一、固態硬盤的種類有哪些

（一）根據接口分

1、SATA 3.0接口

作為最常見的接口，采用SATA 3.0接口的固態硬盤擁有較高的性價比(bi)。和上(shang)代SATA 2.0接(jie)(jie)口(kou)(kou)相比(bi)，SATA 3.0接(jie)(jie)口(kou)(kou)的傳輸速(su)度可達6GB/S。

2、MSATA接口

MSATA接(jie)口(kou)全稱(cheng)為【Mini-SATA】接(jie)口(kou)，采用(yong)該(gai)接(jie)口(kou)的固(gu)態硬(ying)盤(pan)(pan)比(bi)SATA 3.0接(jie)口(kou)的固(gu)態硬(ying)盤(pan)(pan)在體(ti)積上要小很多(duo)。由于(yu)體(ti)積的優勢，MSATA接(jie)口(kou)的固(gu)態硬(ying)盤(pan)(pan)常(chang)見用(yong)于(yu)輕薄筆記本(ben)，其(qi)傳輸速度(du)和(he)穩定(ding)性和(he)SATA 3.0接(jie)口(kou)的固(gu)態硬(ying)盤(pan)(pan)沒有區別。

3、M.2接口

M.2接(jie)(jie)口的(de)固態硬盤擁(yong)有體(ti)積小(xiao)，性能(neng)強的(de)優點。目前，主流的(de)主板和M.2接(jie)(jie)口固態硬盤都支持(chi)PCI-E 3.0 x 4通道(dao)，理論帶寬可達32Gbps，性能(neng)十分出眾。

4、PCI-E接口

PCI-E接口的固(gu)態硬盤只能(neng)用(yong)(yong)于臺式機，它(ta)采用(yong)(yong)通過總線與CPU直連的方式，擁有優于M.2接口固(gu)態硬盤的性(xing)(xing)能(neng)，但是價(jia)格(ge)比較高(gao)，適用(yong)(yong)性(xing)(xing)也比較低。

除(chu)此之外(wai)，固態硬(ying)盤還有SATA-express、SAS、U.2等接口(kou)類型。

（二）根據存儲介質分

固態硬盤的(de)存(cun)(cun)儲(chu)介(jie)質分為兩種(zhong)，一種(zhong)是采(cai)用閃(shan)存(cun)(cun)（FLASH芯片）作為存(cun)(cun)儲(chu)介(jie)質，另外一種(zhong)是采(cai)用DRAM作為存(cun)(cun)儲(chu)介(jie)質。最新還有(you)英特(te)爾(er)的(de)XPoint顆(ke)粒技術。

1、基于閃存的固態硬盤

基于閃存的(de)固態(tai)硬(ying)盤（IDEFLASH DISK、Serial ATA Flash Disk）：采(cai)用FLASH芯片(pian)作(zuo)為存儲介質(zhi)，這(zhe)也是通(tong)常(chang)所說的(de)SSD。它的(de)外觀可以被制作(zuo)成多種模(mo)樣，例如：筆(bi)記本硬(ying)盤、微硬(ying)盤、存儲卡、U盤等(deng)樣式。這(zhe)種SSD固態(tai)硬(ying)盤最大的(de)優點就是可以移動，而且數據保護不(bu)受電源控制，能適應于各種環境，適合于個人用戶使用，壽命較長，可靠性很高(gao)，高(gao)品質(zhi)的(de)家(jia)用固態(tai)硬(ying)盤可輕松(song)達到普通(tong)家(jia)用機(ji)械硬(ying)盤十分(fen)之一的(de)故障(zhang)率。

2、基于DRAM類

基于(yu)DRAM的固態硬盤(pan)：采用DRAM作(zuo)為存儲介質，應(ying)用范(fan)圍較(jiao)窄。它仿效傳統硬盤(pan)的設(she)計，可被絕大部分操作(zuo)系(xi)統的文件系(xi)統工具(ju)進行卷設(she)置和(he)管(guan)理，并提供工業標準的PCI和(he)FC接口用于(yu)連(lian)接主(zhu)機或者服(fu)務器。應(ying)用方式可分為SSD硬盤(pan)和(he)SSD硬盤(pan)陣列兩種。它是一種高(gao)性能的存儲器，理論上可以(yi)無限(xian)寫入，美中不足的是需要獨立電源(yuan)來保(bao)護(hu)數(shu)據安全。DRAM固態硬盤(pan)屬(shu)于(yu)比較(jiao)非主(zhu)流的設(she)備。

3、基于3D XPoint類

基于(yu)3D XPoint的固態(tai)(tai)硬盤：原理上接近DRAM，但是屬于(yu)非易失(shi)存(cun)儲。讀取延時極低，可輕松達(da)到(dao)現有(you)固態(tai)(tai)硬盤的百分之(zhi)一，并(bing)且有(you)接近無限的存(cun)儲壽命。缺點是密度相對NAND較低，成本極高，多用于(yu)發燒(shao)級臺式機和數(shu)據中心。

