一、igbt的優點和缺點有哪些

IGBT?就是絕緣柵雙(shuang)極晶體管(guan)，它主要(yao)用于多(duo)種電子設備中的(de)(de)高效(xiao)快速開關的(de)(de)場景(jing)中，兼有BJT和MOS管(guan)的(de)(de)好處，它的(de)(de)優點和缺點都是很明顯的(de)(de)：

1、igbt的優點

（1）具有較(jiao)高的(de)電壓和電流處理能力、極高的(de)輸(shu)入阻抗。

（2）可以使(shi)用非常(chang)低(di)的電(dian)壓切換非常(chang)高的電(dian)流。

（3）具有電(dian)壓(ya)控制裝置，沒(mei)有輸入電(dian)流和(he)低輸入損耗。

（4）柵極驅動電路簡單且便宜，降(jiang)低(di)了柵極驅動的要求。

（5）通(tong)過(guo)施加(jia)(jia)正(zheng)電壓可以(yi)很容(rong)易地打開它，通(tong)過(guo)施加(jia)(jia)零(ling)電壓或稍微負電壓可以(yi)很容(rong)易地關閉它。

（6）具有非常低的導通電阻。

（7）具有(you)高電流密度，使(shi)其能(neng)夠具有(you)更小(xiao)的芯片尺(chi)寸(cun)。

（8）具有比BJT和MOS管更高的功率(lv)增益。

（9）具有比BJT更高(gao)的開關速度。

（10）可以使用(yong)低控(kong)制電(dian)壓切換高電(dian)流電(dian)平(ping)。

（11）具(ju)有雙(shuang)極性質，增強(qiang)了傳導性。

（12）安全可靠。

2、igbt的缺點

（1）開(kai)關速度低于MOS管。

（2）因(yin)為是單(dan)向的(de)，在沒有附(fu)加電(dian)路(lu)的(de)情況下無法處理(li)AC波形(xing)。

（3）不能阻擋更高的(de)反向電壓。

（4）比(bi)BJT和MOS管價格更(geng)高。

（5）類似于晶閘管的P-N-P-N結構(gou)，因此它存在鎖存問題。

二、igbt有什么特性

1、功率特性

IGBT具有良好的(de)功率特性(xing)，其重復性(xing)能優于MOSFET，可實(shi)現高效的(de)恒定功率輸(shu)出(chu)，有利(li)于提高整個系(xi)統的(de)工作(zuo)效率。

2、控制特性

IGBT具有良好(hao)的控制(zhi)特性，其(qi)輸(shu)入電壓范圍(wei)較寬，可(ke)實現電壓控制(zhi)調節，可(ke)以有效抑制(zhi)電壓波(bo)動。

3、可靠性

IGBT具有(you)良好的可(ke)靠性(xing)，具有(you)抗(kang)電磁干擾能(neng)力強、抗(kang)溫度變化性(xing)能(neng)好和耐久性(xing)高等優點，可(ke)以長期穩定運(yun)行。

4、結構特性

IGBT有(you)(you)著緊(jin)湊的(de)結構(gou)，體(ti)積小，可以降低(di)整個系統(tong)(tong)的(de)體(ti)積，有(you)(you)利于系統(tong)(tong)的(de)自動(dong)化程度的(de)提高。

三、igbt的主要參數

1、電壓限制：IGBT的電壓范圍(wei)一般(ban)在600V-6.5kV之間。

2、功率限制：IGBT的功率(lv)范圍一般在1W-15MW之間。

3、漏電流：IGBT的漏(lou)電流比MOSFET要小得多，一般在1mA-100mA之間。

4、損耗：IGBT的損耗(hao)一般比MOSFET要低，可以達到1W-15MW之(zhi)間。

5、熱效應：IGBT的(de)熱效應比MOSFET要小，可(ke)以(yi)達到20°C-150°C之間。

6、反應時間：IGBT的反應(ying)時間一(yi)般比MOSFET要(yao)快，可以達(da)到1ns-50ns之間。