評價內存條的性能指(zhi)標一(yi)共有(you)四個:
(1) 存(cun)(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)容量(liang)(liang)(liang):即一根(gen)內(nei)(nei)存(cun)(cun)(cun)(cun)條可(ke)以容納(na)的(de)(de)二(er)進(jin)制(zhi)信(xin)息量(liang)(liang)(liang),如常(chang)用(yong)(yong)的(de)(de)168線內(nei)(nei)存(cun)(cun)(cun)(cun)條的(de)(de)存(cun)(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)容量(liang)(liang)(liang)一般多為32兆(zhao)、64兆(zhao)和128兆(zhao)。而DDRII3普遍為1GB到8GB。 (2) 存(cun)(cun)(cun)(cun)取速度(存(cun)(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)周(zhou)期(qi)):即兩(liang)次獨(du)立的(de)(de)存(cun)(cun)(cun)(cun)取操作之間所需(xu)的(de)(de)最短時間,又稱(cheng)為存(cun)(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)周(zhou)期(qi),半導體存(cun)(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)器(qi)的(de)(de)存(cun)(cun)(cun)(cun)取周(zhou)期(qi)一般為60納(na)秒至100納(na)秒。 (3) 存(cun)(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)器(qi)的(de)(de)可(ke)靠性:存(cun)(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)器(qi)的(de)(de)可(ke)靠性用(yong)(yong)平均故(gu)障間隔(ge)時間來衡量(liang)(liang)(liang),可(ke)以理解(jie)為兩(liang)次故(gu)障之間的(de)(de)平均時間間隔(ge)。 (4)性能價格(ge)比:性能主要包括存(cun)(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)器(qi)容量(liang)(liang)(liang)、存(cun)(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)周(zhou)期(qi)和可(ke)靠性三項內(nei)(nei)容,性能價格(ge)比是一個綜合性指標,對于不同的(de)(de)存(cun)(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)器(qi)有不同的(de)(de)要求。