一、igbt屬于什么器件

IGBT，即Insulate-Gate Bipolar Transistor，翻譯過來是絕緣柵雙(shuang)極(ji)晶體(ti)管，是半(ban)導體(ti)領域里分立(li)器件(jian)中特別重(zhong)要(yao)的一個分支。

IGBT屬(shu)于(yu)電(dian)(dian)(dian)壓控(kong)制器件，是由BJT和(he)MOSFET組(zu)成的(de)(de)(de)復(fu)合(he)功率(lv)半(ban)導體器件，它能夠根據工業裝置中的(de)(de)(de)信號(hao)指令(ling)來調節(jie)電(dian)(dian)(dian)路中的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)壓、電(dian)(dian)(dian)流、頻率(lv)、相(xiang)位等，以(yi)實現精(jing)準調控(kong)的(de)(de)(de)目的(de)(de)(de)，廣泛應用于(yu)電(dian)(dian)(dian)機節(jie)能、軌道交通、智能電(dian)(dian)(dian)網(wang)、航(hang)空航(hang)天、家用電(dian)(dian)(dian)器、汽(qi)車電(dian)(dian)(dian)子、新(xin)能源發電(dian)(dian)(dian)、新(xin)能源汽(qi)車等領(ling)域。

二、igbt有幾種類型

IGBT是半(ban)導體器(qi)件，它的(de)應用(yong)廣泛(fan)，種類也(ye)有很多(duo)，按照不同的(de)分(fen)類方法可(ke)分(fen)為(wei)不同類型：

1、在應用層面根據電壓等級劃分

（1）低(di)壓(ya)IGBT：指(zhi)電壓(ya)等(deng)級在1000V以(yi)內的IGBT器(qi)件(jian)，例如常(chang)見的650V應(ying)用于新能源汽(qi)車、家(jia)電、工業變頻(pin)等(deng)領域(yu)。

（2）中壓IGBT：指電(dian)壓等級在1000-1700V區間(jian)的IGBT器件，如1200V應(ying)用于光(guang)伏、電(dian)磁爐、家電(dian)、焊(han)機、工業變頻器和新能源汽車領域，1700V應(ying)用于光(guang)伏和風電(dian)領域。

（3）高壓IGBT：指電(dian)(dian)壓等級3300V及(ji)(ji)以上的IGBT器件，比(bi)如3300V和6500V應用于高鐵、動車(che)、智能電(dian)(dian)網，以及(ji)(ji)工業電(dian)(dian)機等領域(yu)。

2、在產品層面根據封裝方式劃分

（1）IGBT單管：封裝規(gui)模(mo)較小，一般指封裝單顆IGBT芯片(pian)，電(dian)流通常在50A以下，適用(yong)于(yu)消(xiao)費、工業家(jia)電(dian)領域。

（2）IGBT模塊：IGBT最常見的(de)形式(shi)，是將(jiang)多個IGBT芯片(pian)集成(cheng)封裝在(zai)一起(qi)，功率更(geng)大(da)、散(san)熱能(neng)力更(geng)強，適(shi)用于高壓(ya)大(da)功率平(ping)臺，如新能(neng)源(yuan)車、光伏、高鐵等。

（3）功率集成（IPM）：指把(ba)IGBT模塊(kuai)加上散熱器、電容等外圍組件，組成一個功能(neng)較為完整和復雜的智能(neng)功率模塊(kuai)。

3、根據是否具有N+緩沖層劃分

（1）穿通IGBT：又稱(cheng)PT-IGBT、非對稱(cheng)IGBT，在發射極接觸處具(ju)(ju)有N+區(qu)，具(ju)(ju)有不(bu)(bu)對稱(cheng)的(de)電壓(ya)(ya)(ya)阻斷能(neng)力(li)，即正向(xiang)和反(fan)向(xiang)擊穿(chuan)電壓(ya)(ya)(ya)不(bu)(bu)同。非對稱(cheng)IGBT的(de)反(fan)向(xiang)擊穿(chuan)電壓(ya)(ya)(ya)小于(yu)其正向(xiang)擊穿(chuan)電壓(ya)(ya)(ya)，同時具(ju)(ju)有更(geng)快的(de)切換(huan)速度。穿(chuan)通(tong)IGBT是單向(xiang)的(de)，不(bu)(bu)能(neng)處理反(fan)向(xiang)電壓(ya)(ya)(ya)。因此，它們被用于(yu)逆(ni)變器和斬波器電路(lu)等(deng)直流電路(lu)中。

（2）非穿通IGBT：又稱(cheng)NPT-IGBT、對稱(cheng)IGBT，它沒有由發射極接觸額外的N+區(qu)域，結構(gou)的對稱(cheng)性提供了對稱(cheng)的擊穿電壓(ya)(ya)特(te)性，即正向和反向擊穿電壓(ya)(ya)相(xiang)等。由于這個原因，它們被用于交流(liu)電路(lu)。