林蘭(lan)英(1918年(nian)2月(yue)7日(ri)(ri)—2003年(nian)3月(yue)4日(ri)(ri)),女,福建莆田(tian)人,半(ban)導體(ti)材料科(ke)學家(jia),中(zhong)國科(ke)學院學部委員,中(zhong)國科(ke)學院半(ban)導體(ti)研究所研究員、博士生導師(shi)。
林(lin)蘭英于(yu)1940年(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)從福建協和大學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)畢業后留校任(ren)教;1948年(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)赴美(mei)留學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue),進(jin)(jin)入賓(bin)夕法(fa)尼(ni)亞(ya)州迪(di)金森學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)院(yuan)(yuan)(yuan)數學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)系學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)習;1949年(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)獲(huo)得迪(di)金森學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)院(yuan)(yuan)(yuan)數學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)士學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)位(wei)(wei),同年(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)進(jin)(jin)入賓(bin)夕法(fa)尼(ni)亞(ya)大學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)研(yan)(yan)究(jiu)(jiu)生院(yuan)(yuan)(yuan)進(jin)(jin)行固體(ti)(ti)物理的研(yan)(yan)究(jiu)(jiu),先(xian)后獲(huo)得碩士、博(bo)士學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)位(wei)(wei);1955年(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)博(bo)士畢業后進(jin)(jin)入紐(niu)約長(chang)島的索菲尼(ni)亞(ya)公司擔(dan)(dan)任(ren)高級工(gong)程師進(jin)(jin)行半(ban)導體(ti)(ti)研(yan)(yan)究(jiu)(jiu);1957年(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)1月(yue)回到中國(guo),并進(jin)(jin)入中國(guo)科(ke)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)院(yuan)(yuan)(yuan)物理研(yan)(yan)究(jiu)(jiu)所工(gong)作;1960年(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)中國(guo)科(ke)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)院(yuan)(yuan)(yuan)半(ban)導體(ti)(ti)研(yan)(yan)究(jiu)(jiu)所成立后,林(lin)蘭英擔(dan)(dan)任(ren)該(gai)所研(yan)(yan)究(jiu)(jiu)員;1977年(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)至(zhi)1983年(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)擔(dan)(dan)任(ren)中國(guo)科(ke)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)院(yuan)(yuan)(yuan)半(ban)導體(ti)(ti)研(yan)(yan)究(jiu)(jiu)所副所長(chang);1980年(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)當選為中國(guo)科(ke)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)院(yuan)(yuan)(yuan)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)部委員(院(yuan)(yuan)(yuan)士);2003年(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)3月(yue)4日(ri)在北京逝(shi)世,享年(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)85歲(sui)。
