一、igbt和mos管的區別有哪些

1、什么是igbt

IGBT，絕緣柵(zha)雙極型(xing)晶(jing)體(ti)管，是由晶(jing)體(ti)三極管和MOS管組成的復合型(xing)半導體(ti)器件。

2、mos管是什么

MOS管即MOSFET，又叫絕緣柵場效(xiao)應管，是場效(xiao)應管的(de)一(yi)種類(lei)型(xing)(xing)(xing)。MOSFET又可分(fen)為(wei)N溝耗盡(jin)型(xing)(xing)(xing)、增強型(xing)(xing)(xing)、P溝耗盡(jin)型(xing)(xing)(xing)和增強型(xing)(xing)(xing)四大類(lei)。

3、igbt和mos管的區別

（1）在結(jie)構上，MOSFET和IGBT看起來非常(chang)相似，實(shi)則不同。IGBT由發(fa)射極(ji)(ji)、集(ji)電(dian)極(ji)(ji)和柵(zha)極(ji)(ji)端子組成(cheng)，而MOSFET由源極(ji)(ji)、漏極(ji)(ji)和柵(zha)極(ji)(ji)端子組成(cheng)。IGBT的結(jie)構中(zhong)有PN結(jie)，MOSFET沒有任何PN結(jie)。

（2）在低電(dian)流區(qu)(qu)，MOSFET的(de)(de)導通電(dian)壓低于(yu)IGBT；在大電(dian)流區(qu)(qu)IGBT的(de)(de)正向電(dian)壓特性(xing)優于(yu)MOSFET。

（3）IGBT的(de)高溫特性更好，導(dao)通電壓(ya)比MOSFET低。

（4）IGBT適用于中到(dao)極高電(dian)流的傳導(dao)和控(kong)制，而MOSFET適用于低(di)到(dao)中等電(dian)流的傳導(dao)和控(kong)制。

（5）IGBT不適合(he)高頻(pin)應用，它能在千(qian)Hz頻(pin)率(lv)下運行良(liang)好(hao)。MOSFET特別適合(he)非常高頻(pin)的應用，它可以(yi)在兆Hz頻(pin)率(lv)下運行良(liang)好(hao)。

（6）IGBT的開(kai)(kai)關速度比較低，MOSFET開(kai)(kai)關速度非常(chang)高。

（7）IGBT可以承受非常高的電壓(ya)以及大功率，MOSFET僅適用于(yu)低(di)至中壓(ya)應用。

（8）IGBT具(ju)有(you)較(jiao)大(da)的關(guan)斷時間(jian)(jian)，MOSFET的關(guan)斷時間(jian)(jian)較(jiao)小。

（9）IGBT可以處理任何瞬態電(dian)(dian)壓和(he)電(dian)(dian)流(liu)，但當發生(sheng)瞬態電(dian)(dian)壓時，MOSFET的運行會受到干擾。

（10）MOSFET器(qi)件成本(ben)低，價格便(bian)宜，而(er)IGBT至今仍屬(shu)于較高成本(ben)器(qi)件。IGBT適合(he)高功率(lv)交流應用(yong)，MOSFET適合(he)低功率(lv)直流應用(yong)。?

二、igbt和mos管哪個好

igbt和mos管相比，各有各的優勢和缺(que)點，并不好說哪(na)種更(geng)好，主要是根據實際應用(yong)場合(he)來選擇：

1、IGBT的主要優勢是能夠處理和(he)傳(chuan)導中(zhong)(zhong)至超高電壓和(he)大電流(liu)(liu)，擁有非常高的柵極絕緣特性，且(qie)在電流(liu)(liu)傳(chuan)導過程中(zhong)(zhong)產生非常低的正向(xiang)壓降(jiang)，哪怕浪涌(yong)電壓出現時，IGBT的運行也不會受到干擾。與MOSFET相比，IGBT開關(guan)速(su)度較慢(man)，關(guan)斷時間較長，不適(shi)合高頻應用，比較適(shi)合高壓大電流(liu)(liu)應用。

2、MOSFET的(de)優點決(jue)定了(le)它非常(chang)適合高頻(pin)且(qie)開(kai)關(guan)(guan)速度(du)要(yao)求高的(de)應用(yong)。在(zai)開(kai)關(guan)(guan)電(dian)源（SMPS）中(zhong)，MOSFET的(de)寄生參(can)數至(zhi)關(guan)(guan)重要(yao)，它決(jue)定了(le)轉換(huan)時(shi)間、導(dao)通(tong)電(dian)阻、振鈴（開(kai)關(guan)(guan)時(shi)超調(diao)）和(he)背柵擊穿(chuan)等性能，這些(xie)都與(yu)SMPS的(de)效率(lv)密切相關(guan)(guan)。對于門驅動器或者逆變器應用(yong)，通(tong)常(chang)需要(yao)選擇低輸入(ru)電(dian)容(rong)（利于快速切換(huan)）以及(ji)較(jiao)高驅動能力的(de)MOSFET。?

三、igbt和mos管能互換嗎

不能。

IGBT和MOSFET工作特性不一樣，一般不能互(hu)換，在考(kao)慮具體技術細節的情況(kuang)下(xia)，可以用IGBT替(ti)代(dai)MOSFET，需要考(kao)慮的問題點有：

1、電路的工作頻率

IGBT工作頻(pin)率低，一般25Khz是(shi)上限(xian)。如果電路工作頻(pin)率超過(guo)IGBT頻(pin)率上限(xian)（以具體管(guan)子數據手冊為準），不能替換。

2、驅動電路的關斷方式

MOSFET可以(yi)用零(ling)壓(ya)關(guan)斷(duan)(duan)，也可以(yi)用負(fu)壓(ya)關(guan)斷(duan)(duan)。IGBT只能用負(fu)壓(ya)關(guan)斷(duan)(duan)。如果電路驅動電路，只是零(ling)壓(ya)關(guan)斷(duan)(duan)，一般不能替(ti)代。

3、功率管并聯

MOSFET是(shi)正溫度特(te)性，可(ke)以(yi)直(zhi)接(jie)并聯擴流，而IGBT是(shi)負溫度特(te)性，不能直(zhi)接(jie)并聯。如果電路(lu)是(shi)多個MOSFET并聯使用(yong)，不能用(yong)IGBT簡單(dan)替換。

4、電路是否需要開關器件續流二極管

MOSFET自帶寄(ji)生二極管，IGBT則(ze)是另外加進去的。保險起見(jian)，只(zhi)選擇帶續流二極管的IGBT。

5、IGBT輸入電容

IGBT輸入電容(rong)要(yao)和原電路MOSFET的(de)輸入電容(rong)接近。這只是(shi)考(kao)慮驅(qu)動電路的(de)驅(qu)動能力，與MOSFET和IGBT特性無關。

6、過流保護電路

對過(guo)流保(bao)護電(dian)路，IGBT要求更高。如果沒有電(dian)路圖的(de)話，可以通過(guo)短路試驗(yan)來(lai)確定能(neng)否替換(huan)。

對于常見的簡單電路(lu)，考慮上述幾個因素(su)，就(jiu)可以用符合功率(lv)耐壓要求IGBT替(ti)代MOSFET。