1、顯(xian)卡(ka)芯片:顯(xian)卡(ka)核心型(xing)號差一檔,性能也(ye)就差了一檔,所以可(ke)根據核心型(xing)號來判斷顯(xian)卡(ka)的(de)高低,例如,N卡(ka)型(xing)號的(de)前(qian)綴(zhui)一共有(you)GTX > GTS > GT > GF,其后的(de)兩(liang)位(wei)(wei)數或一位(wei)(wei)數代(dai)(dai)表(biao)代(dai)(dai)數,再其后兩(liang)位(wei)(wei)數越大,表(biao)示(shi)同(tong)代(dai)(dai)中(zhong)的(de)性能就越強(qiang)(qiang),后綴(zhui)有(you)Ti、SE、M、MX,分(fen)別表(biao)示(shi)加強(qiang)(qiang)版、閹割版、移動版、移動加強(qiang)(qiang)版。
2、流(liu)處(chu)理(li)(li)器:流(liu)處(chu)理(li)(li)器是顯(xian)卡(ka)(ka)的(de)核心,直接影響處(chu)理(li)(li)能(neng)力,對于N卡(ka)(ka)和(he)A卡(ka)(ka)來(lai)說,流(liu)處(chu)理(li)(li)單(dan)元(yuan)個(ge)(ge)數越(yue)多則處(chu)理(li)(li)能(neng)力越(yue)強。N卡(ka)(ka)和(he)A卡(ka)(ka)的(de)流(liu)處(chu)理(li)(li)單(dan)元(yuan)可采取近似比較,N卡(ka)(ka)的(de)1個(ge)(ge)流(liu)處(chu)理(li)(li)單(dan)元(yuan)相(xiang)當于AMD的(de)5個(ge)(ge)流(liu)處(chu)理(li)(li)單(dan)元(yuan)。
3、顯存位(wei)(wei)(wei)寬:顯存位(wei)(wei)(wei)寬表示一個時鐘周期內所能傳送數據的位(wei)(wei)(wei)數,位(wei)(wei)(wei)數越(yue)大(da)則(ze)傳輸量越(yue)大(da),常(chang)見的有64位(wei)(wei)(wei)、128位(wei)(wei)(wei)和256位(wei)(wei)(wei)顯卡。在顯存頻率(lv)相當情況下,顯存位(wei)(wei)(wei)寬決定著(zhu)帶寬的大(da)小。
4、顯(xian)存(cun)類(lei)型:顯(xian)存(cun)類(lei)型主要有SDRAM,DDR SDRAM,DDR SGRAM三種,SDRAM顆粒(li)主要應用在低(di)端顯(xian)卡上,頻率一般不(bu)超過200MHz;DDR SDRAM是主流;DDR SGRAM適(shi)合繪圖專用。
5、散(san)熱設(she)計:散(san)熱系統的好壞直接(jie)決定了性能發(fa)揮的穩定性,被動(dong)式噪音低,適合(he)(he)低頻(pin)率顯卡(ka);主動(dong)式有散(san)熱片和風扇,適合(he)(he)高頻(pin)率顯卡(ka);導(dao)流式適合(he)(he)高檔游戲顯卡(ka)。