1、沉積(ji)

制造芯片的第一步，通常是(shi)將(jiang)材(cai)料薄膜沉積到晶圓上。材(cai)料可以(yi)是(shi)導(dao)體(ti)、絕緣體(ti)或半導(dao)體(ti)。

2、光刻膠涂覆

進行光(guang)刻(ke)前，首先要(yao)在晶(jing)圓上涂覆光(guang)敏材料(liao)“光(guang)刻(ke)膠”或(huo)“光(guang)阻”，然(ran)后(hou)將晶(jing)圓放入光(guang)刻(ke)機(ji)。

3、曝光

在掩模(mo)版上(shang)(shang)制(zhi)作需(xu)要印刷的(de)圖(tu)案藍圖(tu)。晶(jing)圓(yuan)放入(ru)光(guang)(guang)刻(ke)機(ji)后，光(guang)(guang)束(shu)會通過掩模(mo)版投(tou)射(she)到晶(jing)圓(yuan)上(shang)(shang)。光(guang)(guang)刻(ke)機(ji)內的(de)光(guang)(guang)學(xue)元件(jian)將圖(tu)案縮小并聚(ju)焦(jiao)到光(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)涂(tu)層(ceng)上(shang)(shang)。在光(guang)(guang)束(shu)的(de)照射(she)下，光(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)發(fa)生(sheng)化學(xue)反(fan)應，光(guang)(guang)罩上(shang)(shang)的(de)圖(tu)案由此印刻(ke)到光(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)涂(tu)層(ceng)。

4、計算光刻

光(guang)(guang)刻期(qi)間(jian)產(chan)生的(de)物理、化學(xue)效(xiao)應可能造成圖案(an)形變(bian)，因此需(xu)要事(shi)先對掩模版上的(de)圖案(an)進行(xing)調(diao)整(zheng)，確保(bao)最終光(guang)(guang)刻圖案(an)的(de)準確。

5、烘烤與顯影

晶圓離開(kai)光(guang)刻(ke)機(ji)后(hou)，要進行烘(hong)烤及顯影，使光(guang)刻(ke)的圖案永久(jiu)固定。洗去多余光(guang)刻(ke)膠，部(bu)分涂(tu)層留(liu)出空白部(bu)分。

6、刻蝕

顯影完(wan)成后，使(shi)用(yong)氣體等材料去除(chu)多余(yu)的空白部分，形成3D電路圖案。

7、計量和檢驗

芯片生產過程(cheng)中，始(shi)終對晶圓進(jin)行計量(liang)和檢(jian)驗(yan)，確保(bao)沒有(you)誤差。檢(jian)測結果反(fan)饋至(zhi)光刻系統(tong)，進(jin)一(yi)步(bu)優化、調(diao)整(zheng)設(she)備。這一(yi)部，就(jiu)需要用到納米級超精密運動平臺這一(yi)關鍵設(she)備了(le)。

8、離子注入

在去(qu)除剩(sheng)余的光刻膠之前(qian)，可以(yi)用正離子或負離子轟擊晶圓(yuan)，對部分圖案的半導體(ti)特(te)性(xing)進(jin)行(xing)調整。

9、視需要重復制(zhi)程步驟

從薄膜沉積到去除光刻(ke)膠(jiao)，整個流(liu)程(cheng)為(wei)晶圓片(pian)覆蓋上一層圖案。而要在晶圓片(pian)上形成(cheng)集成(cheng)電(dian)路，完成(cheng)芯片(pian)制作，這(zhe)一流(liu)程(cheng)需要不(bu)斷重(zhong)復，可(ke)多達100次。

10、封裝芯片

最(zui)后(hou)一步，運(yun)用(yong)超精密運(yun)動平(ping)臺(tai)，進行晶圓切割(ge)，獲得單個芯(xin)片，封裝在保護殼中。這樣，成品芯(xin)片就(jiu)可以用(yong)來生產電視(shi)、平(ping)板電腦(nao)或者其他數(shu)字設(she)備(bei)了！