一、mos管的vgs電壓是什么意思

Vgs是柵極(ji)相對于源極(ji)的(de)電壓。

與NMOS一樣，導通(tong)的PMOS的工作區域也分為(wei)非(fei)飽和區，臨界飽和點和飽和區。當然(ran)，不論NMOS還是PMOS，當未形(xing)成反型溝道時，都處于截(jie)止區，其電(dian)壓條件是：|VGS|>|VTP（PMOS）|，值(zhi)得注意(yi)的是，PMOS的VGS和VTP都是負值(zhi)。

PMOS集成電(dian)路是一種(zhong)適合在(zai)低速、低頻領域內應(ying)用的(de)(de)器件。PMOS集成電(dian)路采用-24V電(dian)壓供(gong)電(dian)。MOS場(chang)效應(ying)晶體管具有(you)很高的(de)(de)輸入阻抗，在(zai)電(dian)路中便(bian)于直接耦合，容(rong)易(yi)制成規模(mo)大的(de)(de)集成電(dian)路。

二、MOS管各項參數分別是什么含義

1、開啟電壓VT

開啟電(dian)壓(ya)（又稱閾(yu)值(zhi)(zhi)電(dian)壓(ya)）：使(shi)得源極S和漏極D之間開始形(xing)成導電(dian)溝道所需的(de)柵極電(dian)壓(ya)，標準(zhun)的(de)N溝道MOS管，VT約為3～6V，通過(guo)工藝上的(de)改(gai)進，可(ke)以使(shi)MOS管的(de)VT值(zhi)(zhi)降到2～3V。

2、直流輸入電阻RGS

即在柵(zha)源極之(zhi)間加的電(dian)壓(ya)與柵(zha)極電(dian)流(liu)(liu)之(zhi)比，這一特性有時以流(liu)(liu)過柵(zha)極的柵(zha)流(liu)(liu)表示(shi)，MOS管的RGS可以很容易地(di)超過1010Ω。

3、漏源擊穿電壓BVDS

在(zai)VGS=0（增(zeng)強型）的(de)(de)條件下，在(zai)增(zeng)加漏(lou)源電(dian)壓過程(cheng)中使(shi)ID開始劇增(zeng)時(shi)的(de)(de)VDS稱(cheng)為(wei)漏(lou)源擊(ji)穿(chuan)電(dian)壓BVDS，ID劇增(zeng)的(de)(de)原因有下列兩個方面：（1）漏(lou)極附近耗(hao)盡(jin)層的(de)(de)雪崩(beng)擊(ji)穿(chuan)，（2）漏(lou)源極間的(de)(de)穿(chuan)通擊(ji)穿(chuan)，有些MOS管(guan)中，其溝道長度較短，不斷增(zeng)加VDS會使(shi)漏(lou)區的(de)(de)耗(hao)盡(jin)層一直(zhi)(zhi)擴展到源區，使(shi)溝道長度為(wei)零(ling)，即(ji)產(chan)生漏(lou)源間的(de)(de)穿(chuan)通，穿(chuan)通后，源區中的(de)(de)多數載流子，將直(zhi)(zhi)接受耗(hao)盡(jin)層電(dian)場的(de)(de)吸引(yin)，到達漏(lou)區，產(chan)生大(da)的(de)(de)ID。

4、柵源擊穿電壓BVGS

在增加柵(zha)源電壓過程中(zhong)，使柵(zha)極電流IG由(you)零開始劇(ju)增時的VGS，稱為柵(zha)源擊穿電壓BVGS。

5、低頻跨導gm

在(zai)VDS為某一(yi)(yi)固定(ding)數值的條件下，漏(lou)極(ji)電流的微變(bian)(bian)量和(he)引起(qi)這個(ge)變(bian)(bian)化的柵(zha)源電壓(ya)微變(bian)(bian)量之比(bi)稱(cheng)為跨導，gm反(fan)映(ying)了柵(zha)源電壓(ya)對漏(lou)極(ji)電流的控(kong)制能力，是表(biao)征MOS管放大能力的一(yi)(yi)個(ge)重要參數，一(yi)(yi)般在(zai)十分之幾至幾mA/V的范(fan)圍(wei)內(nei)。

6、導通電阻RON

導通(tong)電(dian)(dian)阻RON說明了VDS對(dui)ID的(de)影響，是漏極特(te)性某一(yi)點切線的(de)斜率(lv)的(de)倒數(shu)，在(zai)飽和區(qu)，ID幾(ji)(ji)乎不隨VDS改變(bian)，RON的(de)數(shu)值很大(da)，一(yi)般(ban)在(zai)幾(ji)(ji)十千歐到幾(ji)(ji)百(bai)千歐之間(jian)，由于在(zai)數(shu)字電(dian)(dian)路(lu)中，MOS管導通(tong)時經(jing)常工作在(zai)VDS=0的(de)狀態(tai)下，所(suo)以這時的(de)導通(tong)電(dian)(dian)阻RON可用原點的(de)RON來近(jin)似，對(dui)一(yi)般(ban)的(de)MOS管而言，RON的(de)數(shu)值在(zai)幾(ji)(ji)百(bai)歐以內。

7、極間電容

三個電極(ji)之(zhi)間都存(cun)在(zai)著極(ji)間電容：柵源電容CGS、柵漏(lou)(lou)電容CGD和漏(lou)(lou)源電容CDS，CGS和CGD約為1～3pF，CDS約在(zai)0.1～1pF之(zhi)間。

8、低頻噪聲系數NF

噪聲(sheng)是(shi)由管子(zi)內(nei)部(bu)載流子(zi)運動(dong)的(de)(de)(de)不(bu)規(gui)則性(xing)所(suo)引起的(de)(de)(de)，由于它(ta)的(de)(de)(de)存(cun)在，就(jiu)使一個放(fang)大器即(ji)便在沒有信(xin)號輸人時，在輸出(chu)端也(ye)出(chu)現(xian)不(bu)規(gui)則的(de)(de)(de)電壓或電流變化，噪聲(sheng)性(xing)能的(de)(de)(de)大小(xiao)通常用噪聲(sheng)系數(shu)NF來(lai)表示，它(ta)的(de)(de)(de)單位(wei)為分貝（dB），這個數(shu)值越小(xiao)，代表管子(zi)所(suo)產生的(de)(de)(de)噪聲(sheng)越小(xiao)，低(di)頻(pin)噪聲(sheng)系數(shu)是(shi)在低(di)頻(pin)范圍(wei)內(nei)測出(chu)的(de)(de)(de)噪聲(sheng)系數(shu)，場效應管的(de)(de)(de)噪聲(sheng)系數(shu)約為幾個分貝，它(ta)比(bi)雙極(ji)性(xing)三極(ji)管的(de)(de)(de)要(yao)小(xiao)。