1、顯(xian)(xian)卡芯(xin)片：顯(xian)(xian)卡核心型號(hao)差(cha)一檔(dang)(dang)，性能也就(jiu)差(cha)了一檔(dang)(dang)，所以(yi)可(ke)根據核心型號(hao)來判斷顯(xian)(xian)卡的(de)高低，例如，N卡型號(hao)的(de)前綴一共有GTX > GTS > GT > GF，其(qi)后(hou)的(de)兩位(wei)數(shu)或一位(wei)數(shu)代(dai)(dai)表代(dai)(dai)數(shu)，再其(qi)后(hou)兩位(wei)數(shu)越(yue)大，表示同代(dai)(dai)中的(de)性能就(jiu)越(yue)強，后(hou)綴有Ti、SE、M、MX，分(fen)別表示加(jia)強版(ban)(ban)、閹割版(ban)(ban)、移動版(ban)(ban)、移動加(jia)強版(ban)(ban)。

2、流(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)器：流(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)器是(shi)顯卡(ka)的(de)(de)核心，直接影響處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)能力，對于N卡(ka)和A卡(ka)來說，流(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)單(dan)元(yuan)個數越(yue)多(duo)則處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)能力越(yue)強。N卡(ka)和A卡(ka)的(de)(de)流(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)單(dan)元(yuan)可采取近似比較，N卡(ka)的(de)(de)1個流(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)單(dan)元(yuan)相(xiang)當于AMD的(de)(de)5個流(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)單(dan)元(yuan)。

3、顯(xian)存(cun)位(wei)(wei)(wei)寬(kuan)：顯(xian)存(cun)位(wei)(wei)(wei)寬(kuan)表示(shi)一個時鐘周期內所能傳(chuan)送(song)數據的(de)位(wei)(wei)(wei)數，位(wei)(wei)(wei)數越大則傳(chuan)輸量越大，常見的(de)有64位(wei)(wei)(wei)、128位(wei)(wei)(wei)和(he)256位(wei)(wei)(wei)顯(xian)卡。在顯(xian)存(cun)頻(pin)率相當情況(kuang)下，顯(xian)存(cun)位(wei)(wei)(wei)寬(kuan)決定(ding)著帶(dai)寬(kuan)的(de)大小。

4、顯(xian)存類型(xing)(xing)：顯(xian)存類型(xing)(xing)主要(yao)有SDRAM，DDR SDRAM，DDR SGRAM三種(zhong)，SDRAM顆粒主要(yao)應用在低端顯(xian)卡上，頻(pin)率(lv)一(yi)般不超過200MHz；DDR SDRAM是(shi)主流(liu)；DDR SGRAM適(shi)合繪圖專用。

5、散(san)熱設計：散(san)熱系統的(de)好(hao)壞直接(jie)決定了性能發揮的(de)穩定性，被動(dong)式噪音低，適(shi)(shi)合低頻率(lv)顯(xian)卡；主動(dong)式有(you)散(san)熱片和風扇，適(shi)(shi)合高頻率(lv)顯(xian)卡；導流式適(shi)(shi)合高檔游戲顯(xian)卡。