一、igbt屬于什么器件

IGBT，即(ji)Insulate-Gate Bipolar Transistor，翻譯過來是(shi)絕緣柵雙(shuang)極晶體(ti)管(guan)，是(shi)半(ban)導體(ti)領域里(li)分立器件(jian)中特(te)別重要的一個(ge)分支。

IGBT屬(shu)于電壓控制器件，是(shi)由BJT和MOSFET組成的(de)復合(he)功率半導(dao)體器件，它能(neng)(neng)夠根(gen)據工業裝置中(zhong)的(de)信號指令(ling)來(lai)調節(jie)電路中(zhong)的(de)電壓、電流、頻率、相位等，以(yi)實現精準調控的(de)目的(de)，廣泛應(ying)用于電機(ji)節(jie)能(neng)(neng)、軌道交通、智能(neng)(neng)電網(wang)、航空航天、家用電器、汽(qi)車(che)電子、新能(neng)(neng)源發電、新能(neng)(neng)源汽(qi)車(che)等領(ling)域。

二、igbt有幾種類型

IGBT是(shi)半導體器件，它的應用廣泛，種類(lei)也有很多，按照不(bu)同的分(fen)類(lei)方法可分(fen)為不(bu)同類(lei)型(xing)：

1、在應用層面根據電壓等級劃分

（1）低壓IGBT：指電壓等級(ji)在1000V以內的IGBT器件，例如常見的650V應用于新能源汽車(che)、家電、工業變頻等領域。

（2）中壓IGBT：指電壓等級在(zai)1000-1700V區間的IGBT器件，如(ru)1200V應用于(yu)光伏、電磁(ci)爐、家(jia)電、焊機、工業變(bian)頻(pin)器和新能源汽車領(ling)域，1700V應用于(yu)光伏和風電領(ling)域。

（3）高壓IGBT：指電(dian)壓等級3300V及以上的(de)IGBT器(qi)件，比如(ru)3300V和6500V應用于高鐵(tie)、動車、智能電(dian)網，以及工業電(dian)機(ji)等領域(yu)。

2、在產品層面根據封裝方式劃分

（1）IGBT單(dan)(dan)管：封裝規模較小，一般指封裝單(dan)(dan)顆IGBT芯片(pian)，電(dian)流通(tong)常在(zai)50A以下，適(shi)用于消費、工業家電(dian)領域。

（2）IGBT模塊：IGBT最常見的形式，是將多個IGBT芯(xin)片集(ji)成封裝在一起，功率更大(da)、散熱(re)能力更強，適用于高壓大(da)功率平臺，如新能源車、光(guang)伏、高鐵(tie)等(deng)。

（3）功率(lv)集成（IPM）：指把IGBT模塊加上散熱器、電(dian)容等(deng)外圍(wei)組(zu)件，組(zu)成一個功能(neng)較為完整(zheng)和復雜的智能(neng)功率(lv)模塊。

3、根據是否具有N+緩沖層劃分

（1）穿通IGBT：又稱(cheng)PT-IGBT、非對稱(cheng)IGBT，在發(fa)射極接觸處具有(you)N+區(qu)，具有(you)不(bu)對稱(cheng)的(de)(de)電(dian)壓阻(zu)斷(duan)能力，即(ji)正向(xiang)和(he)反(fan)向(xiang)擊(ji)穿(chuan)電(dian)壓不(bu)同(tong)。非對稱(cheng)IGBT的(de)(de)反(fan)向(xiang)擊(ji)穿(chuan)電(dian)壓小于其正向(xiang)擊(ji)穿(chuan)電(dian)壓，同(tong)時具有(you)更快的(de)(de)切換速度。穿(chuan)通IGBT是單向(xiang)的(de)(de)，不(bu)能處理反(fan)向(xiang)電(dian)壓。因此，它(ta)們被(bei)用于逆變器和(he)斬波(bo)器電(dian)路等直流電(dian)路中。

（2）非穿通IGBT：又稱NPT-IGBT、對稱IGBT，它沒(mei)有(you)由(you)發射極接觸額外(wai)的(de)(de)N+區域，結構的(de)(de)對稱性(xing)提供了對稱的(de)(de)擊穿電壓(ya)特性(xing)，即正向和反向擊穿電壓(ya)相等。由(you)于(yu)這個(ge)原因，它們(men)被用(yong)于(yu)交(jiao)流電路。