一、igbt的優點和缺點有哪些

IGBT?就是絕(jue)緣柵雙極(ji)晶體管，它(ta)主(zhu)要(yao)用于多種電(dian)子設備中(zhong)的(de)高效(xiao)快(kuai)速(su)開關的(de)場(chang)景中(zhong)，兼有BJT和(he)MOS管的(de)好處，它(ta)的(de)優點(dian)和(he)缺(que)點(dian)都是很(hen)明顯的(de)：

1、igbt的優點

（1）具(ju)有較(jiao)高的電壓和(he)電流處理能力、極高的輸入阻抗。

（2）可以使用(yong)非(fei)常(chang)低的(de)電(dian)壓切換非(fei)常(chang)高(gao)的(de)電(dian)流。

（3）具有(you)電壓控制裝置，沒有(you)輸(shu)(shu)入電流和低輸(shu)(shu)入損耗。

（4）柵極驅(qu)動電路(lu)簡單且便宜，降(jiang)低(di)了柵極驅(qu)動的(de)要(yao)求。

（5）通(tong)過施加(jia)正電壓(ya)(ya)可(ke)以很容易(yi)地打(da)開它(ta)，通(tong)過施加(jia)零電壓(ya)(ya)或稍微負電壓(ya)(ya)可(ke)以很容易(yi)地關閉它(ta)。

（6）具(ju)有非常(chang)低(di)的導通(tong)電阻。

（7）具(ju)有(you)高電流密度，使其能(neng)夠具(ju)有(you)更小的芯(xin)片尺寸。

（8）具有比BJT和MOS管更高(gao)的(de)功率增益。

（9）具(ju)有比BJT更高的開關(guan)速(su)度。

（10）可以使用低控(kong)制電壓切(qie)換高(gao)電流電平(ping)。

（11）具(ju)有雙極性(xing)質，增強了傳導性(xing)。

（12）安全可靠。

2、igbt的缺點

（1）開關速度低(di)于MOS管。

（2）因為是單向的(de)，在沒有附加電路的(de)情況(kuang)下無(wu)法處(chu)理AC波形(xing)。

（3）不能阻擋更高的反向(xiang)電壓。

（4）比BJT和MOS管(guan)價格更高。

（5）類似于晶(jing)閘管的P-N-P-N結構(gou)，因(yin)此它(ta)存在(zai)鎖存問(wen)題。

二、igbt有什么特性

1、功率特性

IGBT具有良好的功(gong)率(lv)(lv)特性，其重復性能優于MOSFET，可實現高(gao)效的恒定功(gong)率(lv)(lv)輸出，有利于提(ti)高(gao)整個系統的工作效率(lv)(lv)。

2、控制特性

IGBT具有良好的控制特(te)性，其(qi)輸(shu)入電(dian)壓范圍較寬，可實現電(dian)壓控制調節，可以(yi)有效(xiao)抑制電(dian)壓波動。

3、可靠性

IGBT具(ju)有良好的可(ke)靠性(xing)，具(ju)有抗電磁干擾能力強、抗溫(wen)度變化性(xing)能好和耐久性(xing)高等(deng)優點，可(ke)以長期穩定運行(xing)。

4、結構特性

IGBT有著緊湊的結構，體積小，可以降低整(zheng)個系統(tong)的體積，有利于系統(tong)的自(zi)動化程(cheng)度的提高。

三、igbt的主要參數

1、電壓限制：IGBT的電壓(ya)范圍一般在600V-6.5kV之間。

2、功率限制：IGBT的功率范圍一般在1W-15MW之間。

3、漏電流：IGBT的(de)漏電流比(bi)MOSFET要小(xiao)得多，一般在1mA-100mA之(zhi)間(jian)。

4、損耗：IGBT的損耗一般比MOSFET要低，可以(yi)達到1W-15MW之間。

5、熱效應：IGBT的熱(re)效應比MOSFET要小，可以達到20°C-150°C之間。

6、反應時間：IGBT的反應(ying)時間一般比MOSFET要快(kuai)，可以達到1ns-50ns之間。