一、固態硬盤的種類有哪些

（一）根據接口分

1、SATA 3.0接口

作為最常見的接口，采用SATA 3.0接口的固態硬盤擁(yong)有較高的性(xing)價比。和上代SATA 2.0接口(kou)相比，SATA 3.0接口(kou)的傳輸速度(du)可達6GB/S。

2、MSATA接口

MSATA接口(kou)(kou)全稱為【Mini-SATA】接口(kou)(kou)，采用該接口(kou)(kou)的固(gu)(gu)態硬(ying)(ying)盤(pan)(pan)比SATA 3.0接口(kou)(kou)的固(gu)(gu)態硬(ying)(ying)盤(pan)(pan)在(zai)體積上要小很多。由于體積的優(you)勢，MSATA接口(kou)(kou)的固(gu)(gu)態硬(ying)(ying)盤(pan)(pan)常見用于輕薄筆記本，其傳輸速度和穩(wen)定(ding)性和SATA 3.0接口(kou)(kou)的固(gu)(gu)態硬(ying)(ying)盤(pan)(pan)沒有區(qu)別。

3、M.2接口

M.2接口(kou)的(de)(de)固(gu)態(tai)硬盤擁有體(ti)積(ji)小(xiao)，性(xing)能強的(de)(de)優點(dian)。目前，主流(liu)的(de)(de)主板(ban)和(he)M.2接口(kou)固(gu)態(tai)硬盤都支持PCI-E 3.0 x 4通道，理論帶(dai)寬可達32Gbps，性(xing)能十分(fen)出眾。

4、PCI-E接口

PCI-E接口的(de)(de)固(gu)態硬盤只能用(yong)于(yu)臺式機(ji)，它采用(yong)通過總線與CPU直連的(de)(de)方式，擁有(you)優于(yu)M.2接口固(gu)態硬盤的(de)(de)性(xing)能，但是價格比較高，適用(yong)性(xing)也(ye)比較低。

除此之外，固(gu)態硬盤還(huan)有(you)SATA-express、SAS、U.2等接口類型。

（二）根據存儲介質分

固態硬盤的存儲介質分(fen)為兩(liang)種(zhong)，一種(zhong)是采用(yong)閃存（FLASH芯片）作為存儲介質，另(ling)外一種(zhong)是采用(yong)DRAM作為存儲介質。最新(xin)還有英特爾的XPoint顆粒技術。

1、基于閃存的固態硬盤

基于(yu)閃存(cun)的(de)固態(tai)硬(ying)(ying)盤(pan)(pan)(pan)（IDEFLASH DISK、Serial ATA Flash Disk）：采(cai)用(yong)FLASH芯片作為存(cun)儲(chu)介質，這(zhe)也是通(tong)常所說的(de)SSD。它的(de)外觀可(ke)(ke)以(yi)被制(zhi)作成多種(zhong)模樣，例如：筆記本硬(ying)(ying)盤(pan)(pan)(pan)、微(wei)硬(ying)(ying)盤(pan)(pan)(pan)、存(cun)儲(chu)卡(ka)、U盤(pan)(pan)(pan)等樣式。這(zhe)種(zhong)SSD固態(tai)硬(ying)(ying)盤(pan)(pan)(pan)最大(da)的(de)優點就(jiu)是可(ke)(ke)以(yi)移動，而且數據(ju)保護不(bu)受電源(yuan)控制(zhi)，能適應(ying)于(yu)各(ge)種(zhong)環境，適合于(yu)個人用(yong)戶使(shi)用(yong)，壽命較長，可(ke)(ke)靠性很高，高品(pin)質的(de)家用(yong)固態(tai)硬(ying)(ying)盤(pan)(pan)(pan)可(ke)(ke)輕松達(da)到(dao)普通(tong)家用(yong)機械硬(ying)(ying)盤(pan)(pan)(pan)十分之一的(de)故障率。

2、基于DRAM類

基于DRAM的固態硬盤(pan)：采用(yong)DRAM作為(wei)存(cun)儲介質，應(ying)用(yong)范(fan)圍較窄。它(ta)仿效(xiao)傳(chuan)統硬盤(pan)的設計，可被絕大(da)部分操作系(xi)統的文件系(xi)統工(gong)具進行卷設置(zhi)和(he)管理，并提供(gong)工(gong)業標準的PCI和(he)FC接(jie)(jie)口用(yong)于連接(jie)(jie)主機或(huo)者(zhe)服務器(qi)。應(ying)用(yong)方式可分為(wei)SSD硬盤(pan)和(he)SSD硬盤(pan)陣列兩種。它(ta)是(shi)一種高性能(neng)的存(cun)儲器(qi)，理論上(shang)可以無限寫入，美中不足(zu)的是(shi)需要獨立電(dian)源(yuan)來保護數據(ju)安全。DRAM固態硬盤(pan)屬于比較非主流的設備。

