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著錄信息

  • 專利名稱：一種MOSFET器件
  • 專利類型：實用新型
  • 申請號：CN201620786862.6
  • 公開(公告)號：CN205944098U
  • 申請日：20160725
  • 公開(公告)日：20170208
  • 申請人：吉林華微電子股份有限公司
  • 發明人：左義忠,楊壽國,張海宇,曲亮,賈國
  • 申請人地址：132013 吉林省吉林市高新區深圳街99號
  • 申請人區域代碼：CN220211
  • 專利權人：吉林華微電子股份有限公司
  • 洛迦諾分類：無
  • IPC：H01L29/40,H01L29/423,H01L29/78,H01L21/336
  • 優先權：無
  • 專利代理機構：北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 11371
  • 代理人：畢強
  • 審查員：無
  • 國際申請：無
  • 國際公開(公告)：無
  • 進入國家日期：無
  • 分案申請：無

關鍵詞

源極金屬,柵電極區,柵溝槽,溝道,肖特基結,半導體器件技術,本實用新型,電場,電場屏蔽,溝道電子,溝道電阻,肖特基源,依次設置,遷移率,勢壘區,肖特基,承載
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