一、igbt是什么意思

igbt是英(ying)文(wen)Insulated Gate Bipolar Transistor的首(shou)字(zi)母縮(suo)寫，翻譯過來的中文(wen)全稱是絕緣柵雙極(ji)(ji)型晶體管，是由雙極(ji)(ji)型三(san)極(ji)(ji)管和絕緣柵型場效應管組成的復合(he)全控型電壓(ya)驅動式(shi)功(gong)率半(ban)導體器(qi)件，是能源變(bian)換與傳輸的核心器(qi)件。

IGBT俗稱電(dian)力電(dian)子裝置的(de)“CPU”，具(ju)有驅動功率小而飽和壓降低的(de)優點，非常適(shi)合應(ying)用于(yu)直流電(dian)壓為600V及以上的(de)變(bian)流系統如交流電(dian)機、變(bian)頻(pin)器(qi)、開關電(dian)源(yuan)、照明(ming)電(dian)路、牽引傳動等領(ling)(ling)域，作為國家戰略性新(xin)興產業，在軌道(dao)交通、智能電(dian)網、航空航天、電(dian)動汽車與新(xin)能源(yuan)裝備等領(ling)(ling)域應(ying)用極廣。

二、IGBT模塊是什么意思

IGBT是(shi)一種半導體(ti)器件(jian)，應用(yong)于高功率(lv)、高頻率(lv)的電力(li)電子設(she)備中，igbt模塊則是(shi)由多個IGBT芯片、驅動電路(lu)、保護(hu)電路(lu)、散熱器、連接(jie)器等組成的模塊化電子元件(jian)。

IGBT模塊(kuai)具有節能、安裝(zhuang)(zhuang)維修方便、散(san)熱(re)穩定等特點，封裝(zhuang)(zhuang)后的(de)IGBT模塊(kuai)直接應用(yong)于變頻器、UPS不間斷電源等設(she)備上。

IGBT芯(xin)片通(tong)常不會(hui)單獨使(shi)用，而是模(mo)塊化(hua)使(shi)用，模(mo)塊化(hua)處(chu)理通(tong)過(guo)內部(bu)的絕緣隔離結構，使(shi)IGBT芯(xin)片與外界(jie)(jie)隔離，以防(fang)止外界(jie)(jie)的干擾和(he)電(dian)磁干擾。同時，模(mo)塊內部(bu)的驅動電(dian)路和(he)保護電(dian)路可以有效地控制(zhi)和(he)保護IGBT芯(xin)片，提高設(she)備(bei)的可靠性(xing)和(he)安全性(xing)。

三、什么是IGBT功率模塊

IGBT功率(lv)模塊(kuai)(kuai)(kuai)采(cai)用(yong)IC驅動，各(ge)種(zhong)驅動保護電(dian)(dian)(dian)路，高(gao)性能(neng)IGBT芯片，新(xin)型封裝技(ji)術，從復合(he)功率(lv)模塊(kuai)(kuai)(kuai)PIM發展到智能(neng)功率(lv)模塊(kuai)(kuai)(kuai)IPM、電(dian)(dian)(dian)力(li)電(dian)(dian)(dian)子(zi)積木PEBB、電(dian)(dian)(dian)力(li)模塊(kuai)(kuai)(kuai)IPEM。PIM向高(gao)壓大(da)電(dian)(dian)(dian)流發展，其產品(pin)水平為1200—1800A/1800—3300V，IPM除用(yong)于變(bian)頻(pin)調速外(wai)，600A/2000V的(de)(de)IPM已用(yong)于電(dian)(dian)(dian)力(li)機(ji)車VVVF逆變(bian)器。平面低電(dian)(dian)(dian)感(gan)封裝技(ji)術是大(da)電(dian)(dian)(dian)流IGBT模塊(kuai)(kuai)(kuai)為有源器件(jian)的(de)(de)PEBB，用(yong)于艦艇上的(de)(de)導彈發射裝置。IPEM采(cai)用(yong)共(gong)燒(shao)瓷片多芯片模塊(kuai)(kuai)(kuai)技(ji)術組裝PEBB，大(da)大(da)降低電(dian)(dian)(dian)路接線電(dian)(dian)(dian)感(gan)，進步系統效率(lv)，現已開發成(cheng)功第二代IPEM，其中(zhong)所(suo)有的(de)(de)無源元件(jian)以(yi)埋層方式掩埋在襯底(di)中(zhong)。智能(neng)化、模塊(kuai)(kuai)(kuai)化成(cheng)為IGBT發展熱門。