一、場效應管有幾種類型

場效應管(guan)(guan)分為結型場效應管(guan)(guan)（JFET）和絕緣柵場效應管(guan)(guan)（MOS管(guan)(guan)）兩大類。

按(an)溝(gou)道(dao)材(cai)料型(xing)和絕(jue)緣柵(zha)型(xing)各分N溝(gou)道(dao)和P溝(gou)道(dao)兩種；按(an)導電方式(shi)：耗(hao)盡型(xing)與(yu)增強(qiang)型(xing)，結(jie)型(xing)場效應管(guan)均(jun)為(wei)耗(hao)盡型(xing)，絕(jue)緣柵(zha)型(xing)場效應管(guan)既有(you)耗(hao)盡型(xing)的(de)(de)，也有(you)增強(qiang)型(xing)的(de)(de)。

場(chang)效應晶體(ti)管(guan)可(ke)分為結場(chang)效應晶體(ti)管(guan)和(he)MOS場(chang)效應晶體(ti)管(guan)，而(er)MOS場(chang)效應晶體(ti)管(guan)又分為N溝耗盡型(xing)和(he)增強型(xing)；P溝耗盡型(xing)和(he)增強型(xing)四大類(lei)。

二、怎么選擇場效應管

1、選擇須合適的勾道（N溝道還是P溝道）

挑選好場(chang)效應(ying)晶(jing)(jing)體(ti)管(guan)電子(zi)元件的(de)第(di)一步是取(qu)決選用N溝(gou)道(dao)或(huo)是P溝(gou)道(dao)場(chang)效應(ying)晶(jing)(jing)體(ti)管(guan)。在典型的(de)功率使用中，當1個場(chang)效應(ying)晶(jing)(jing)體(ti)管(guan)接地，而負(fu)載(zai)接入到干線電壓(ya)上(shang)時(shi)，該場(chang)效應(ying)晶(jing)(jing)體(ti)管(guan)就組(zu)成了(le)低壓(ya)側(ce)開關(guan)(guan)。在低壓(ya)側(ce)開關(guan)(guan)中，應(ying)選用N溝(gou)道(dao)場(chang)效應(ying)晶(jing)(jing)體(ti)管(guan)，它是出自于對關(guan)(guan)閉或(huo)導通電子(zi)元件所要電壓(ya)的(de)考慮。

2、確定場效應管的額定電流，選好額定電流以后，還需計算導通損耗

在實際情況下，場(chang)效應(ying)晶(jing)體管并不一定是理想的電子元件，歸因于(yu)在導電過程中會(hui)有電能消耗，這叫(jiao)做導通損耗。場(chang)效應(ying)晶(jing)體管在“導通”時好比一個可變電阻，由電子元件的RDS（ON）所確認(ren)，并隨溫(wen)度(du)而明顯變動(dong)。

電子(zi)元件的(de)功率損耗可(ke)由(you)Iload2×RDS（ON）估算，因(yin)為導通電阻隨溫度變動(dong)，因(yin)而功率損耗也會隨著按占比變動(dong)。對場(chang)效應晶體管(guan)施加(jia)的(de)電壓VGS越(yue)(yue)高(gao)(gao)，RDS（ON）就會越(yue)(yue)小；反之RDS（ON）就會越(yue)(yue)高(gao)(gao)。注意(yi)RDS（ON）電阻會隨著電流輕微升高(gao)(gao)。關于RDS（ON）電阻的(de)各類(lei)電氣叁數變動(dong)可(ke)在(zai)生產商出示的(de)技術資料表里得知。

3、確定熱要求，設計人員在設計時必須考慮到最壞和真實兩種情況

一般建議(yi)采用(yong)針(zhen)對最(zui)壞(huai)的結果(guo)計(ji)算，因為這個(ge)結果(guo)提供更大的安(an)全(quan)余量，能夠確保系(xi)統不會失效。