林蘭英主要從事半導體(ti)材(cai)料制備(bei)及物理的研究。在鍺單(dan)(dan)(dan)晶、硅單(dan)(dan)(dan)晶、砷(shen)化(hua)(hua)鎵單(dan)(dan)(dan)晶和高純(chun)銻化(hua)(hua)銦單(dan)(dan)(dan)晶的制備(bei)及性質等研究方面獲得成果(guo),其中砷(shen)化(hua)(hua)鎵氣相和液相外延單(dan)(dan)(dan)晶的純(chun)度(du)及電子(zi)遷移率(lv),均達到國際先進(jin)水平。
1918年2月(yue)7日(農歷丁巳年十(shi)(shi)二月(yue)二十(shi)(shi)六(liu)日),林蘭(lan)英出(chu)生(sheng)于福建莆田縣。幼年為了(le)上(shang)學(xue),經過一番絕食斗爭,家人同(tong)意林蘭(lan)英上(shang)了(le)礪(li)青小(xiao)學(xue),林蘭(lan)英在礪(li)青小(xiao)學(xue)的成(cheng)績(ji)始終在有(you)著40多名男女學(xue)生(sheng)的班中(zhong)占(zhan)居前兩名,校(xiao)長彭介之決定保(bao)送她進入礪(li)青中(zhong)學(xue)。
1930年9月,進(jin)入(ru)礪青中學(xue)初(chu)中部(bu)一(yi)年級,初(chu)中六個學(xue)期她都(dou)保持全(quan)年級第一(yi)。
1933年9月,進入莆田(tian)(tian)中(zhong)學(xue)高中(zhong)部一(yi)(yi)(yi)年級,成了當時高一(yi)(yi)(yi)年級唯一(yi)(yi)(yi)的一(yi)(yi)(yi)名女生,后(hou)來由于莆田(tian)(tian)中(zhong)學(xue)搞起了學(xue)生運動(dong),林蘭英對運動(dong)本無興趣,轉(zhuan)學(xue)至莆田(tian)(tian)縣惟一(yi)(yi)(yi)的一(yi)(yi)(yi)所(suo)教(jiao)會女子中(zhong)學(xue)———咸益(yi)中(zhong)學(xue)就(jiu)讀。
1936年,考(kao)入福建(jian)協(xie)和大學(現福建(jian)師范(fan)大學)物(wu)理系。
1940年,從福(fu)建(jian)協和大學畢業后作為(wei)優秀生(sheng)留校(xiao)任助教(jiao)。
1944年(nian),擔任福建(jian)協(xie)和大學講(jiang)師。
1947年5月,福(fu)建協和(he)大(da)學與美國賓夕法尼亞州的(de)迪金森學院建立(li)互換留學生的(de)關系。
1948年8月(yue)9日,遠涉重洋到美國留學,進入(ru)國賓夕法尼亞州的迪金森學院數學系學習。
1949年(nian),獲(huo)得迪金(jin)森學院數學學士(shi)學位,同(tong)時獲(huo)得美國大學榮譽學會迪金(jin)森分會獎勵她的一枚金(jin)鑰匙;同(tong)年(nian)深秋(qiu),進入賓(bin)夕法尼亞大學研(yan)究生(sheng)院,開始了固體物理(li)的研(yan)究。
1951年,獲得賓(bin)夕(xi)法尼亞大學(xue)固(gu)體物理學(xue)碩士(shi)學(xue)位,之后繼續攻讀博士(shi)學(xue)位,師從米勒教授。
1955年(nian)6月,憑借博士(shi)(shi)(shi)論(lun)文《弱X射線(xian)輻照引起氯(lv)化鉀和(he)氯(lv)化鈉晶體的(de)膨脹》獲得賓夕法尼亞(ya)(ya)大學固體物理學博士(shi)(shi)(shi)學位(wei),是該校建校215年(nian)以(yi)來(lai),第一位(wei)獲得博士(shi)(shi)(shi)學位(wei)的(de)中國人,也是該校有史以(yi)來(lai)的(de)第一位(wei)女博士(shi)(shi)(shi)。博士(shi)(shi)(shi)畢(bi)業后(hou),導(dao)師(shi)(shi)推薦(jian)她(ta)(ta)去紐約長島專(zhuan)司(si)半(ban)導(dao)體研究的(de)索(suo)菲尼亞(ya)(ya)公(gong)司(si)任高級(ji)工程師(shi)(shi)。之后(hou),她(ta)(ta)被聘(pin)為從事半(ban)導(dao)體科研工作的(de)索(suo)菲尼亞(ya)(ya)公(gong)司(si)(Sylvania公(gong)司(si))高級(ji)工程師(shi)(shi),靠林蘭(lan)英(ying)(ying)杰出的(de)科學分(fen)析(xi)指導(dao),公(gong)司(si)成功地造出了(le)第一根硅單晶,不久,又(you)為公(gong)司(si)申報了(le)兩項專(zhuan)利(li),公(gong)司(si)三次提高她(ta)(ta)的(de)年(nian)薪(xin)。林蘭(lan)英(ying)(ying)回國時(shi)索(suo)菲尼亞(ya)(ya)公(gong)司(si)給她(ta)(ta)年(nian)薪(xin)10000美元,回國后(hou)每(mei)月207元人民幣。
