一、IGBT行業的發展前景怎么樣

IGBT指由(you)晶體管和(he)發射極構成的半導體元件，用于控制(zhi)電(dian)子電(dian)路中(zhong)的電(dian)流(liu)和(he)電(dian)壓，作為新興(xing)的高(gao)科技(ji)產業(ye)，現已發展成為一個具有(you)重要經濟意(yi)義的產業(ye)，擁有(you)廣闊(kuo)的發展前景。

IGBT被(bei)譽為“電(dian)力電(dian)子(zi)裝置的(de)CPU”，應(ying)用廣泛，隨(sui)著智(zhi)(zhi)能(neng)(neng)家居(ju)、智(zhi)(zhi)能(neng)(neng)照明、新能(neng)(neng)源汽(qi)車(che)等新興(xing)行(xing)業(ye)(ye)的(de)興(xing)起，IGBT的(de)應(ying)用需求越來越大(da)；同時，國家對IGBT功率(lv)器件行(xing)業(ye)(ye)也提供(gong)了大(da)力支持(chi)(chi)，在IGBT功率(lv)器件行(xing)業(ye)(ye)的(de)發展中，國產企業(ye)(ye)的(de)發展受到了政府新政策、資(zi)金支持(chi)(chi)和技術支持(chi)(chi)的(de)推動。

預計未來幾年，我國的IGBT行(xing)業將(jiang)取得較快的發(fa)展(zhan)，行(xing)業市場規模將(jiang)繼續擴大(da)，市場競(jing)爭(zheng)也將(jiang)更(geng)加激烈，未來發(fa)展(zhan)前(qian)景非常樂觀。

二、我國IGBT產業的兩大特點

1、IGBT的需求空間大

隨(sui)著(zhu)新(xin)(xin)技(ji)術(shu)、新(xin)(xin)材料及新(xin)(xin)工(gong)(gong)藝的(de)(de)出現，CAD設計、離子注入、多層(ceng)金屬化、納米級光刻等(deng)先進工(gong)(gong)藝技(ji)術(shu)應(ying)用(yong)到(dao)功IGBT器件(jian)中，IGBT設計技(ji)術(shu)將不(bu)斷得到(dao)推動(dong)和提升。未來(lai)，IGBT器件(jian)的(de)(de)應(ying)用(yong)將非常廣(guang)泛(fan)，涉及生活(huo)的(de)(de)方(fang)方(fang)面面，這也是中國看好的(de)(de)原因。

2、IGBT應用支撐了工控、新能源等核心領域

IGBT能(neng)得到國家的重視(shi)，這(zhe)得益(yi)于它在工(gong)控(kong)和(he)新(xin)能(neng)源(yuan)等領域的作(zuo)用。IGBT在國內的主(zhu)要應用領域是(shi)在工(gong)業、電(dian)(dian)器(qi)和(he)新(xin)能(neng)源(yuan)等。工(gong)業方(fang)面(mian)(mian)有用于電(dian)(dian)焊機、工(gong)業加熱和(he)電(dian)(dian)鍍電(dian)(dian)源(yuan)；電(dian)(dian)器(qi)方(fang)面(mian)(mian)包括電(dian)(dian)磁(ci)爐、商用電(dian)(dian)磁(ci)爐、變頻空調和(he)變頻冰箱；新(xin)能(neng)源(yuan)方(fang)面(mian)(mian)主(zhu)要是(shi)風力(li)發(fa)電(dian)(dian)和(he)電(dian)(dian)動汽車。

三、IGBT未來發展趨勢及發展方向分析

IGBT行業的發展前景比較廣闊，在發展趨勢和發展方向上，從行業整體發展規律而言，IGBT發(fa)展(zhan)趨勢主要是降低損耗和(he)降低成本；從(cong)結構上講，IGBT主要有三(san)個發(fa)展(zhan)方向(xiang)：

1、IGBT縱向結構：非透(tou)明(ming)(ming)集(ji)電區NPT型、帶緩沖層的(de)PT型、透(tou)明(ming)(ming)集(ji)電區NPT型和FS電場截(jie)止(zhi)型。

2、IGBT棚極(ji)結構(gou)：平面棚機構(gou)、Trench溝(gou)槽型結構(gou)。

3、硅片加工工藝：外(wai)延生長技術、區(qu)熔硅單晶。