一、igbt是什么意思

igbt是(shi)英(ying)文Insulated Gate Bipolar Transistor的(de)首字(zi)母縮(suo)寫，翻(fan)譯過(guo)來的(de)中文全稱是(shi)絕緣柵(zha)雙(shuang)極(ji)型晶體管，是(shi)由雙(shuang)極(ji)型三極(ji)管和絕緣柵(zha)型場(chang)效(xiao)應管組成(cheng)的(de)復合(he)全控型電壓驅動(dong)式功率(lv)半導體器件，是(shi)能源變(bian)換與傳(chuan)輸的(de)核心器件。

IGBT俗稱(cheng)電(dian)(dian)力電(dian)(dian)子裝置的“CPU”，具(ju)有驅(qu)動功率小(xiao)而飽和壓(ya)降低的優點，非常適合應用(yong)于直流(liu)電(dian)(dian)壓(ya)為(wei)600V及以上的變流(liu)系統如交(jiao)流(liu)電(dian)(dian)機、變頻器(qi)、開關電(dian)(dian)源、照明(ming)電(dian)(dian)路(lu)、牽(qian)引傳動等(deng)(deng)領域(yu)，作為(wei)國(guo)家戰略性新興(xing)產業，在軌道交(jiao)通、智能電(dian)(dian)網、航空航天、電(dian)(dian)動汽車與新能源裝備等(deng)(deng)領域(yu)應用(yong)極廣。

二、IGBT模塊是什么意思

IGBT是一種(zhong)半導體器(qi)件(jian)，應(ying)用于高功(gong)率(lv)、高頻率(lv)的(de)電(dian)(dian)(dian)力電(dian)(dian)(dian)子(zi)設(she)備中，igbt模(mo)塊(kuai)則是由多(duo)個IGBT芯片、驅動(dong)電(dian)(dian)(dian)路、保護電(dian)(dian)(dian)路、散熱器(qi)、連接器(qi)等(deng)組成的(de)模(mo)塊(kuai)化(hua)電(dian)(dian)(dian)子(zi)元件(jian)。

IGBT模(mo)(mo)塊具有(you)節能(neng)、安裝維修方便、散(san)熱穩定等特點，封(feng)裝后(hou)的(de)IGBT模(mo)(mo)塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源(yuan)等設備上。

IGBT芯(xin)片(pian)(pian)通常不會單獨使用，而是模(mo)(mo)塊(kuai)化使用，模(mo)(mo)塊(kuai)化處理通過內(nei)部的絕(jue)緣隔(ge)離(li)結構(gou)，使IGBT芯(xin)片(pian)(pian)與外(wai)界(jie)隔(ge)離(li)，以(yi)防止外(wai)界(jie)的干(gan)擾(rao)和(he)(he)(he)電(dian)磁干(gan)擾(rao)。同時，模(mo)(mo)塊(kuai)內(nei)部的驅動電(dian)路和(he)(he)(he)保護電(dian)路可以(yi)有效地(di)控制和(he)(he)(he)保護IGBT芯(xin)片(pian)(pian)，提(ti)高設備的可靠性和(he)(he)(he)安(an)全性。

三、什么是IGBT功率模塊

IGBT功(gong)率(lv)模(mo)塊(kuai)(kuai)采用IC驅動，各種驅動保護電(dian)路，高性能IGBT芯片，新型封裝技(ji)術(shu)，從復合功(gong)率(lv)模(mo)塊(kuai)(kuai)PIM發(fa)展(zhan)到智能功(gong)率(lv)模(mo)塊(kuai)(kuai)IPM、電(dian)力電(dian)子積木PEBB、電(dian)力模(mo)塊(kuai)(kuai)IPEM。PIM向高壓(ya)大電(dian)流發(fa)展(zhan)，其(qi)產(chan)品(pin)水平(ping)(ping)為1200—1800A/1800—3300V，IPM除(chu)用于變(bian)頻(pin)調(diao)速外，600A/2000V的(de)(de)IPM已用于電(dian)力機車VVVF逆變(bian)器(qi)(qi)。平(ping)(ping)面(mian)低(di)電(dian)感封裝技(ji)術(shu)是大電(dian)流IGBT模(mo)塊(kuai)(kuai)為有源器(qi)(qi)件的(de)(de)PEBB，用于艦艇上(shang)的(de)(de)導彈發(fa)射裝置。IPEM采用共燒瓷片多芯片模(mo)塊(kuai)(kuai)技(ji)術(shu)組裝PEBB，大大降低(di)電(dian)路接線電(dian)感，進步系統(tong)效率(lv)，現已開發(fa)成功(gong)第二代IPEM，其(qi)中所有的(de)(de)無源元件以(yi)埋(mai)(mai)層(ceng)方式掩埋(mai)(mai)在襯底中。智能化、模(mo)塊(kuai)(kuai)化成為IGBT發(fa)展(zhan)熱(re)門。