一、mos管的vgs電壓是什么意思

Vgs是柵(zha)極相對于(yu)源極的(de)電壓。

與NMOS一(yi)樣(yang)，導通的PMOS的工作區(qu)域也分(fen)為非飽(bao)和(he)(he)區(qu)，臨(lin)界飽(bao)和(he)(he)點和(he)(he)飽(bao)和(he)(he)區(qu)。當然(ran)，不論(lun)NMOS還是(shi)PMOS，當未形成反型溝道時，都處(chu)于截(jie)止區(qu)，其電壓條(tiao)件(jian)是(shi)：|VGS|>|VTP（PMOS）|，值(zhi)得注意的是(shi)，PMOS的VGS和(he)(he)VTP都是(shi)負(fu)值(zhi)。

PMOS集成電(dian)路(lu)是(shi)一種適合(he)在低速、低頻領(ling)域內(nei)應用(yong)的器件(jian)。PMOS集成電(dian)路(lu)采用(yong)-24V電(dian)壓供電(dian)。MOS場效應晶(jing)體管具(ju)有很高的輸入阻抗，在電(dian)路(lu)中便于直接(jie)耦合(he)，容易制成規(gui)模大的集成電(dian)路(lu)。

二、MOS管各項參數分別是什么含義

1、開啟電壓VT

開(kai)啟電壓(ya)（又稱閾值電壓(ya)）：使(shi)得源極(ji)(ji)S和(he)漏極(ji)(ji)D之間開(kai)始形成導電溝(gou)道所(suo)需(xu)的柵極(ji)(ji)電壓(ya)，標準的N溝(gou)道MOS管(guan)，VT約為3～6V，通過工藝上的改進，可以使(shi)MOS管(guan)的VT值降到2～3V。

2、直流輸入電阻RGS

即在柵源極(ji)之間加的(de)電壓與柵極(ji)電流之比，這一特性有時以流過(guo)(guo)柵極(ji)的(de)柵流表示，MOS管的(de)RGS可以很(hen)容易(yi)地超過(guo)(guo)1010Ω。

3、漏源擊穿電壓BVDS

在(zai)VGS=0（增強型）的(de)(de)條(tiao)件(jian)下，在(zai)增加漏(lou)(lou)源電(dian)(dian)壓過程中使(shi)(shi)ID開始劇增時(shi)的(de)(de)VDS稱為(wei)漏(lou)(lou)源擊(ji)穿(chuan)電(dian)(dian)壓BVDS，ID劇增的(de)(de)原因有(you)下列兩個方面(mian)：（1）漏(lou)(lou)極附近耗(hao)盡層(ceng)的(de)(de)雪(xue)崩擊(ji)穿(chuan)，（2）漏(lou)(lou)源極間(jian)的(de)(de)穿(chuan)通(tong)擊(ji)穿(chuan)，有(you)些MOS管(guan)中，其(qi)溝道長度較(jiao)短(duan)，不(bu)斷(duan)增加VDS會使(shi)(shi)漏(lou)(lou)區的(de)(de)耗(hao)盡層(ceng)一直(zhi)擴展到源區，使(shi)(shi)溝道長度為(wei)零，即(ji)產生漏(lou)(lou)源間(jian)的(de)(de)穿(chuan)通(tong)，穿(chuan)通(tong)后，源區中的(de)(de)多數載流子，將直(zhi)接受耗(hao)盡層(ceng)電(dian)(dian)場(chang)的(de)(de)吸(xi)引(yin)，到達(da)漏(lou)(lou)區，產生大的(de)(de)ID。

4、柵源擊穿電壓BVGS

在增(zeng)加柵源(yuan)電(dian)(dian)壓過程中，使柵極電(dian)(dian)流IG由零開始劇(ju)增(zeng)時的VGS，稱為柵源(yuan)擊穿電(dian)(dian)壓BVGS。

5、低頻跨導gm

在VDS為某一固定數(shu)值(zhi)的條(tiao)件下，漏(lou)(lou)極電(dian)流(liu)的微(wei)變(bian)量和引起這個變(bian)化的柵(zha)源電(dian)壓(ya)微(wei)變(bian)量之比稱為跨導，gm反映(ying)了柵(zha)源電(dian)壓(ya)對漏(lou)(lou)極電(dian)流(liu)的控(kong)制(zhi)能力(li)，是表征MOS管放(fang)大(da)能力(li)的一個重要參數(shu)，一般在十分(fen)之幾至幾mA/V的范(fan)圍內。

6、導通電阻RON

導通(tong)電(dian)阻RON說明了VDS對(dui)ID的(de)影響，是(shi)漏(lou)極特性某一點切線的(de)斜率的(de)倒數(shu)，在(zai)飽(bao)和(he)區(qu)，ID幾(ji)乎不隨VDS改變，RON的(de)數(shu)值(zhi)很大，一般在(zai)幾(ji)十千歐(ou)到幾(ji)百(bai)千歐(ou)之(zhi)間，由(you)于在(zai)數(shu)字電(dian)路中，MOS管(guan)導通(tong)時經常工作在(zai)VDS=0的(de)狀態(tai)下，所(suo)以(yi)這時的(de)導通(tong)電(dian)阻RON可用原(yuan)點的(de)RON來(lai)近似，對(dui)一般的(de)MOS管(guan)而言，RON的(de)數(shu)值(zhi)在(zai)幾(ji)百(bai)歐(ou)以(yi)內。

7、極間電容

三個(ge)電極之間都存(cun)在著極間電容：柵(zha)源電容CGS、柵(zha)漏電容CGD和漏源電容CDS，CGS和CGD約為(wei)1～3pF，CDS約在0.1～1pF之間。

8、低頻噪聲系數NF

噪(zao)(zao)(zao)聲(sheng)是由(you)管子(zi)內(nei)部載流子(zi)運動的(de)不(bu)規則性所(suo)引起(qi)的(de)，由(you)于它(ta)的(de)存在，就(jiu)使一個(ge)放大(da)器即便在沒(mei)有(you)信號輸人時(shi)，在輸出(chu)(chu)端也出(chu)(chu)現不(bu)規則的(de)電壓(ya)或(huo)電流變化，噪(zao)(zao)(zao)聲(sheng)性能的(de)大(da)小(xiao)通常用噪(zao)(zao)(zao)聲(sheng)系數(shu)NF來表示，它(ta)的(de)單位為分貝（dB），這個(ge)數(shu)值(zhi)越小(xiao)，代表管子(zi)所(suo)產(chan)生(sheng)的(de)噪(zao)(zao)(zao)聲(sheng)越小(xiao)，低頻(pin)噪(zao)(zao)(zao)聲(sheng)系數(shu)是在低頻(pin)范圍(wei)內(nei)測出(chu)(chu)的(de)噪(zao)(zao)(zao)聲(sheng)系數(shu)，場(chang)效應管的(de)噪(zao)(zao)(zao)聲(sheng)系數(shu)約(yue)為幾個(ge)分貝，它(ta)比雙極性三極管的(de)要小(xiao)。