1、顯(xian)卡芯(xin)片：顯(xian)卡核(he)心型(xing)號差(cha)一(yi)檔，性(xing)能也就差(cha)了一(yi)檔，所以可根據核(he)心型(xing)號來判斷顯(xian)卡的(de)(de)高低，例如，N卡型(xing)號的(de)(de)前綴一(yi)共(gong)有GTX > GTS > GT > GF，其(qi)后的(de)(de)兩位數(shu)或一(yi)位數(shu)代(dai)表代(dai)數(shu)，再其(qi)后兩位數(shu)越大，表示同(tong)代(dai)中(zhong)的(de)(de)性(xing)能就越強(qiang)，后綴有Ti、SE、M、MX，分別表示加強(qiang)版(ban)(ban)、閹割(ge)版(ban)(ban)、移(yi)動版(ban)(ban)、移(yi)動加強(qiang)版(ban)(ban)。

2、流(liu)處(chu)(chu)理(li)器：流(liu)處(chu)(chu)理(li)器是顯(xian)卡(ka)(ka)(ka)的(de)(de)核心(xin)，直接影響(xiang)處(chu)(chu)理(li)能力，對(dui)于N卡(ka)(ka)(ka)和A卡(ka)(ka)(ka)來說(shuo)，流(liu)處(chu)(chu)理(li)單元(yuan)個數(shu)越(yue)多則處(chu)(chu)理(li)能力越(yue)強。N卡(ka)(ka)(ka)和A卡(ka)(ka)(ka)的(de)(de)流(liu)處(chu)(chu)理(li)單元(yuan)可采取近似比(bi)較，N卡(ka)(ka)(ka)的(de)(de)1個流(liu)處(chu)(chu)理(li)單元(yuan)相當于AMD的(de)(de)5個流(liu)處(chu)(chu)理(li)單元(yuan)。

3、顯(xian)存(cun)位寬(kuan)：顯(xian)存(cun)位寬(kuan)表示一個時鐘周期內所(suo)能(neng)傳送數(shu)據的位數(shu)，位數(shu)越大則傳輸量(liang)越大，常(chang)見的有64位、128位和256位顯(xian)卡(ka)。在(zai)顯(xian)存(cun)頻率相(xiang)當情(qing)況下，顯(xian)存(cun)位寬(kuan)決定著帶寬(kuan)的大小。

4、顯(xian)存類型：顯(xian)存類型主要有SDRAM，DDR SDRAM，DDR SGRAM三種，SDRAM顆粒主要應用(yong)在低端顯(xian)卡上(shang)，頻率(lv)一般不超過200MHz；DDR SDRAM是主流；DDR SGRAM適合繪(hui)圖專(zhuan)用(yong)。

5、散熱設(she)計：散熱系統的好壞(huai)直(zhi)接決定(ding)了性(xing)能(neng)發揮的穩定(ding)性(xing)，被動(dong)式(shi)噪音低，適(shi)合低頻率顯(xian)卡；主動(dong)式(shi)有(you)散熱片和風扇，適(shi)合高頻率顯(xian)卡；導流式(shi)適(shi)合高檔游(you)戲顯(xian)卡。