一、IGBT單管和IGBT模塊的區別是什么

IGBT是IGBT芯片、IGBT單(dan)管和(he)(he)IGBT模(mo)(mo)塊的(de)統稱，IGBT單(dan)管和(he)(he)IGBT模(mo)(mo)塊都(dou)是由IGBT芯片制(zhi)成的(de)，它們的(de)控制(zhi)電路是一樣的(de)，作(zuo)用(yong)和(he)(he)工(gong)作(zuo)原理也基本一樣，IGBT模(mo)(mo)塊可以看成是多個IGBT單(dan)管集(ji)成的(de)模(mo)(mo)塊，那么它們有啥區別呢(ni)？

1、IGBT單管：IGBT單管是分立IGBT，封(feng)裝較(jiao)模塊小(xiao)，電流通常在50A以下，它的的封(feng)裝形式比較(jiao)簡單，只有一個IGBT晶體(ti)管，一個反(fan)向恢復(fu)二極(ji)管和(he)一個可選的溫度傳(chuan)感(gan)器。

2、IGBT模塊：IGBT模塊是模塊化封裝的IGBT芯片，封裝形(xing)式比較復雜，除了IGBT晶體管，反向恢復二極管，溫度傳(chuan)感(gan)器(qi)(qi)外(wai)，還有漏電感(gan)，濾波(bo)電容(rong)器(qi)(qi)，放大器(qi)(qi)，控制電路等。

除此(ci)之外，IGBT單(dan)管(guan)和IGBT模塊(kuai)的(de)(de)區別還有：IGBT單(dan)管(guan)的(de)(de)功耗比(bi)IGBT模塊(kuai)低，IGBT模塊(kuai)的(de)(de)可靠性比(bi)IGBT單(dan)管(guan)更(geng)高。

二、IGBT單管能代替IGBT模塊嗎

應用IGBT的(de)時(shi)候，用IGBT單(dan)管(guan)還是IGBT模(mo)塊主(zhu)要(yao)看應用領域的(de)需求，一般來(lai)說，不(bu)建(jian)議用IGBT單(dan)管(guan)代(dai)替IGBT模(mo)塊，原因(yin)主(zhu)要(yao)有兩(liang)點：

1、IGBT單管(guan)的散熱條件沒有IGBT模塊(kuai)的散熱條件好(hao)。

2、就制作來說，IGBT模塊的(de)(de)(de)一致性(xing)比(bi)IGBT單(dan)管的(de)(de)(de)一致性(xing)好，IGBT模塊中，IGBT芯片的(de)(de)(de)并聯排線(xian)肯定比(bi)單(dan)管的(de)(de)(de)好，會降低很(hen)多雜散參數(shu)，IGBT模塊并聯的(de)(de)(de)芯片都是(shi)同(tong)一片wafer上取(qu)出相鄰的(de)(de)(de)IGBT芯片，IGBT芯片參數(shu)非常相似，如(ru)果換成單(dan)管，那就不一定了。

當然，要用IGBT單管代(dai)替IGBT模塊也(ye)不(bu)是(shi)不(bu)行，只是(shi)余(yu)量要留大一些。