一、IGBT內部結構是怎樣的

IGBT是絕緣柵雙極晶體管的英文簡稱，是一種三端半導體開關的器件，可用于多種電子設備中的高效快速開關的場景中，一般igbt有三個端子(zi)：集電極、發射(she)極和(he)柵極，它們都是(shi)附有金屬層，但是(shi)柵極端子(zi)上的金屬材料具有二氧化(hua)硅層。IGBT結構(gou)其實就相當于(yu)是(shi)一個四層半導體的器(qi)件。四層器(qi)件是(shi)通過組合(he)PNP和(he)NPN晶(jing)體管來實現的，它們構(gou)成了P-N-P-N排(pai)列。

IGBT模塊是由IGBT芯片和反并聯二極管、驅動電路等組成的(de)，它(ta)的(de)結(jie)構(gou)相比IGBT芯片要復雜很多(duo)，一般由以下幾部分組成：

1、散熱基板：IGBT模塊(kuai)最下(xia)面的就是(shi)散熱基板，主要目的是(shi)把IGBT開關過程產生的熱量快速(su)傳遞出去。

2、DBC基板：全稱為(wei)直接覆(fu)銅(tong)(tong)基(ji)板(ban)(ban)，一(yi)(yi)共包含3層(ceng)，中(zhong)間為(wei)陶(tao)瓷絕緣層(ceng)，上(shang)下為(wei)覆(fu)銅(tong)(tong)層(ceng)，簡單來講(jiang)就是在一(yi)(yi)個絕緣材料的兩面覆(fu)上(shang)一(yi)(yi)層(ceng)銅(tong)(tong)皮，然后在正面刻(ke)蝕(shi)出能夠走電(dian)流的圖形，背面要(yao)直接焊(han)接在散熱基(ji)板(ban)(ban)上(shang)，因此就不需要(yao)刻(ke)蝕(shi)了。

3、IGBT芯片：IGBT芯片是IGBT模塊的核心。

4、Diode芯片：二極管的(de)電流(liu)方(fang)(fang)向是從上至下的(de)，正好與IGBT的(de)電流(liu)方(fang)(fang)向相(xiang)反。

5、鍵合線：IGBT芯片、Diode芯片以及DBC的(de)上銅層(ceng)互(hu)連一般采用鍵合(he)線實現，常用的(de)鍵合(he)線有鋁線和銅線兩種(zhong)。

二、igbt工作原理是什么

IGBT是一種功(gong)率晶體管，主要用于變頻器逆變和其(qi)他逆變電路，將(jiang)直(zhi)流(liu)電壓(ya)逆變成頻率可(ke)調的交流(liu)電，其(qi)工作原理是通過(guo)不斷激活和停用其(qi)柵極端子來開啟、關閉(bi)：

IGBT的(de)(de)開關(guan)作用是(shi)通(tong)過加正向柵(zha)極(ji)電(dian)壓形成(cheng)溝道(dao)，給PNP晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)提供(gong)基極(ji)電(dian)流，使IGBT導通(tong)。反之(zhi)(zhi)，加反向門極(ji)電(dian)壓消除溝道(dao)，切斷基極(ji)電(dian)，使IGBT關(guan)斷。若在IGBT的(de)(de)柵(zha)極(ji)和(he)發射(she)極(ji)之(zhi)(zhi)間(jian)(jian)加上驅動(dong)正電(dian)壓，則MOSFET導通(tong)，這樣PNP晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)的(de)(de)集電(dian)極(ji)與(yu)基極(ji)之(zhi)(zhi)間(jian)(jian)成(cheng)低阻狀態而使得晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)導通(tong);若IGBT的(de)(de)柵(zha)極(ji)和(he)發射(she)極(ji)之(zhi)(zhi)間(jian)(jian)電(dian)壓為0V，則MOSFET截止(zhi)，切斷PNP晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)基極(ji)電(dian)流的(de)(de)供(gong)給，使得晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)截止(zhi)。