如何選擇電子元件

如何(he)(he)選擇(ze)電子(zi)元件(jian)器(qi)件(jian)(如何(he)(he)選擇(ze)保險管，如何(he)(he)選擇(ze)保險絲）

電(dian)子元器(qi)件的(de)選用非常重要。元器(qi)件的(de)失效主(zhu)要集中在以下(xia)四個方(fang)面(mian)：

（1)元器件可靠性問題

元(yuan)(yuan)器件(jian)(jian)(jian)可靠(kao)性(xing)(xing)(xing)問(wen)題即基本失效(xiao)率的問(wen)題，這是一(yi)(yi)(yi)種(zhong)隨機(ji)性(xing)(xing)(xing)質(zhi)的失效(xiao)，與質(zhi)量問(wen)題的區(qu)別是元(yuan)(yuan)器件(jian)(jian)(jian)的失效(xiao)率取決于工作(zuo)應力水平。在(zai)一(yi)(yi)(yi)定的應力水平下，元(yuan)(yuan)器件(jian)(jian)(jian)的失效(xiao)率會(hui)大大下降(jiang)。為剔除不符合(he)(he)使用要求的元(yuan)(yuan)器件(jian)(jian)(jian)，包括電(dian)參數不合(he)(he)格(ge)、密封(feng)性(xing)(xing)(xing)能(neng)不合(he)(he)格(ge)、外(wai)觀(guan)不合(he)(he)格(ge)、穩定性(xing)(xing)(xing)差(cha)、早期失效(xiao)等(deng)，應進行篩(shai)選試(shi)驗，電(dian)子產(chan)品主要元(yuan)(yuan)器件(jian)(jian)(jian)的篩(shai)選試(shi)驗一(yi)(yi)(yi)般要求：

購貨(huo)商要(yao)(yao)提供以(yi)下測(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)報告，高溫測(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)一般(ban)要(yao)(yao)焊接(jie)模(mo)擬測(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)，高溫烤(kao)箱測(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)一般(ban)達不到(dao)實際焊接(jie)要(yao)(yao)求(qiu)，測(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)可以(yi)通道式測(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)回(hui)流焊完成（力鋒推薦：Ｍ系列(lie)測(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)型回(hui)流焊）完全模(mo)擬實際焊接(jie)生(sheng)產(chan)曲(qu)線，這(zhe)樣測(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)過(guo)的器件品質更(geng)有保證！

①電阻(zu)在室(shi)溫下按(an)技術(shu)條件進行100％測試，剔除不合格品。

②普通電(dian)容(rong)器在室溫(wen)下按技術條件進行100％測(ce)試，剔除(chu)不合格品。

③接插件按技術(shu)條件抽樣檢測各種參數。

④半導體器件按以下程序進(jin)行篩選：

目(mu)檢→初測(ce)→高溫(wen)貯存→高低溫(wen)沖擊→電功率老化(hua)→高溫(wen)測(ce)試(shi)(shi)（模擬焊(han)接測(ce)試(shi)(shi)）→低溫(wen)測(ce)試(shi)(shi)→常溫(wen)測(ce)試(shi)(shi)

篩選(xuan)結(jie)束后應計算剔(ti)除率(lv)Q

Q=(n / N)×100%

式中：N——受試(shi)樣品總數；

n——被剔(ti)除(chu)的樣品數；

如(ru)果Q超過標準(zhun)規定(ding)的上限(xian)值，則本批元器件全部不準(zhun)上機，并按(an)有關規定(ding)處理。

（2)制造質量問題

質量問(wen)題(ti)造成的(de)(de)失效與工作(zuo)應(ying)力無關。質量不合(he)格的(de)(de)可以通過嚴(yan)格的(de)(de)檢驗(yan)加以剔除，在(zai)工程應(ying)用(yong)時應(ying)選用(yong)定點生產廠家的(de)(de)成熟產品(pin)，不允許使用(yong)沒有經過認證(zheng)的(de)(de)產品(pin)。

