一、igbt工作原理是什么

IGBT是(shi)絕(jue)緣(yuan)柵雙(shuang)極(ji)(ji)晶(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)管(guan)的(de)英文簡稱，是(shi)一(yi)種三端(duan)半導體(ti)(ti)(ti)開關(guan)(guan)的(de)器(qi)件(jian)，一(yi)般igbt結(jie)構(gou)相當于一(yi)個四(si)層半導體(ti)(ti)(ti)的(de)器(qi)件(jian)，四(si)層器(qi)件(jian)通(tong)過組(zu)合(he)(he)PNP和(he)NPN晶(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)管(guan)構(gou)成(cheng)了P-N-P-N排列；igbt模(mo)塊則(ze)由散熱基(ji)板、DBC基(ji)板、IGBT芯片、Diode芯片以及鍵合(he)(he)線組(zu)成(cheng)。IGBT作(zuo)為一(yi)種功率晶(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)管(guan)，主要用于變頻器(qi)逆(ni)變和(he)其(qi)他逆(ni)變電(dian)(dian)路，將直流電(dian)(dian)壓(ya)逆(ni)變成(cheng)頻率可調(diao)的(de)交(jiao)流電(dian)(dian)，其(qi)工(gong)作(zuo)原(yuan)理是(shi)通(tong)過不斷激活和(he)停用其(qi)柵極(ji)(ji)端(duan)子(zi)來開啟、關(guan)(guan)閉(bi)：IGBT的(de)開關(guan)(guan)作(zuo)用是(shi)通(tong)過加(jia)正向(xiang)柵極(ji)(ji)電(dian)(dian)壓(ya)形成(cheng)溝道(dao)，給PNP晶(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)管(guan)提供(gong)(gong)基(ji)極(ji)(ji)電(dian)(dian)流，使(shi)IGBT導通(tong)。反(fan)(fan)之(zhi)，加(jia)反(fan)(fan)向(xiang)門極(ji)(ji)電(dian)(dian)壓(ya)消(xiao)除(chu)溝道(dao)，切(qie)斷基(ji)極(ji)(ji)電(dian)(dian)，使(shi)IGBT關(guan)(guan)斷。若在IGBT的(de)柵極(ji)(ji)和(he)發(fa)射極(ji)(ji)之(zhi)間加(jia)上驅動正電(dian)(dian)壓(ya)，則(ze)MOSFET導通(tong)，這樣PNP晶(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)管(guan)的(de)集電(dian)(dian)極(ji)(ji)與基(ji)極(ji)(ji)之(zhi)間成(cheng)低阻狀態而使(shi)得晶(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)管(guan)導通(tong);若IGBT的(de)柵極(ji)(ji)和(he)發(fa)射極(ji)(ji)之(zhi)間電(dian)(dian)壓(ya)為0V，則(ze)MOSFET截止，切(qie)斷PNP晶(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)管(guan)基(ji)極(ji)(ji)電(dian)(dian)流的(de)供(gong)(gong)給，使(shi)得晶(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)管(guan)截止。

二、igbt的作用和功能

IGBT的主要作用是可以很容易地將輸入的高壓直流電流轉換為高壓交流電，只需通過脈寬調制即可實現變頻控制，它通過十幾伏的門極控制信號，即可實現kV級電壓和kA級電流的控制，開關頻率可達每秒幾萬次，具有高電壓、大電流、高頻率、低導通壓降等特點，廣泛應用于新能源汽車的電動控制系統、車載空調控制系統以及充電樁領域，智能電網的發電端、輸電端、變電端、用電端，軌道交通的交流傳動系統等領域。如果您需要采購igbt芯片或igbt模塊，可以先來看看IGBT十大品牌。

