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1、顯(xian)卡(ka)(ka)芯片:顯(xian)卡(ka)(ka)核心型(xing)號差(cha)一(yi)(yi)檔(dang),性(xing)能也就差(cha)了一(yi)(yi)檔(dang),所以可(ke)根據(ju)核心型(xing)號來(lai)判斷顯(xian)卡(ka)(ka)的(de)高低,例如(ru),N卡(ka)(ka)型(xing)號的(de)前(qian)綴一(yi)(yi)共有(you)GTX > GTS > GT > GF,其(qi)(qi)后(hou)的(de)兩(liang)位(wei)數(shu)或一(yi)(yi)位(wei)數(shu)代(dai)表(biao)代(dai)數(shu),再其(qi)(qi)后(hou)兩(liang)位(wei)數(shu)越大,表(biao)示(shi)同代(dai)中(zhong)的(de)性(xing)能就越強,后(hou)綴有(you)Ti、SE、M、MX,分別(bie)表(biao)示(shi)加強版(ban)、閹割版(ban)、移動版(ban)、移動加強版(ban)。

2、流處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)器:流處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)器是顯卡(ka)(ka)的(de)(de)核心,直(zhi)接影響處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)能力,對于N卡(ka)(ka)和A卡(ka)(ka)來說,流處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)單(dan)元個數越(yue)多則處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)能力越(yue)強。N卡(ka)(ka)和A卡(ka)(ka)的(de)(de)流處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)單(dan)元可采取近似比較,N卡(ka)(ka)的(de)(de)1個流處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)單(dan)元相(xiang)當于AMD的(de)(de)5個流處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)單(dan)元。

3、顯存(cun)位(wei)寬:顯存(cun)位(wei)寬表示一個時鐘周期內所能傳送(song)數(shu)據的(de)位(wei)數(shu),位(wei)數(shu)越大(da)則傳輸量越大(da),常見的(de)有64位(wei)、128位(wei)和(he)256位(wei)顯卡。在(zai)顯存(cun)頻率相當情況下,顯存(cun)位(wei)寬決定著(zhu)帶寬的(de)大(da)小。

4、顯存(cun)類型(xing):顯存(cun)類型(xing)主要(yao)有SDRAM,DDR SDRAM,DDR SGRAM三種,SDRAM顆粒(li)主要(yao)應(ying)用在低(di)端(duan)顯卡上,頻(pin)率一般不超過200MHz;DDR SDRAM是主流;DDR SGRAM適合繪圖專(zhuan)用。

5、散(san)熱(re)設計:散(san)熱(re)系統的好(hao)壞直接決定了性能發揮的穩定性,被動式噪音低,適合低頻(pin)(pin)率(lv)顯(xian)(xian)卡;主動式有(you)散(san)熱(re)片和(he)風(feng)扇(shan),適合高頻(pin)(pin)率(lv)顯(xian)(xian)卡;導流(liu)式適合高檔游戲顯(xian)(xian)卡。

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