（3)設計問題

首先(xian)是(shi)恰當地選用合適的(de)元(yuan)器件：

①盡(jin)量選用(yong)硅半導體器(qi)件，少(shao)用(yong)或不用(yong)鍺半導體器(qi)件。

②多(duo)采用集成(cheng)電路，減(jian)少分立器件(jian)的數目。

③開(kai)關管選用MOSFET能(neng)簡化驅(qu)動電(dian)路(lu)，減(jian)少損耗。

④輸出整流管盡(jin)量采用(yong)具(ju)有(you)軟(ruan)恢復特性的二極管。

⑤應選(xuan)(xuan)擇金屬封(feng)(feng)裝(zhuang)、陶瓷(ci)封(feng)(feng)裝(zhuang)、玻璃封(feng)(feng)裝(zhuang)的(de)器件。禁止選(xuan)(xuan)用塑料封(feng)(feng)裝(zhuang)的(de)器件。

⑥集(ji)成電路必須是(shi)一(yi)類品或者是(shi)符(fu)合MIL－M－38510、MIL－S－19500標準B－1以上質(zhi)量(liang)等級的(de)軍(jun)品。

⑦設計時盡量少用繼電(dian)器，確有(you)必要(yao)時應(ying)選用接觸(chu)良好(hao)的密封繼電(dian)器。

⑧原則上不(bu)選用電位器，必須(xu)保(bao)留的應(ying)進行固封(feng)處理。

⑨吸收電容器(qi)與開(kai)關管和(he)輸出整流(liu)管的距離(li)應當很近，因流(liu)過高頻電流(liu)，故易升(sheng)溫(wen)，所以要求這些電容器(qi)具有高頻低損耗和(he)耐(nai)高溫(wen)的特(te)性。

在潮濕(shi)和鹽霧環(huan)境(jing)下(xia)，鋁電(dian)解(jie)電(dian)容會發生(sheng)外殼(ke)腐蝕(shi)、容量漂移、漏電(dian)流增大等情(qing)況，所以在艦船和潮濕(shi)環(huan)境(jing)，最好不(bu)要用鋁電(dian)解(jie)電(dian)容。由于受空間(jian)粒子(zi)轟(hong)擊(ji)時，電(dian)解(jie)質(zhi)會分(fen)解(jie)，所以鋁電(dian)解(jie)電(dian)容也不(bu)適(shi)用于航(hang)天電(dian)子(zi)設(she)備的電(dian)源中(zhong)。

鉭電(dian)解電(dian)容溫度和頻率特性較好，耐高低溫，儲存(cun)時間長，性能(neng)穩定可靠，但鉭電(dian)解電(dian)容較重、容積比低、不(bu)耐反壓(ya)、高壓(ya)品種(>125V)較少、價格昂(ang)貴。

關于降額設計：電(dian)(dian)子(zi)元(yuan)器(qi)(qi)件(jian)的(de)基(ji)本(ben)失(shi)效(xiao)率(lv)取決(jue)于工作應(ying)(ying)力(li)(包括電(dian)(dian)、溫(wen)(wen)度(du)、振(zhen)動、沖(chong)擊、頻率(lv)、速度(du)、碰(peng)撞(zhuang)等)。除(chu)個別低應(ying)(ying)力(li)失(shi)效(xiao)的(de)元(yuan)器(qi)(qi)件(jian)外(wai)，其它均表(biao)現為(wei)工作應(ying)(ying)力(li)越高，失(shi)效(xiao)率(lv)越高的(de)特性(xing)。為(wei)了使元(yuan)器(qi)(qi)件(jian)的(de)失(shi)效(xiao)率(lv)降低，所以在電(dian)(dian)路設(she)計時(shi)要(yao)進行降額(e)設(she)計。降額(e)程度(du)，除(chu)可靠性(xing)外(wai)還需考(kao)慮體積、重(zhong)量、成本(ben)等因素。不同的(de)元(yuan)器(qi)(qi)件(jian)降額(e)標準(zhun)亦不同，實踐表(biao)明，大部(bu)分電(dian)(dian)子(zi)元(yuan)器(qi)(qi)件(jian)的(de)基(ji)本(ben)失(shi)效(xiao)率(lv)取決(jue)于電(dian)(dian)應(ying)(ying)力(li)和溫(wen)(wen)度(du)，因而降額(e)也主要(yao)是控制這兩種(zhong)應(ying)(ying)力(li)，以下為(wei)電(dian)(dian)子(zi)產品常用元(yuan)器(qi)(qi)件(jian)的(de)降額(e)系數：

①電阻的功(gong)率降額系數在0.1～0.5之間。

②二極管的(de)功率降額(e)系(xi)數在(zai)0.4以(yi)下，反向耐壓(ya)在(zai)0.5以(yi)下。

③發光二極管．