3、基于3D XPoint類

基于3D XPoint的(de)(de)固(gu)態(tai)硬盤：原理上接近DRAM，但是屬于非易(yi)失(shi)存(cun)儲(chu)。讀取(qu)延(yan)時極低(di)，可(ke)輕松達(da)到現有(you)固(gu)態(tai)硬盤的(de)(de)百分(fen)之一，并且(qie)有(you)接近無限(xian)的(de)(de)存(cun)儲(chu)壽命。缺點是密度相對NAND較低(di)，成本極高，多用于發燒(shao)級臺式(shi)機(ji)和數據中心。

二、固態硬盤的內部結構

簡單一句概(gai)括：固態(tai)硬(ying)盤(pan)=PCB板(ban)+主控芯(xin)片+緩存(cun)顆粒+閃存(cun)芯(xin)片。

固態硬盤的(de)(de)內部構造十分(fen)簡單，固(gu)態硬盤內主體其(qi)實就是一塊(kuai)PCB板，而這塊(kuai)PCB板上最基本的(de)(de)配件就是控制芯片，緩(huan)(huan)存芯片（部分(fen)低端硬盤無緩(huan)(huan)存芯片）和用于存儲數據的(de)(de)閃存芯片。

1、PCB板

主(zhu)要負責(ze)板上各部(bu)件、外(wai)部(bu)的(de)電(dian)腦各硬件進(jin)行數據交互。

2、主控芯片

市面上比較(jiao)常(chang)見的(de)固態(tai)硬(ying)盤(pan)有LSISandForce、Indilinx、JMicron、Marvell、Phison、Sandisk、Goldendisk、Samsung以及Intel等多種主控(kong)芯(xin)片。主控(kong)芯(xin)片是固態(tai)硬(ying)盤(pan)的(de)大腦(nao)，其作用一是合理調配數(shu)據(ju)在各個閃(shan)存芯(xin)片上的(de)負荷，二則是承擔了整個數(shu)據(ju)中轉，連接閃(shan)存芯(xin)片和外部(bu)SATA接口。不(bu)同的(de)主控(kong)之(zhi)間能(neng)力相差(cha)非(fei)常(chang)大，在數(shu)據(ju)處(chu)理能(neng)力、算(suan)法，對閃(shan)存芯(xin)片的(de)讀取寫入控(kong)制上會有非(fei)常(chang)大的(de)不(bu)同，直接會導致固態(tai)硬(ying)盤(pan)產品在性能(neng)上差(cha)距高達數(shu)倍。

3、緩存顆粒

主(zhu)控(kong)芯片旁邊是(shi)緩(huan)存(cun)(cun)顆(ke)粒，固態硬(ying)(ying)盤(pan)和傳統硬(ying)(ying)盤(pan)一樣(yang)需要高(gao)速(su)的(de)緩(huan)存(cun)(cun)芯片輔助主(zhu)控(kong)芯片進行(xing)數(shu)據處理。緩(huan)存(cun)(cun)顆(ke)粒容量比同一塊PCB板上(shang)的(de)閃存(cun)(cun)顆(ke)粒小很多(duo)，但讀(du)寫(xie)速(su)度會(hui)快(kuai)很多(duo)，電腦(nao)進行(xing)硬(ying)(ying)盤(pan)讀(du)寫(xie)，一般(ban)會(hui)優先使(shi)用緩(huan)存(cun)(cun)顆(ke)粒。不過(guo)有(you)一些廉價固態硬(ying)(ying)盤(pan)方案為了(le)節省成本(ben)，省去了(le)這塊緩(huan)存(cun)(cun)芯片，這樣(yang)對于使(shi)用時(shi)的(de)性能會(hui)有(you)一定的(de)影響，尤其是(shi)小文(wen)件的(de)讀(du)寫(xie)性能和使(shi)用壽(shou)命(ming)上(shang)。

4、閃存芯片

除了主控芯(xin)片(pian)(pian)和緩存芯(xin)片(pian)(pian)外，PCB板上其余大部分(fen)位置都(dou)是NAND Flash閃存芯(xin)片(pian)(pian)。

NAND Flash閃存芯片又分(fen)為(wei)SLC（Single-Level Cell，單層單元）、MLC（Multi-Level Cell，雙層單元）、TLC（Trinary-Level Cell，三層單元）、QLC（Quad-Level Cell，四層單元）這(zhe)四種(zhong)規格。

另(ling)還有一種eMLC（Enterprise Multi-Level Cell，企業多(duo)層單元）是MLC NAND閃存的(de)一個“增強型”的(de)版本，它在一定(ding)程度上彌(mi)補了SLC和MLC之間(jian)的(de)性能和耐(nai)久差距。