一、場效應管有幾種類型

場效應管(guan)分為(wei)結型場效應管(guan)（JFET）和絕緣柵場效應管(guan)（MOS管(guan)）兩大類。

按溝道材(cai)料(liao)型(xing)(xing)(xing)(xing)和(he)絕(jue)緣(yuan)柵(zha)型(xing)(xing)(xing)(xing)各分N溝道和(he)P溝道兩種；按導電方式：耗盡(jin)型(xing)(xing)(xing)(xing)與增強(qiang)型(xing)(xing)(xing)(xing)，結(jie)型(xing)(xing)(xing)(xing)場效(xiao)(xiao)應(ying)管均(jun)為(wei)耗盡(jin)型(xing)(xing)(xing)(xing)，絕(jue)緣(yuan)柵(zha)型(xing)(xing)(xing)(xing)場效(xiao)(xiao)應(ying)管既有耗盡(jin)型(xing)(xing)(xing)(xing)的，也有增強(qiang)型(xing)(xing)(xing)(xing)的。

場效應晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)可分為結場效應晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)和MOS場效應晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)，而MOS場效應晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)又分為N溝(gou)耗(hao)盡(jin)型和增強型；P溝(gou)耗(hao)盡(jin)型和增強型四大類(lei)。

二、怎么選擇場效應管

1、選擇須合適的勾道（N溝道還是P溝道）

挑選好場效應(ying)晶(jing)體管(guan)電(dian)子(zi)元件的第一(yi)步是取決選用(yong)N溝道(dao)(dao)或(huo)是P溝道(dao)(dao)場效應(ying)晶(jing)體管(guan)。在典型的功率使用(yong)中，當1個場效應(ying)晶(jing)體管(guan)接地，而負載接入到干線(xian)電(dian)壓上時，該(gai)場效應(ying)晶(jing)體管(guan)就組成了(le)低壓側開(kai)關(guan)。在低壓側開(kai)關(guan)中，應(ying)選用(yong)N溝道(dao)(dao)場效應(ying)晶(jing)體管(guan)，它是出自于對關(guan)閉或(huo)導(dao)通電(dian)子(zi)元件所要電(dian)壓的考(kao)慮。

2、確定場效應管的額定電流，選好額定電流以后，還需計算導通損耗

在(zai)(zai)實際(ji)情況下，場效(xiao)應晶(jing)體管并不一定(ding)是理想的電(dian)子元(yuan)件(jian)，歸因于在(zai)(zai)導(dao)電(dian)過程中會有電(dian)能消耗(hao)，這叫(jiao)做導(dao)通損耗(hao)。場效(xiao)應晶(jing)體管在(zai)(zai)“導(dao)通”時好比一個可(ke)變電(dian)阻，由電(dian)子元(yuan)件(jian)的RDS（ON）所確認，并隨溫度(du)而明顯(xian)變動。

電(dian)(dian)子元件(jian)的(de)功率(lv)損(sun)耗(hao)可由Iload2×RDS（ON）估算，因(yin)為導通電(dian)(dian)阻隨(sui)溫度變(bian)動，因(yin)而功率(lv)損(sun)耗(hao)也會(hui)(hui)隨(sui)著(zhu)按占比變(bian)動。對場效應(ying)晶體(ti)管施(shi)加的(de)電(dian)(dian)壓VGS越高(gao)(gao)，RDS（ON）就會(hui)(hui)越小；反(fan)之RDS（ON）就會(hui)(hui)越高(gao)(gao)。注意RDS（ON）電(dian)(dian)阻會(hui)(hui)隨(sui)著(zhu)電(dian)(dian)流輕微升高(gao)(gao)。關(guan)于RDS（ON）電(dian)(dian)阻的(de)各(ge)類電(dian)(dian)氣叁數變(bian)動可在生產商出示的(de)技術資料表里得知。

3、確定熱要求，設計人員在設計時必須考慮到最壞和真實兩種情況

一般建議采用針(zhen)對最壞的結(jie)果(guo)(guo)計算，因為這個結(jie)果(guo)(guo)提(ti)供更大的安全余量，能夠確保系統不會失(shi)效。