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場效應管和mos管區別在哪里 場效應管的三個工作區域介紹

本文章由注冊用戶 淺嘗不止— 上傳提供 2024-04-17 評論 0
摘要:場效管(fet)是一種半導體裝置,它利用電場效應控制輸入回路電流,并以此命名。mos管是金屬(metal)-氧化物(oxide)-半導體(semiconductor)場效應晶體管,或稱金屬絕緣體(insulator)半導體。接下來本文將帶來場效應管和mos管區別在哪里以及場效應管的三個工作區域介紹,一起到文中來看看吧!

一、場效應管和mos管區別在哪里

場效應管之所以稱為場效應管,是因為它的工作方式是在柵極與源極之間增加電場來控制漏極與源極之間的電流,最大的特點就是柵極是基本沒有電流流過的。那么場效應管和mos管區別在哪里呢?

1、主題不同

(1)場效應管:v型槽mos場效應管。它是繼mosfet之后新(xin)興的高效功率開關(guan)器件(jian)。

(2)mos管(guan):金屬(shu)-氧化物-半導體場效應管(guan)屬(shu)絕緣柵型。

2、特性不同

(1)場效應管:mos場(chang)效應管(guan)不僅繼承(cheng)了(le)輸入阻抗高(≥108W)、驅動電(dian)流(約為(wei)(wei)0.1μA),而且(qie)還具有耐壓高(最高可耐壓)、工作(zuo)電(dian)流(1.5A~100A)、輸出功率高(約為(wei)(wei)108W)、驅動電(dian)流(約0.1μA)等優(you)良特性(xing)。

(2)mos管:其主要特(te)征是金(jin)屬柵極和溝道之間有(you)一(yi)層二氧化硅絕緣層,因此(ci)有(you)很高的輸入電阻(最(zui)高可達1015Ω)。

3、規則不同

(1)場(chang)效應管:功(gong)率晶體管的優點(dian)集于一身,因(yin)此在電壓放(fang)大器(qi)(電壓放(fang)大倍數達到數千倍)、功(gong)率放(fang)大器(qi)、開關電源和(he)逆變器(qi)等方(fang)面得到了(le)廣泛的應用。

(2)mos管:當vgs=0時是處于截止狀態(tai),再加上(shang)正確的(de)vgs,大部分載體會被吸(xi)引到柵(zha)極上(shang),從而“加強”這一區域(yu)的(de)載體,形成導(dao)電(dian)溝(gou)道(dao)。

二、場效應管的三個工作區域介紹

前文已(yi)經簡(jian)單了解(jie)了場(chang)效(xiao)應管和mos管區別在哪里,接著咱們就重點(dian)來了解(jie)效(xiao)應管,來看(kan)看(kan)場(chang)效(xiao)應管的三個工作區域是什(shen)么。

場效應管(guan)有三(san)個極(ji):源極(ji)(s),柵極(ji)(g),漏(lou)極(ji)(d),對應于晶體管(guan)的(de)發射極(ji),基極(ji),以及集電極(ji)。場效應管(guan)的(de)三(san)個區(qu)域:截止(zhi)區(qu),恒流區(qu),可變(bian)電阻區(qu),分別對應于三(san)極(ji)管(guan)的(de)截止(zhi)區(qu),放大區(qu)以及飽(bao)和(he)區(qu)。

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