1、沉積

制(zhi)造芯(xin)片的第一步(bu)，通常是(shi)將材料(liao)薄膜沉積到(dao)晶圓上。材料(liao)可以是(shi)導(dao)體、絕緣(yuan)體或半(ban)導(dao)體。

2、光刻膠涂覆

進行(xing)光(guang)刻(ke)前，首先要(yao)在晶圓(yuan)上涂(tu)覆光(guang)敏材料“光(guang)刻(ke)膠”或“光(guang)阻”，然后將(jiang)晶圓(yuan)放入光(guang)刻(ke)機。

3、曝光

在掩模版(ban)上(shang)(shang)制作需要印刷的圖案(an)藍圖。晶(jing)圓(yuan)放入光(guang)刻(ke)機后，光(guang)束(shu)會通過(guo)掩模版(ban)投射(she)到(dao)晶(jing)圓(yuan)上(shang)(shang)。光(guang)刻(ke)機內(nei)的光(guang)學元件將圖案(an)縮小并聚焦到(dao)光(guang)刻(ke)膠(jiao)涂(tu)層上(shang)(shang)。在光(guang)束(shu)的照(zhao)射(she)下，光(guang)刻(ke)膠(jiao)發生化(hua)學反應，光(guang)罩上(shang)(shang)的圖案(an)由此(ci)印刻(ke)到(dao)光(guang)刻(ke)膠(jiao)涂(tu)層。

4、計算光刻

光(guang)刻期間產生(sheng)的物理、化學效應可(ke)能造成圖(tu)案形(xing)變，因此需要(yao)事先對掩(yan)模版上的圖(tu)案進行調(diao)整，確保最終(zhong)光(guang)刻圖(tu)案的準確。

5、烘烤與顯影

晶圓離開光(guang)刻(ke)機后，要進(jin)行烘烤(kao)及顯影，使光(guang)刻(ke)的圖案永久固(gu)定(ding)。洗去多余光(guang)刻(ke)膠，部分涂層留出空白部分。

6、刻蝕

顯影完成后，使用氣體等材(cai)料去除多余的空白部分，形(xing)成3D電(dian)路圖案。

7、計量和檢驗

芯片生產過程中，始終對晶圓進行計量和檢(jian)驗，確保沒(mei)有誤差。檢(jian)測(ce)結(jie)果反饋至光(guang)刻系統，進一(yi)步優化、調整設備(bei)(bei)。這一(yi)部(bu)，就需(xu)要用到(dao)納米級(ji)超精(jing)密運動平臺(tai)這一(yi)關(guan)鍵設備(bei)(bei)了。

8、離子注入

在去(qu)除剩余的光刻膠之(zhi)前，可(ke)以用正離子或負離子轟(hong)擊晶圓，對部分圖案(an)的半(ban)導體特性進(jin)行調整。

9、視需(xu)要重復制程(cheng)步驟

從薄膜(mo)沉積到去除光刻膠，整個流程(cheng)為晶圓(yuan)(yuan)片覆(fu)蓋(gai)上(shang)一(yi)(yi)層圖(tu)案。而要在晶圓(yuan)(yuan)片上(shang)形成(cheng)集成(cheng)電路，完(wan)成(cheng)芯(xin)片制作，這一(yi)(yi)流程(cheng)需要不斷重復，可(ke)多達100次。

10、封裝芯片

最后一(yi)步，運用(yong)超(chao)精密(mi)運動平(ping)臺，進行晶(jing)圓(yuan)切割，獲得單個芯片(pian)，封裝在保護殼(ke)中。這樣，成品芯片(pian)就可以用(yong)來(lai)生(sheng)產(chan)電視、平(ping)板電腦(nao)或者其他數字設備了！