一、場效應晶體管有什么特點

場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應管。主要有兩種類型，結(jie)型場效應管（junction FET—JFET）和金屬-氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET），那么場效應晶體管有什么特點呢？

1、場效應管是電壓(ya)控制器件(jian)，它通過(guo)VGS（柵源電壓(ya)）來控制ID（漏極(ji)電流(liu)）。

2、場效應(ying)管(guan)的控制(zhi)輸入端電流極小，因此(ci)它的輸入電阻(zu)（107～1012Ω）很大。

3、它是(shi)利用(yong)多數(shu)載流子導電，因此它的溫(wen)度(du)穩定(ding)性較(jiao)好。

4、它組成的放(fang)大(da)(da)電路的電壓放(fang)大(da)(da)系數要小于三極管(guan)組成放(fang)大(da)(da)電路的電壓放(fang)大(da)(da)系數。

5、場效應(ying)管的抗輻射(she)能力強。

6、由于(yu)它不存(cun)在雜亂運動的電子擴散引起的散粒噪聲，所以(yi)噪聲低。

二、場效應晶體管工作原理是什么

在場效(xiao)應(ying)晶體管中，柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)和源(yuan)極(ji)(ji)(ji)之(zhi)(zhi)間的(de)電(dian)壓可(ke)以控制漏極(ji)(ji)(ji)和源(yuan)極(ji)(ji)(ji)之(zhi)(zhi)間的(de)電(dian)流(liu)(liu)(liu)。當(dang)柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)電(dian)壓為零(ling)時，漏極(ji)(ji)(ji)和源(yuan)極(ji)(ji)(ji)之(zhi)(zhi)間的(de)電(dian)流(liu)(liu)(liu)是最(zui)大的(de)，這(zhe)種狀(zhuang)態被稱為飽和狀(zhuang)態。當(dang)柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)電(dian)壓增加時，漏極(ji)(ji)(ji)和源(yuan)極(ji)(ji)(ji)之(zhi)(zhi)間的(de)電(dian)流(liu)(liu)(liu)會減小，這(zhe)種狀(zhuang)態被稱為截止狀(zhuang)態。

場(chang)效應晶(jing)體(ti)管(guan)是一(yi)種(zhong)非常重要的(de)(de)(de)半導體(ti)器(qi)件，它的(de)(de)(de)工作(zuo)原理是利用(yong)柵極(ji)(ji)(ji)電(dian)(dian)場(chang)的(de)(de)(de)作(zuo)用(yong)來(lai)控制源極(ji)(ji)(ji)和(he)漏(lou)極(ji)(ji)(ji)之(zhi)間(jian)(jian)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)流(liu)(liu)，可以(yi)用(yong)一(yi)個簡單的(de)(de)(de)模型來(lai)解釋。假設柵極(ji)(ji)(ji)和(he)源極(ji)(ji)(ji)之(zhi)間(jian)(jian)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)壓為零，漏(lou)極(ji)(ji)(ji)和(he)源極(ji)(ji)(ji)之(zhi)間(jian)(jian)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)流(liu)(liu)為I0。當柵極(ji)(ji)(ji)電(dian)(dian)壓為Vg時，柵極(ji)(ji)(ji)和(he)源極(ji)(ji)(ji)之(zhi)間(jian)(jian)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)場(chang)會產生(sheng)一(yi)個電(dian)(dian)勢(shi)差，這(zhe)個電(dian)(dian)勢(shi)差可以(yi)用(yong)公式Vg=Ed/d來(lai)計算，其中Ed是電(dian)(dian)場(chang)強(qiang)度(du)，d是柵極(ji)(ji)(ji)和(he)源極(ji)(ji)(ji)之(zhi)間(jian)(jian)的(de)(de)(de)距離。這(zhe)個電(dian)(dian)勢(shi)差會影響漏(lou)極(ji)(ji)(ji)和(he)源極(ji)(ji)(ji)之(zhi)間(jian)(jian)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)流(liu)(liu)，使得電(dian)(dian)流(liu)(liu)減小(xiao)到I0*（1-Vg/Vp），其中Vp是場(chang)效應晶(jing)體(ti)管(guan)的(de)(de)(de)特定(ding)電(dian)(dian)壓。