一、相機cmos是什么意思
數碼相機上的cmos很多人都不知道是什么,其實它是數碼相機的核心成(cheng)像部件,英文(wen)全(quan)稱(cheng)是(shi)Complementary Metal Oxide Semiconductor,翻譯過來是(shi)互補金屬氧化物(wu)半導體。
CMOS原(yuan)本是指制(zhi)造大規模集成電(dian)(dian)(dian)路(lu)芯片用的(de)(de)一(yi)種技術(shu)或(huo)用這種技術(shu)制(zhi)造出來(lai)(lai)的(de)(de)芯片,因為(wei)可讀寫的(de)(de)特性,所以在電(dian)(dian)(dian)腦主板上(shang)用來(lai)(lai)保存BIOS設置(zhi)完電(dian)(dian)(dian)腦硬件(jian)參數后的(de)(de)數據,后來(lai)(lai)CMOS制(zhi)造工(gong)藝也被應用于制(zhi)作數碼影(ying)像器材(cai)的(de)(de)感光(guang)元件(jian),尤(you)其(qi)是片幅規格(ge)較(jiao)大的(de)(de)單反數碼相機,它能接收外(wai)界光(guang)線后轉化為(wei)電(dian)(dian)(dian)能,再(zai)透過芯片上(shang)的(de)(de)模-數轉換器(ADC)將(jiang)獲(huo)得的(de)(de)影(ying)像訊(xun)號轉變為(wei)數字(zi)信號輸出。
二、相機cmos在哪個位置
在(zai)相(xiang)機(ji)中(zhong)(zhong),cmos被用(yong)作圖像傳(chuan)感器,用(yong)于(yu)捕(bu)捉光線并(bing)將其轉(zhuan)換為(wei)數字信號(hao),以(yi)便(bian)在(zai)相(xiang)機(ji)中(zhong)(zhong)形成圖像,一般就(jiu)在(zai)相(xiang)機(ji)的(de)鏡頭后面,位于(yu)傳(chuan)感器板上(shang),這是一個平坦的(de)電路板,其中(zhong)(zhong)包含(han)了所有的(de)電子元件。
不同相(xiang)機(ji)的cmos位置可能略有(you)不同,一般微單相(xiang)機(ji)的cmos通常(chang)拆下鏡(jing)頭(tou)就(jiu)看到了,而單反(fan)相(xiang)機(ji)因(yin)為結構的問題(ti),得把反(fan)光(guang)板抬起(qi)來才能看到。
三、相機的cmos有幾種
相機的cmos按照(zhao)結構不同,可分為(wei)三種類型(xing):前照(zhao)式(shi)(shi)(shi)(FSI)、背照(zhao)式(shi)(shi)(shi)(BSI)以及堆棧式(shi)(shi)(shi):
1、傳統的(de)前(qian)照式結構下,光(guang)(guang)(guang)(guang)線(xian)(xian)經過微(wei)透(tou)鏡和(he)彩色濾光(guang)(guang)(guang)(guang)片后,會(hui)先從光(guang)(guang)(guang)(guang)電二極(ji)管前(qian)方的(de)金屬(shu)排(pai)(pai)線(xian)(xian)之間進入,再聚集在光(guang)(guang)(guang)(guang)電二極(ji)管上。這種結構就導(dao)致(zhi)金屬(shu)排(pai)(pai)線(xian)(xian)會(hui)阻擋和(he)折射(she)部分光(guang)(guang)(guang)(guang)線(xian)(xian),光(guang)(guang)(guang)(guang)電二極(ji)管吸收和(he)利(li)用的(de)光(guang)(guang)(guang)(guang)線(xian)(xian)會(hui)變少到70%甚(shen)至更少,甚(shen)至金屬(shu)排(pai)(pai)線(xian)(xian)造(zao)成的(de)反射(she)還(huan)有(you)可能會(hui)串擾(rao)旁邊(bian)的(de)像(xiang)素,導(dao)致(zhi)顏(yan)色失真。
2、因為前(qian)照(zhao)式(shi)(shi)的(de)(de)這(zhe)個缺(que)點,背照(zhao)式(shi)(shi)結構誕生(sheng)了(le)。與前(qian)照(zhao)式(shi)(shi)的(de)(de)不同在(zai)于其(qi)金屬排線的(de)(de)位(wei)置在(zai)光電二(er)極(ji)管(guan)下方,因此光線幾乎沒有(you)受到干擾就(jiu)到達了(le)光電二(er)極(ji)管(guan),極(ji)大地提升了(le)光線利用率(lv),最(zui)明顯的(de)(de)改善就(jiu)是提升了(le)暗光下的(de)(de)成像質量(liang)。
3、前照(zhao)式和背照(zhao)式都屬于(yu)非堆(dui)棧式結構,堆(dui)棧式cmos和它(ta)們(men)比起來,體積更小,功能和尺寸甚至還更佳(jia),它(ta)是將處理(li)電路(lu)區(qu)域和像(xiang)素區(qu)域分開,用兩個(ge)硅片使(shi)用不(bu)同的(de)制程制造(zao),再堆(dui)疊在一(yi)起,這樣就形成了(le)堆(dui)棧式CMOS,這樣做不(bu)僅提升了(le)像(xiang)素區(qu)域的(de)大小,還增強(qiang)了(le)處理(li)電路(lu)的(de)性能,更是減(jian)小了(le)攝像(xiang)頭(tou)的(de)體積。