三、igbt芯片和igbt模塊的區別

IGBT芯(xin)(xin)片(pian)(pian)是(shi)絕緣柵雙(shuang)極型(xing)晶體(ti)管芯(xin)(xin)片(pian)(pian)，是(shi)一(yi)種復(fu)合全控型(xing)電壓驅動式功率半(ban)導體(ti)器件(jian)，被稱(cheng)為“電力電子裝(zhuang)置的(de)(de)(de)CPU”，它和(he)igbt模(mo)塊(kuai)(kuai)統(tong)稱(cheng)igbt，不過igbt芯(xin)(xin)片(pian)(pian)和(he)igbt模(mo)塊(kuai)(kuai)還是(shi)有所(suo)不同的(de)(de)(de)，簡單來說(shuo)，IGBT芯(xin)(xin)片(pian)(pian)就是(shi)一(yi)塊(kuai)(kuai)封裝(zhuang)好的(de)(de)(de)絕緣柵雙(shuang)極型(xing)晶體(ti)管芯(xin)(xin)片(pian)(pian)，而igbt模(mo)塊(kuai)(kuai)是(shi)由多個IGBT芯(xin)(xin)片(pian)(pian)、反并(bing)聯二極管、驅動電路、保護電路等組成的(de)(de)(de)集成模(mo)塊(kuai)(kuai)。一(yi)般來說(shuo)，IGBT芯(xin)(xin)片(pian)(pian)不會(hui)單獨使用，而是(shi)組裝(zhuang)成igbt模(mo)塊(kuai)(kuai)再使用，因為IGBT模(mo)塊(kuai)(kuai)具有節能、安(an)裝(zhuang)維修(xiu)方便、散熱穩定等特點，當前(qian)市場上銷(xiao)售的(de)(de)(de)多為模(mo)塊(kuai)(kuai)化產品(pin)，一(yi)般所(suo)說(shuo)的(de)(de)(de)IGBT也指IGBT模(mo)塊(kuai)(kuai)。

四、igbt模塊怎么測量好壞

igbt模塊(kuai)損(sun)壞一(yi)般常見的(de)原因有過(guo)電流(liu)損(sun)壞、過(guo)電壓損(sun)壞、靜(jing)電損(sun)壞、過(guo)熱損(sun)壞、機(ji)械應力對產(chan)品的(de)破壞等，判(pan)斷(duan)(duan)IGBT模塊(kuai)是否損(sun)壞，一(yi)般需(xu)要(yao)先對其(qi)進行檢測，igbt模塊(kuai)的(de)檢測一(yi)般分(fen)(fen)為(wei)兩(liang)(liang)部分(fen)(fen)：1、判(pan)斷(duan)(duan)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)性(xing)：首(shou)先將萬用(yong)(yong)(yong)表撥在(zai)R×1KΩ擋，用(yong)(yong)(yong)萬用(yong)(yong)(yong)表測量時(shi)，若(ruo)某(mou)一(yi)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)與其(qi)它(ta)(ta)兩(liang)(liang)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)阻值(zhi)為(wei)無(wu)(wu)窮大，調(diao)換(huan)表筆(bi)(bi)后該極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)與其(qi)它(ta)(ta)兩(liang)(liang)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)阻值(zhi)仍為(wei)無(wu)(wu)窮大，則判(pan)斷(duan)(duan)此(ci)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)為(wei)柵(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)（G），其(qi)余兩(liang)(liang)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)再(zai)用(yong)(yong)(yong)萬用(yong)(yong)(yong)表測量，若(ruo)測得阻值(zhi)為(wei)無(wu)(wu)窮大，調(diao)換(huan)表筆(bi)(bi)后測量阻值(zhi)較小。在(zai)測量阻值(zhi)較小的(de)一(yi)次中，則判(pan)斷(duan)(duan)紅表筆(bi)(bi)接(jie)的(de)為(wei)集(ji)電極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)（C）；黑(hei)表筆(bi)(bi)接(jie)地為(wei)發(fa)射極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)（E）。2、判(pan)斷(duan)(duan)好壞：將萬用(yong)(yong)(yong)表撥在(zai)R×10KΩ擋，用(yong)(yong)(yong)黑(hei)表筆(bi)(bi)接(jie)IGBT的(de)集(ji)電極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)（C），紅表筆(bi)(bi)接(jie)IGBT 的(de)發(fa)射極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)（E），此(ci)時(shi)萬用(yong)(yong)(yong)表的(de)指(zhi)針在(zai)零位(wei)。用(yong)(yong)(yong)手(shou)指(zhi)同時(shi)觸及一(yi)下柵(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)（G）和集(ji)電極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)（C），這時(shi)IGBT被觸發(fa)導通，萬用(yong)(yong)(yong)表的(de)指(zhi)針擺向(xiang)阻值(zhi)較小的(de)方向(xiang)，并能站住(zhu)指(zhi)示在(zai)某(mou)一(yi)位(wei)置(zhi)。然后再(zai)用(yong)(yong)(yong)手(shou)指(zhi)同時(shi)觸及一(yi)下柵(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)（G）和發(fa)射極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)（E），這時(shi)IGBT被阻斷(duan)(duan)，萬用(yong)(yong)(yong)表的(de)指(zhi)針回零。此(ci)時(shi)即可判(pan)斷(duan)(duan)IGBT是好的(de)。