)技(ji)術(shu)協會副主席（第二(er)至四屆）

1986年 國家自然科學(xue)基金(jin)委(wei)員會委(wei)員

個人生活

家世背景

林(lin)蘭英(ying)(ying)的(de)祖(zu)先(xian)林(lin)潤(run)（1530-1569）是明朝(chao)嘉(jia)靖年(nian)間的(de)御(yu)史大夫。因扳倒當(dang)朝(chao)丞相奸臣(chen)嚴(yan)嵩父(fu)子而名(ming)震朝(chao)野。林(lin)蘭英(ying)(ying)的(de)祖(zu)父(fu)經商有成，父(fu)親(qin)大學畢(bi)業后在(zai)外地工作，母親(qin)在(zai)家主持(chi)家政。

后世紀念

林蘭英故居

2002年，因莆(pu)(pu)田(tian)舊城(cheng)改造，林(lin)潤故(gu)(gu)(gu)居(ju)原樣遷移到莆(pu)(pu)田(tian)城(cheng)南(nan)鄉溝(gou)頭村的(de)莆(pu)(pu)田(tian)一(yi)中新校區內，內含林(lin)潤的(de)后裔(yi)、林(lin)蘭英院(yuan)士故(gu)(gu)(gu)居(ju)。林(lin)蘭英去世(shi)后，骨(gu)灰從北京運至林(lin)潤故(gu)(gu)(gu)居(ju)內埋葬并建立林(lin)蘭英陵園。故(gu)(gu)(gu)居(ju)的(de)廳堂豎立林(lin)蘭英塑(su)像。林(lin)蘭英在北京的(de)住宅(zhai)和(he)辦公室中的(de)所(suo)有書籍和(he)家具也運回莆(pu)(pu)田(tian)故(gu)(gu)(gu)居(ju)，陳列在林(lin)潤故(gu)(gu)(gu)居(ju)內。

林蘭英院士塑像

2004年12月(yue)，林(lin)蘭(lan)英院士(shi)塑像揭(jie)幕(mu)儀式在莆(pu)田第(di)一中(zhong)學(xue)舉行，中(zhong)國(guo)科(ke)學(xue)院半導(dao)體研(yan)究所(suo)所(suo)長李晉閩及(ji)莆(pu)田市有關(guan)領導(dao)、部分(fen)科(ke)技專家、教師和學(xue)生共數(shu)千人參加了(le)揭(jie)幕(mu)儀式。

林蘭英院士紀念文集

2013年(nian)，在林蘭英院士(shi)逝(shi)世十周年(nian)之際(ji)，為(wei)表達對她的思(si)念(nian)之情和敬仰之意，學(xue)習(xi)老(lao)一輩科(ke)學(xue)家的高(gao)尚品德(de)和創(chuang)新精(jing)神，中國科(ke)學(xue)院半導體研究(jiu)所特編輯制作了《林蘭英院士(shi)紀(ji)念(nian)文集》。

紀念(nian)林蘭(lan)英(ying)院士逝世(shi)十周年座談會

2013年(nian)3月4日(ri)，在(zai)林蘭英院(yuan)士逝(shi)世10周(zhou)(zhou)年(nian)之際，為了弘揚她(ta)的愛國(guo)精神(shen)、回顧(gu)她(ta)的杰(jie)出(chu)成就(jiu)、秉承她(ta)的科學(xue)(xue)思想，在(zai)中(zhong)國(guo)科學(xue)(xue)院(yuan)半導體研究所(suo)學(xue)(xue)術(shu)會議中(zhong)心召開紀念林蘭英院(yuan)士逝(shi)世十周(zhou)(zhou)年(nian)座(zuo)談會。