1956年6月,林蘭(lan)英以“母親重病”為由,向印度駐美(mei)國大使館提交回(hui)國申請,9月使館通知她(ta)填寫有(you)關回(hui)國事宜的(de)表格。
1957年(nian)1月29日(ri),幾經周折抗爭,林(lin)蘭英(ying)乘坐(zuo)的客輪安抵香港(gang),在國(guo)務院辦公廳周密安排下,她(ta)走上了深圳羅湖橋(qiao)頭,回到了中(zhong)國(guo),之后(hou)由(you)大弟林(lin)文豪送她(ta)經上海去北(bei)京,進入中(zhong)國(guo)科學院物理(li)研究(jiu)所工作,歷任(ren)研究(jiu)員,副所長。
1960年,擔任中國科(ke)學院半導體研究所研究員(yuan)。
1966年,“文革”開始(shi)那年,她(ta)還(huan)與中國(guo)第一(yi)位女院士林巧(qiao)稚一(yi)同登上天(tian)安門城(cheng)樓,事后便跌于“文革”的沼澤中。
1977年—1983年,擔任(ren)中國科學(xue)院半導體研(yan)究所副所長。
1980年(nian),當選為(wei)中國科學院學部委員(院士)。
2003年3月4日,在北京因(yin)病醫治無效逝世(shi),享年85歲。
林蘭英先后(hou)負(fu)責(ze)研(yan)制成(cheng)中國第一(yi)根硅(gui)、銻化(hua)(hua)銦、砷化(hua)(hua)鎵(jia)(jia)、磷化(hua)(hua)鎵(jia)(jia)等單晶,為中國微(wei)電子和(he)(he)光電子學的發展(zhan)奠定了(le)基(ji)礎,負(fu)責(ze)研(yan)制的高純度汽(qi)相和(he)(he)液相外延(yan)材料達到(dao)國際先水平。開(kai)創了(le)中國微(wei)重力半(ban)導體材料科學研(yan)究(jiu)新領(ling)域,并在砷化(hua)(hua)鎵(jia)(jia)晶體太空生長(chang)和(he)(he)性(xing)質研(yan)究(jiu)方面取得了(le)一(yi)定的成(cheng)績(ji)。
1958年(nian)秋(qiu)天,林蘭英研發出(chu)中國(guo)第(di)一(yi)(yi)根(gen)硅(gui)單(dan)(dan)(dan)晶(jing)(jing),為制造出(chu)無位錯(cuo)硅(gui)單(dan)(dan)(dan)晶(jing)(jing),林蘭英又投入(ru)研發硅(gui)單(dan)(dan)(dan)晶(jing)(jing)爐。她仔細(xi)考察、分析了蘇聯(lian)封閉式(shi)(shi)硅(gui)單(dan)(dan)(dan)晶(jing)(jing)爐,發現了不足,開(kai)始研究設(she)計中國(guo)式(shi)(shi)硅(gui)單(dan)(dan)(dan)晶(jing)(jing)爐。1961年(nian)的深秋(qiu),由(you)林蘭英主持設(she)計加(jia)工的中國(guo)第(di)一(yi)(yi)臺(tai)開(kai)門式(shi)(shi)硅(gui)單(dan)(dan)(dan)晶(jing)(jing)爐制造成功。1962年(nian)春,林蘭英依靠(kao)國(guo)產(chan)第(di)一(yi)(yi)臺(tai)開(kai)門式(shi)(shi)硅(gui)單(dan)(dan)(dan)晶(jing)(jing)爐,正式(shi)(shi)啟(qi)動拉(la)制工作。中國(guo)第(di)一(yi)(yi)根(gen)無位錯(cuo)的硅(gui)單(dan)(dan)(dan)晶(jing)(jing)拉(la)制成功,無位錯(cuo)達國(guo)際先進水(shui)平。
根據(ju)2021年6月《莆田僑鄉時報》顯示,林蘭英(ying)先后四次獲(huo)得中國科學(xue)院科技進步獎一等獎,兩次獲(huo)國家科技進步二(er)、三等獎。
時間 項目(mu)名(ming)稱(cheng) 獎勵名(ming)稱(cheng)
1981年(nian) 4K和16K硅DRAM及提高成(cheng)品率(lv)研究(jiu) 中國科學院科學技術進步(bu)獎一等(deng)獎
1985年 提高砷(shen)化(hua)鎵材料質(zhi)量的研究(jiu) 國家科學(xue)技術進步獎二等獎(排名(ming)第一)
1986年(nian) 高壓液封(feng)法生長(chang)熱(re)穩定不摻雜半絕(jue)緣GaAs 中國科學院科學技術進步獎(jiang)三(san)等獎(jiang)(排(pai)名第一)
1989年 微重(zhong)力條件下從溶體生長(chang)GaAs單晶及性質研究 中(zhong)國科學院(yuan)科學技術(shu)進(jin)步(bu)獎(jiang)一等獎(jiang)(排名第(di)一)
1990年 等(deng)電(dian)子雜質(zhi)In在GaAs中行為的研究 中國(guo)科學院科學技術進步獎(jiang)三等(deng)獎(jiang)(排名第一)
1991年(nian) 集成電路(lu)用半絕緣砷化鎵熱穩定性和均(jun)勻性研究 中(zhong)國(guo)科(ke)學(xue)院科(ke)學(xue)技術(shu)進步獎三等獎(排名第一)
1995年 高(gao)質量(liang)GaAs/AlGaAs二(er)維電(dian)子氣(qi)材料研制及其器件應(ying)用 中(zhong)國科(ke)學院(yuan)科(ke)學技術進步獎二(er)等獎(排名(ming)第六(liu))
