一、IGBT功率模塊多少錢一個

IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構成的(de)功率(lv)模塊(kuai)，具有(you)輸入(ru)阻抗大(da)、驅(qu)動功率(lv)小(xiao)、控制電路簡單、開(kai)關(guan)損耗(hao)小(xiao)、通(tong)斷速度快、工作頻(pin)率(lv)高(gao)等(deng)優點，那么IGBT功率(lv)模塊(kuai)的(de)價格是多少呢？

一(yi)般(ban)一(yi)個IGBT功率(lv)模塊，其價格主要受到它的生產廠家、電壓電流等參數(shu)、設(she)計、性能等因(yin)素的影響，市場(chang)價從(cong)一(yi)兩百(bai)元一(yi)個到兩三千元一(yi)個的都有。（以上價格來源網絡(luo)，僅供參考）

二、igbt模塊怎么選型

igbt模塊(kuai)在(zai)選型時，主要考慮以下三個(ge)方面：

1、IGBT額定電壓的選擇

三相380V輸入(ru)電(dian)(dian)壓經過整流和濾(lv)波后(hou)，直流母線(xian)(xian)電(dian)(dian)壓的最大值：在開(kai)關工作的條件(jian)下，IGBT的額定電(dian)(dian)壓一般要求高于直流母線(xian)(xian)電(dian)(dian)壓的兩倍，根據(ju)IGBT規格的電(dian)(dian)壓等級(ji)，選擇1200V電(dian)(dian)壓等級(ji)的IGBT。

2、IGBT額定電流的選擇

以30kW變頻器為(wei)例，負載(zai)(zai)電(dian)(dian)流約(yue)為(wei)79A，由于負載(zai)(zai)電(dian)(dian)氣啟動或加速時(shi)，電(dian)(dian)流過(guo)載(zai)(zai)，一般(ban)要求1分鐘的(de)時(shi)間內，承受(shou)1.5倍的(de)過(guo)流，擇最大負載(zai)(zai)電(dian)(dian)流約(yue)為(wei)119A，建議(yi)選(xuan)擇150A電(dian)(dian)流等級的(de)IGBT。

3、IGBT開關參數的選擇

變頻器的(de)開關頻率一般小(xiao)于10kHZ，而在實際工作的(de)過程中，IGBT的(de)通態損(sun)耗所(suo)占比(bi)(bi)重比(bi)(bi)較大，建(jian)議選擇低(di)通態型IGBT。

三、IGBT選型四個基本要求

igbt選型時(shi)，還(huan)要考慮是否符合下面四(si)個基本要求：

1、安全工作區

在安全(quan)上面(mian)，主(zhu)要(yao)指的(de)(de)(de)(de)就(jiu)是(shi)(shi)電(dian)的(de)(de)(de)(de)特性，除了(le)常規的(de)(de)(de)(de)變壓電(dian)流以(yi)外，還有RBSOA（反(fan)向偏置安全(quan)工作(zuo)區）和(he)(he)(he)短路時(shi)候(hou)的(de)(de)(de)(de)保護。這(zhe)(zhe)(zhe)個(ge)(ge)是(shi)(shi)開通和(he)(he)(he)關(guan)(guan)斷時(shi)候(hou)的(de)(de)(de)(de)波形(xing)，這(zhe)(zhe)(zhe)個(ge)(ge)是(shi)(shi)相關(guan)(guan)的(de)(de)(de)(de)開通和(he)(he)(he)關(guan)(guan)斷時(shi)候(hou)的(de)(de)(de)(de)定義。我們(men)做設計時(shi)結(jie)溫(wen)的(de)(de)(de)(de)要(yao)求(qiu)(qiu)，比如長期工作(zuo)必須保證(zheng)溫(wen)度在安全(quan)結(jie)溫(wen)之內，做到這(zhe)(zhe)(zhe)個(ge)(ge)保證(zheng)的(de)(de)(de)(de)前(qian)提是(shi)(shi)需要(yao)把這(zhe)(zhe)(zhe)個(ge)(ge)模(mo)塊相關(guan)(guan)的(de)(de)(de)(de)應用(yong)參(can)數(shu)提供出來。這(zhe)(zhe)(zhe)樣(yang)結(jie)合這(zhe)(zhe)(zhe)個(ge)(ge)參(can)數(shu)以(yi)后(hou)，結(jie)合選擇(ze)的(de)(de)(de)(de)IGBT的(de)(de)(de)(de)芯片，還有封裝和(he)(he)(he)電(dian)流，來計算(suan)產品的(de)(de)(de)(de)功(gong)耗和(he)(he)(he)結(jie)溫(wen)，是(shi)(shi)否滿足安全(quan)結(jie)溫(wen)的(de)(de)(de)(de)需求(qiu)(qiu)。

2、熱限制

熱限制就是我們脈沖功，時間比較短，它可能不是一個長期的工作點，可能突然增加，這個時候就涉及到另外一個指標，動態熱阻，我們叫做熱阻抗。這個波動量會直接影響到IGBT的可靠(kao)性，就是壽命問題。你(ni)可以看到50赫(he)茲波動量(liang)非(fei)常小，這(zhe)個(ge)壽命才長。

3、封裝要求

封(feng)裝(zhuang)(zhuang)要求主要體現在外部封(feng)裝(zhuang)(zhuang)材(cai)料上面，在結構(gou)上面，其實也(ye)會(hui)和封(feng)裝(zhuang)(zhuang)相關，因為設計(ji)的(de)時候(hou)會(hui)布局和結構(gou)的(de)問題，不同的(de)設計(ji)它的(de)差(cha)異性(xing)很大。

4、可靠性要求

可(ke)靠性問(wen)題，前(qian)面說到(dao)了結溫(wen)(wen)波動，其中最擔心就是(shi)結溫(wen)(wen)波動以(yi)后，會影(ying)響到(dao)這個綁定線和(he)(he)硅片之間的(de)焊接，時(shi)(shi)間久了，這兩(liang)種(zhong)材(cai)料本(ben)身(shen)之間的(de)熱抗系數(shu)都(dou)有差異，所以(yi)在(zai)結溫(wen)(wen)波動情況下，長時(shi)(shi)間下來，如果工藝不好的(de)話，就會出現裂痕甚至(zhi)斷裂，這樣就會影(ying)響保護壓降，進一步(bu)導(dao)致(zhi)IGBT失效。第(di)二個就是(shi)熱循環(huan)，主要體現在(zai)硅片和(he)(he)DCB這個材(cai)料之間，他們之間的(de)差異性。