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1、顯(xian)卡芯片:顯(xian)卡核(he)心型號差(cha)一(yi)(yi)(yi)檔,性(xing)能也就(jiu)差(cha)了一(yi)(yi)(yi)檔,所以(yi)可根據核(he)心型號來判斷顯(xian)卡的高低,例如,N卡型號的前綴一(yi)(yi)(yi)共有GTX > GTS > GT > GF,其后(hou)的兩位(wei)數或(huo)一(yi)(yi)(yi)位(wei)數代表代數,再其后(hou)兩位(wei)數越大,表示(shi)同代中(zhong)的性(xing)能就(jiu)越強(qiang)(qiang),后(hou)綴有Ti、SE、M、MX,分別(bie)表示(shi)加強(qiang)(qiang)版(ban)、閹割版(ban)、移動版(ban)、移動加強(qiang)(qiang)版(ban)。

2、流(liu)(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)(chu)理器(qi):流(liu)(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)(chu)理器(qi)是顯(xian)卡(ka)的核心,直接影響處(chu)(chu)(chu)(chu)理能力,對于N卡(ka)和(he)A卡(ka)來說,流(liu)(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)(chu)理單(dan)(dan)元(yuan)個(ge)數越多則處(chu)(chu)(chu)(chu)理能力越強。N卡(ka)和(he)A卡(ka)的流(liu)(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)(chu)理單(dan)(dan)元(yuan)可(ke)采取近似比較,N卡(ka)的1個(ge)流(liu)(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)(chu)理單(dan)(dan)元(yuan)相當(dang)于AMD的5個(ge)流(liu)(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)(chu)理單(dan)(dan)元(yuan)。

3、顯存位(wei)寬(kuan):顯存位(wei)寬(kuan)表示一個時鐘周期內所能傳送(song)數(shu)(shu)據的(de)(de)位(wei)數(shu)(shu),位(wei)數(shu)(shu)越(yue)大(da)則傳輸量(liang)越(yue)大(da),常(chang)見的(de)(de)有64位(wei)、128位(wei)和256位(wei)顯卡。在顯存頻(pin)率相(xiang)當情(qing)況下,顯存位(wei)寬(kuan)決(jue)定著(zhu)帶(dai)寬(kuan)的(de)(de)大(da)小。

4、顯存類型:顯存類型主要有SDRAM,DDR SDRAM,DDR SGRAM三種,SDRAM顆粒主要應用在低(di)端(duan)顯卡上,頻率一般不超(chao)過200MHz;DDR SDRAM是主流;DDR SGRAM適合繪圖專用。

5、散熱(re)(re)設計(ji):散熱(re)(re)系統的(de)好壞(huai)直接決(jue)定了性能發揮的(de)穩定性,被動式(shi)噪音低,適(shi)合低頻率(lv)顯(xian)卡;主動式(shi)有散熱(re)(re)片和風扇(shan),適(shi)合高(gao)頻率(lv)顯(xian)卡;導流式(shi)適(shi)合高(gao)檔(dang)游(you)戲顯(xian)卡。

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