一、mos管燒掉的原因有哪些

mos管，全稱為金屬氧化物半導體場效應管，是一種常用于電子電路中的半導體器件。但是，在電路設計和操作過程中，常常會發生mos管燒毀的情況，導致電子設備的故障。那么，mos管燒毀的原因(yin)是什么呢？本文將從多個方面分步(bu)驟闡述(shu)。

1、加熱過程中因氧化層受損

mos管的(de)(de)核心是(shi)由(you)金(jin)屬(shu)控制電流(liu)(liu)流(liu)(liu)動(dong)的(de)(de)金(jin)屬(shu)柵極和半導(dao)體(ti)材料組成的(de)(de)氧化(hua)層。氧化(hua)層中的(de)(de)氧化(hua)物(wu)具有良好的(de)(de)隔(ge)離性，以防止電流(liu)(liu)流(liu)(liu)入。但是(shi)，如果氧化(hua)層在制造(zao)過程中受到損(sun)壞(huai)，或(huo)在使用過程中由(you)于局(ju)部加熱導(dao)致損(sun)壞(huai)，將使mos管的(de)(de)隔(ge)離性大(da)大(da)降低(di)，從而導(dao)致電路短路，隨(sui)之而來的(de)(de)是(shi)mos管的(de)(de)燒毀。

2、通電時因超過承受電壓

mos管在(zai)使(shi)用(yong)過(guo)程(cheng)中(zhong)，必須保(bao)持適當的(de)電壓和電流范圍。如果電路設(she)計或(huo)使(shi)用(yong)中(zhong)對電壓過(guo)高或(huo)電流過(guo)大，將(jiang)導致(zhi)mos管內部的(de)元(yuan)器件無法承受，致(zhi)使(shi)內部失效和燒毀。

3、外部應力因素作用

在(zai)電(dian)子(zi)電(dian)路中(zhong)，mos管的工作溫(wen)度受到外(wai)界環境(jing)因(yin)素的影響。如(ru)地震、高溫(wen)、潮濕等極(ji)端環境(jing)下，mos管可(ke)能會受到損壞，從而導致(zhi)失效(xiao)和燒毀。此外(wai)，日常使用中(zhong)人為因(yin)素，如(ru)不當連(lian)接、彎曲、撞擊(ji)等亦可(ke)能導致(zhi)mos管損壞。

4、由于使用壽命過長

mos管(guan)(guan)是(shi)一種電子元(yuan)器件，其使用(yong)壽命是(shi)有(you)限的。在使用(yong)時間過長、性能下降的情況(kuang)下，會出現(xian)各種各樣的燒毀現(xian)象。在mos管(guan)(guan)老化過程中，電極之間漸(jian)漸(jian)失(shi)去隔離性能，同時通電時也會出現(xian)許多“噪聲(sheng)”，這些因(yin)(yin)素都可能導致(zhi)mos管(guan)(guan)的失(shi)效(xiao)(xiao)。總的來說，mos管(guan)(guan)燒毀是(shi)由多種因(yin)(yin)素共同作用(yong)而(er)形成的。想要有(you)效(xiao)(xiao)避免mos管(guan)(guan)燒毀，我們(men)應(ying)該在選擇和使用(yong)mos管(guan)(guan)時嚴格按照規范操作。對于(yu)一旦有(you)了問題，及時采取維(wei)修措施以(yi)確(que)保設備(bei)正常運轉。

二、MOS管失效的5大原因及解決措施介紹

1、雪崩失效（電壓失效）

雪崩失效也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達到了一定(ding)的能力從而導致MOSFET失效。

雪崩失效的預防措施：雪崩失效歸根結(jie)底是電壓(ya)失效，因(yin)此預防我(wo)們(men)著重從電壓(ya)來考慮。

2、柵極電壓失效

造成柵極電壓異常高的主要原因有三：生產、運輸、裝配過程中的靜電；電力系統運行中設備和電路寄生參數引起的高(gao)壓(ya)諧(xie)振；在高(gao)壓(ya)沖擊過(guo)程中，高(gao)壓(ya)通過(guo)Ggd傳輸到(dao)電網(wang)（在雷擊試驗中，這(zhe)種原(yuan)因引起的故障更常(chang)見）。

柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)電(dian)壓(ya)(ya)失效(xiao)的(de)(de)預防措施：柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)和源(yuan)(yuan)極(ji)(ji)(ji)之(zhi)間(jian)的(de)(de)過電(dian)壓(ya)(ya)保(bao)護：如果柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)和源(yuan)(yuan)極(ji)(ji)(ji)之(zhi)間(jian)的(de)(de)阻(zu)抗(kang)過高，漏極(ji)(ji)(ji)和源(yuan)(yuan)極(ji)(ji)(ji)之(zhi)間(jian)電(dian)壓(ya)(ya)的(de)(de)突然變(bian)化將通(tong)過電(dian)極(ji)(ji)(ji)間(jian)電(dian)容耦(ou)合到柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)上，導(dao)致(zhi)非常(chang)高的(de)(de)UGS電(dian)壓(ya)(ya)超(chao)調(diao)，從而導(dao)致(zhi)柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)超(chao)調(diao)。氧化物層永(yong)久性損壞。如果是正(zheng)方向(xiang)上的(de)(de)UGS瞬態電(dian)壓(ya)(ya)，設備也可能導(dao)通(tong)錯誤。為(wei)此，應適當降(jiang)低柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)驅動電(dian)路的(de)(de)阻(zu)抗(kang)，并(bing)在柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)和源(yuan)(yuan)極(ji)(ji)(ji)之(zhi)間(jian)并(bing)聯一個阻(zu)尼電(dian)阻(zu)或一個穩壓(ya)(ya)約20V的(de)(de)調(diao)壓(ya)(ya)器。必須特別注意防止開(kai)門操(cao)作。

3、SOA失效（電流失效）

SOA失效是指電源在運行時異常的大電流和電壓同時疊加在MOSFET上面，造成瞬時局部發熱而導致的破壞模式。或者是芯片與散熱器及封裝不能及時達到熱平衡導致熱積累，持續的發熱使溫度超過氧(yang)化層限(xian)制而導致的熱擊穿(chuan)模(mo)式。

SOA失效的(de)預防措施：（1）確保在最差條件下，MOSFET的(de)所有(you)功(gong)率限制(zhi)條件均在SOA限制(zhi)線以內。（2）將OCP功(gong)能一定(ding)要(yao)做精確細(xi)致。

4、靜電失效

靜(jing)電(dian)(dian)的基本物(wu)理特性是：有(you)吸引(yin)力或斥(chi)力；有(you)電(dian)(dian)場，與地球有(you)電(dian)(dian)位差(cha)；產生(sheng)放(fang)電(dian)(dian)電(dian)(dian)流。

靜電(dian)(dian)失效預防措施：MOS電(dian)(dian)路輸入(ru)端的(de)保(bao)護(hu)二極管在通(tong)電(dian)(dian)時的(de)電(dian)(dian)流(liu)容限為1毫安。當可能出現過(guo)大(da)的(de)瞬時輸入(ru)電(dian)(dian)流(liu)（大(da)于(yu)10mA）時，輸入(ru)保(bao)護(hu)電(dian)(dian)阻應(ying)串聯(lian)，同時，由于(yu)保(bao)護(hu)電(dian)(dian)路吸收(shou)的(de)瞬時能量有限，過(guo)大(da)的(de)瞬時信號和(he)過(guo)高(gao)的(de)靜電(dian)(dian)電(dian)(dian)壓(ya)會使(shi)保(bao)護(hu)電(dian)(dian)路失效。因(yin)此，在焊(han)(han)接過(guo)程中，烙鐵(tie)必(bi)須(xu)可靠接地，以防止(zhi)設備輸入(ru)端子泄漏。一般使(shi)用時，斷電(dian)(dian)后，可利用烙鐵(tie)的(de)余熱(re)進行焊(han)(han)接，其接地腳應(ying)先焊(han)(han)好。

5、體二極管故障

在橋式(shi)、LLC等有(you)用到(dao)體二極(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)進行(xing)續(xu)流(liu)的(de)(de)拓撲(pu)結(jie)構中(zhong)，由于體二極(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)遭(zao)受(shou)破(po)壞而導致的(de)(de)失(shi)效。在不(bu)(bu)同的(de)(de)拓撲(pu)和(he)電(dian)路中(zhong)，MOS管(guan)(guan)具有(you)不(bu)(bu)同的(de)(de)作用。例如，在LLC中(zhong)，體二極(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)的(de)(de)速度也是(shi)影(ying)響MOS管(guan)(guan)可靠性的(de)(de)一個重要因素。由于二極(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)本身是(shi)寄生參數，因此很(hen)難區(qu)分漏源體二極(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)故障和(he)漏源電(dian)壓故障。二極(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)故障的(de)(de)解決方(fang)案主要是(shi)通過結(jie)合自(zi)身電(dian)路來分析(xi)。