二、固態硬盤的內部結構

簡單一句(ju)概括：固態硬盤=PCB板+主控芯(xin)片(pian)+緩存顆粒+閃存芯(xin)片(pian)。

固態硬盤的內(nei)部構(gou)造十分(fen)(fen)簡單(dan)，固態硬(ying)盤內(nei)主體(ti)其實就是(shi)一(yi)塊PCB板(ban)，而(er)這塊PCB板(ban)上最基本(ben)的配件就是(shi)控制芯(xin)片，緩存(cun)芯(xin)片（部分(fen)(fen)低端(duan)硬(ying)盤無緩存(cun)芯(xin)片）和用于存(cun)儲(chu)數據的閃(shan)存(cun)芯(xin)片。

1、PCB板

主要負責板上各(ge)部件(jian)、外(wai)部的電腦各(ge)硬件(jian)進(jin)行數(shu)據(ju)交(jiao)互。

2、主控芯片

市面上比較(jiao)常見(jian)的(de)(de)固(gu)(gu)態(tai)硬盤(pan)有LSISandForce、Indilinx、JMicron、Marvell、Phison、Sandisk、Goldendisk、Samsung以及Intel等多(duo)種主(zhu)控(kong)(kong)(kong)芯(xin)片(pian)。主(zhu)控(kong)(kong)(kong)芯(xin)片(pian)是固(gu)(gu)態(tai)硬盤(pan)的(de)(de)大腦，其(qi)作用一是合理調配數據(ju)在(zai)各個閃存(cun)芯(xin)片(pian)上的(de)(de)負(fu)荷(he)，二(er)則是承擔(dan)了(le)整個數據(ju)中(zhong)轉，連接閃存(cun)芯(xin)片(pian)和外部SATA接口。不同的(de)(de)主(zhu)控(kong)(kong)(kong)之間能(neng)力相差(cha)非常大，在(zai)數據(ju)處理能(neng)力、算法，對閃存(cun)芯(xin)片(pian)的(de)(de)讀取寫(xie)入控(kong)(kong)(kong)制上會有非常大的(de)(de)不同，直接會導(dao)致固(gu)(gu)態(tai)硬盤(pan)產品(pin)在(zai)性能(neng)上差(cha)距(ju)高達(da)數倍(bei)。

3、緩存顆粒

主控芯(xin)(xin)(xin)片(pian)旁邊是緩(huan)存顆(ke)(ke)粒，固態硬(ying)盤(pan)(pan)和(he)傳(chuan)統硬(ying)盤(pan)(pan)一樣(yang)需要高速的緩(huan)存芯(xin)(xin)(xin)片(pian)輔助主控芯(xin)(xin)(xin)片(pian)進行(xing)數據處理。緩(huan)存顆(ke)(ke)粒容量(liang)比同(tong)一塊(kuai)PCB板上的閃存顆(ke)(ke)粒小(xiao)很(hen)(hen)多，但讀(du)(du)寫(xie)速度會(hui)快很(hen)(hen)多，電(dian)腦進行(xing)硬(ying)盤(pan)(pan)讀(du)(du)寫(xie)，一般會(hui)優先(xian)使用(yong)(yong)緩(huan)存顆(ke)(ke)粒。不(bu)過有一些廉價固態硬(ying)盤(pan)(pan)方案為(wei)了節省(sheng)成本(ben)，省(sheng)去(qu)了這塊(kuai)緩(huan)存芯(xin)(xin)(xin)片(pian)，這樣(yang)對于使用(yong)(yong)時(shi)的性能會(hui)有一定的影(ying)響，尤其是小(xiao)文件的讀(du)(du)寫(xie)性能和(he)使用(yong)(yong)壽命(ming)上。

4、閃存芯片

除了(le)主控芯片和(he)緩存(cun)芯片外，PCB板上(shang)其余(yu)大部分(fen)位置都是NAND Flash閃存(cun)芯片。

NAND Flash閃(shan)存(cun)芯片又分為SLC（Single-Level Cell，單(dan)(dan)層單(dan)(dan)元）、MLC（Multi-Level Cell，雙層單(dan)(dan)元）、TLC（Trinary-Level Cell，三層單(dan)(dan)元）、QLC（Quad-Level Cell，四層單(dan)(dan)元）這四種規格。

另(ling)還有一種eMLC（Enterprise Multi-Level Cell，企業多(duo)層單元）是MLC NAND閃存(cun)的一個“增(zeng)強型”的版本，它在一定程度上彌補了SLC和MLC之間的性(xing)能和耐(nai)久(jiu)差距。