一、mos場效應管的作用是什么

MOS管的英文全稱叫MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），即金屬氧化物半導體型場效應管，屬于場效應晶體管中的絕緣柵型。因此，MOS管有時被稱為場效應管。那么mos場效應管的作用是什么呢？

1、提供電壓

目前主(zhu)板或顯卡上所(suo)采用的mos場效應(ying)管(guan)(guan)并不(bu)是(shi)(shi)太多，一(yi)般有10個(ge)左右，主(zhu)要原因是(shi)(shi)大部分mos場效應(ying)管(guan)(guan)被整合(he)到IC芯片中(zhong)去了(le)。由于mos場效應(ying)管(guan)(guan)主(zhu)要是(shi)(shi)為配件提供穩定的電壓，所(suo)以它一(yi)般使用在CPU、AGP插(cha)(cha)槽和內存(cun)插(cha)(cha)槽附(fu)(fu)近。其中(zhong)在CPU與AGP插(cha)(cha)槽附(fu)(fu)近各安排一(yi)組(zu)(zu)(zu)(zu)mos場效應(ying)管(guan)(guan)，而內存(cun)插(cha)(cha)槽則共用了(le)一(yi)組(zu)(zu)(zu)(zu)mos場效應(ying)管(guan)(guan)，mos場效應(ying)管(guan)(guan)一(yi)般是(shi)(shi)以兩個(ge)組(zu)(zu)(zu)(zu)成(cheng)一(yi)組(zu)(zu)(zu)(zu)的形式出現主(zhu)板上的。

2、開關

（1）電壓通斷用NMOS管：Ug比(bi)Us應(ying)大10V以(yi)上，而且開通時必(bi)須工(gong)作在飽和導通狀態。

（2）信號切換，信號切換用(yong)NMOS管：Ug比Us大(da)3V-5V即(ji)可，實際上只要導通即(ji)可，不必飽(bao)和導通。

3、隔離

MOS管的隔離作用(yong)就(jiu)是實現電路(lu)的單向導通，它就(jiu)相(xiang)當于(yu)一個(ge)二極管。使(shi)(shi)用(yong)二極管導通時(shi)(shi)會有(you)(you)壓降，會損失一些電壓。而使(shi)(shi)用(yong)MOS管做隔離，讓MOS管飽和導通，通過(guo)電流時(shi)(shi)MOS管幾乎不(bu)產生壓降。有(you)(you)外(wai)部適(shi)配器(qi)(qi)接入(ru)(ru)時(shi)(shi)，適(shi)配器(qi)(qi)供電；沒有(you)(you)外(wai)部適(shi)配器(qi)(qi)接入(ru)(ru)時(shi)(shi)，電池供電。

二、mos場效應管判斷好壞的方法介紹

前文已經了(le)(le)解到了(le)(le)mos場效(xiao)應管的作用是比較多的，在使用的過程中，怎么判斷好(hao)壞(huai)也是一個(ge)要掌握(wo)的，來(lai)看看mos場效(xiao)應管判斷好(hao)壞(huai)的方法介(jie)紹吧！

1、電阻測量的方法來判斷好壞

根據mos管(guan)道(dao)的(de)(de)PN結、反向(xiang)電(dian)阻(zu)(zu)值不同(tong)(tong)的(de)(de)現象，可以(yi)確定mos管(guan)道(dao)的(de)(de)三個(ge)電(dian)極(ji)。將萬用表(biao)掛(gua)在R1k文件上，選(xuan)擇兩(liang)個(ge)電(dian)極(ji)，分別測量正負電(dian)阻(zu)(zu)值。萬用表(biao)的(de)(de)黑色表(biao)筆(bi)可以(yi)隨機接(jie)觸(chu)一(yi)個(ge)電(dian)極(ji)，另(ling)一(yi)個(ge)表(biao)筆(bi)可以(yi)依(yi)次接(jie)觸(chu)其他(ta)兩(liang)個(ge)電(dian)極(ji)，以(yi)測量電(dian)阻(zu)(zu)值。如果兩(liang)次測量的(de)(de)電(dian)阻(zu)(zu)值幾乎(hu)相(xiang)同(tong)(tong)，則(ze)黑表(biao)筆(bi)接(jie)觸(chu)的(de)(de)電(dian)極(ji)為極(ji)，另(ling)外兩(liang)個(ge)電(dian)極(ji)分別為漏極(ji)和圓極(ji)。

2、使用信號傳遞方法完成判斷

由于(yu)管(guan)(guan)道的(de)(de)(de)放大(da)(da)作(zuo)用，泄(xie)漏源(yuan)電(dian)壓(ya)VDS和泄(xie)漏電(dian)流Ib都需要更改。也就是(shi)(shi)說，泄(xie)漏源(yuan)極間(jian)電(dian)阻發生變化(hua)，觀(guan)察時鐘針大(da)(da)幅度擺(bai)動。如果手握(wo)柵時鐘針，擺(bai)動小(xiao)，則(ze)表明管(guan)(guan)的(de)(de)(de)放大(da)(da)能(neng)力下降(jiang)。可(ke)見表針的(de)(de)(de)擺(bai)動很大(da)(da)，管(guan)(guan)的(de)(de)(de)放大(da)(da)能(neng)力很大(da)(da)。如果表針不動，就是(shi)(shi)管(guan)(guan)子(zi)壞了。

3、使用感應信號方法進行測試

首先，如果(guo)用測(ce)量(liang)電阻(zu)的方法檢測(ce)mos管就(jiu)必須找到合(he)適的測(ce)試點，然(ran)后(hou)完成具體的測(ce)試。