一、二極管激光器和半導體激光器的區別
二極(ji)管激光(guang)器和(he)半導體(ti)激光(guang)器在發光(guang)材料(liao)、光(guang)譜范圍(wei)(wei)、使用范圍(wei)(wei)、工作(zuo)原理、輻射光(guang)譜的差異、電流(liu)的差異和(he)應用方面有所不同。以下(xia)是詳細介紹:
1、發光材料不同。二極管(guan)激光(guang)器的主要發光(guang)材料(liao)是氮(dan)化(hua)鎵(jia),而半導體激光(guang)器的發光(guang)材料(liao)主要是氮(dan)化(hua)鎵(jia)。
2、光譜范圍不同。二極管(guan)激光器的(de)(de)光波長主要在800至1000納米范圍內,屬于近紅外波段;半導(dao)體激光器的(de)(de)光譜范圍為650至1100納米。
3、使用范圍不同。二極管激光器通常用于淺組織照射,如消炎和減輕疼痛;半導體激光器更適用于牙(ya)周(zhou)病(bing)、牙(ya)髓炎等(deng)問題的治療。
4、工作原理和輻射光譜不同。半導體激(ji)(ji)(ji)光(guang)器(qi)是受(shou)激(ji)(ji)(ji)輻射的(de)結果,采用(yong)電能激(ji)(ji)(ji)勵激(ji)(ji)(ji)光(guang),而二(er)極管激(ji)(ji)(ji)光(guang)器(qi)是自發(fa)的(de)輻射產生(sheng)光(guang)。半導體激(ji)(ji)(ji)光(guang)器(qi)發(fa)出的(de)光(guang)具有(you)(you)高(gao)單色性(xing),而二(er)極管激(ji)(ji)(ji)光(guang)器(qi)發(fa)出的(de)光(guang)則有(you)(you)寬(kuan)帶譜性(xing)。
5、電流不同。半導體激光(guang)器發射(she)光(guang)需要一個(ge)(ge)高電流的(de)激勵,而二極管激光(guang)器則只需要一個(ge)(ge)低電壓的(de)激勵。
6、應用不同。半導體激光器具(ju)有高功(gong)率、高空間一(yi)致性和窄(zhai)譜性的特點,廣泛(fan)應用于工業、生物醫學等(deng)多(duo)個領(ling)域;二極管激光器因為具(ju)有低(di)功(gong)耗、長(chang)壽命(ming)、體積小(xiao)的特點,在照明、顯示以及室(shi)內嵌(qian)入式等(deng)領(ling)域有廣泛(fan)的應用。
二、二極管激光器的主要技術參數介紹
1、波長:即激(ji)光管工(gong)作(zuo)波長,可作(zuo)光電(dian)開關用的激(ji)光管波長有635nm、650nm、670nm、690nm、780nm、810nm、860nm、980nm等(deng)。
2、閾值電流:即激光(guang)管開(kai)始產(chan)生激光(guang)振蕩的電流,對一般小功率激光(guang)管而言,其值約(yue)在數十毫安(an),具有應變多量子阱結(jie)構的激光(guang)管閾值電流可低(di)至10mA以下。
3、工作電流:即激光管達(da)到額(e)定(ding)輸(shu)出功率時的驅動電流,此值對(dui)于設計調試激光驅動電路較重要。
4、工作電壓:是發出(chu)規(gui)定的(de)(de)光輸(shu)出(chu)時需要的(de)(de)正向電壓。
5、光輸出功率:最大允許(xu)的瞬(shun)時光學功率輸出。這適用于連續或脈(mo)沖操(cao)作模式。
6、暗電流:光電(dian)二極管(guan)反(fan)向(xiang)偏置時的泄漏電(dian)流。暗電(dian)流既取決(jue)于(yu)溫度又(you)取決(jue)于(yu)電(dian)壓,理想的二極管(guan)/光電(dian)二極管(guan)在相反(fan)的方向(xiang)上沒有電(dian)流。?