1996年 ф2”和ф3”非(fei)摻Si-GaAs單(dan)晶(片)研究 中國科學院科學技(ji)術進步獎二等獎(排名第一)
1940年,林蘭英從福建協和大(da)學(xue)(xue)畢業后(hou)作為優(you)秀生留校任助教,教授(shou)《普通物理學(xue)(xue)》《高等數學(xue)(xue)》《光學(xue)(xue)》《物性聲學(xue)(xue)》《電磁學(xue)(xue)》等課程(cheng)。
時間 榮(rong)譽表(biao)彰 授予(yu)單(dan)位
1980年 中國(guo)科(ke)學院學部委員(院士) 中華人民共和國(guo)國(guo)務院
1996年 何(he)梁(liang)何(he)利基(ji)金(jin)科學與技術進步獎(jiang) 何(he)梁(liang)何(he)利基(ji)金(jin)
1998年 霍英東(dong)成就(jiu)獎
林(lin)蘭英是中(zhong)國半導(dao)體科學事(shi)業開拓者之(zhi)一(yi)。(中(zhong)國科學院(yuan)學部與院(yuan)士評)
林(lin)蘭英(ying)從(cong)事半導體材料科學(xue)(xue)40年,是中(zhong)國半導體材料科學(xue)(xue)的奠基人,對中(zhong)國半導體材料科學(xue)(xue)的發展作出了重大貢獻。(何梁何利基金評)
林(lin)蘭英的(de)工作極大(da)地推(tui)進(jin)了中國(guo)半導體(ti)材料的(de)研究高度,為微電子和(he)光電子學(xue)的(de)發展奠定了基礎,為中國(guo)太空事業做出巨大(da)貢(gong)獻。(《莆田僑(qiao)鄉(xiang)時報》評)
林蘭英是(shi)中(zhong)國(guo)半導(dao)體材(cai)料科(ke)技最著(zhu)名(ming)的開拓者,她帶動同事一起創造了多個“新中(zhong)國(guo)的第(di)一”,受(shou)到全(quan)世界科(ke)學家關注,被譽為“中(zhong)國(guo)太空(kong)材(cai)料之母”。(新浪新聞評)
時間 擔任職務
1975年(nian)—1993年(nian) 中華人民共和國(guo)第四(si)、五、六、七屆全國(guo)人民代(dai)表大會代(dai)表
1978年(nian)—1985年(nian) 中國(guo)電子(zi)材料行業(ye)協會主任委員
1980年—1996年 中國科(ke)學技術協會副主席(第二至四屆)
1986年 國家自然科(ke)學基金委員會委員
林蘭英的(de)(de)祖(zu)(zu)先林潤(1530-1569)是明朝嘉(jia)靖年間的(de)(de)御史(shi)大夫。因扳倒(dao)當朝丞相奸臣嚴嵩父(fu)子(zi)而名震朝野(ye)。林蘭英的(de)(de)祖(zu)(zu)父(fu)經商有成,父(fu)親(qin)(qin)大學畢業后在(zai)外地工作,母親(qin)(qin)在(zai)家(jia)主持家(jia)政。
2002年,因莆田舊城改造,林潤(run)(run)故居原(yuan)樣遷移到莆田城南(nan)鄉(xiang)溝頭村的(de)莆田一中新(xin)校區內(nei),內(nei)含林潤(run)(run)的(de)后裔、林蘭(lan)(lan)英(ying)院士故居。林蘭(lan)(lan)英(ying)去世后,骨灰從北(bei)京(jing)運(yun)至林潤(run)(run)故居內(nei)埋葬并(bing)建立(li)林蘭(lan)(lan)英(ying)陵園(yuan)。故居的(de)廳堂豎(shu)立(li)林蘭(lan)(lan)英(ying)塑像。林蘭(lan)(lan)英(ying)在(zai)北(bei)京(jing)的(de)住宅和(he)辦公室中的(de)所有書籍和(he)家具(ju)也運(yun)回(hui)莆田故居,陳列(lie)在(zai)林潤(run)(run)故居內(nei)。
2004年12月,林(lin)蘭英院(yuan)士(shi)塑像揭(jie)幕儀式(shi)在莆(pu)田第一(yi)中學(xue)舉行,中國(guo)科學(xue)院(yuan)半導體研究所(suo)所(suo)長李晉(jin)閩及(ji)莆(pu)田市有關領導、部分科技專(zhuan)家、教(jiao)師和學(xue)生共(gong)數(shu)千人參加了(le)揭(jie)幕儀式(shi)。
2013年(nian),在林蘭英(ying)(ying)院(yuan)士(shi)逝世十周年(nian)之(zhi)際,為表達對她的(de)思念之(zhi)情(qing)和敬仰之(zhi)意,學習老一(yi)輩科學家(jia)的(de)高尚品(pin)德和創新精神,中國科學院(yuan)半導(dao)體研究所特編輯制作了《林蘭英(ying)(ying)院(yuan)士(shi)紀念文(wen)集》。
紀念林蘭英院士逝世(shi)十周(zhou)年座(zuo)談會
2013年(nian)3月4日,在林蘭英院(yuan)士逝世10周(zhou)年(nian)之際(ji),為(wei)了弘揚(yang)她的愛(ai)國(guo)精神、回(hui)顧她的杰出(chu)成就(jiu)、秉(bing)承她的科學思想,在中國(guo)科學院(yuan)半導體研究所(suo)學術(shu)會議中心召開(kai)紀念(nian)林蘭英院(yuan)士逝世十(shi)周(zhou)年(nian)座談會。