高效多結(jie)太陽能(neng)電(dian)池技術 器件結(jie)構和系統的優(you)化設計(ji)

太陽(yang)能(neng)(neng)(neng)光(guang)伏技(ji)術經(jing)過近(jin)幾(ji)十年的發展，已經(jing)在新能(neng)(neng)(neng)源領(ling)域確(que)立了其重要地位。大力(li)發展太陽(yang)能(neng)(neng)(neng)光(guang)伏發電已成(cheng)為(wei)人類解決未(wei)來能(neng)(neng)(neng)源問(wen)題的重要途徑。在產業界，當前太陽(yang)能(neng)(neng)(neng)技(ji)術的重點仍是硅太陽(yang)能(neng)(neng)(neng)電池，包括多晶(jing)(jing)硅和非晶(jing)(jing)硅薄膜電池等(deng)。

由于(yu)多晶硅(gui)和(he)非晶硅(gui)薄膜電池(chi)(chi)(chi)(chi)具(ju)有相(xiang)對(dui)較高(gao)(gao)的轉換(huan)效(xiao)率和(he)相(xiang)對(dui)較低的成(cheng)(cheng)(cheng)本，逐漸(jian)成(cheng)(cheng)(cheng)為(wei)市場的主導產(chan)品(pin)。而其它種(zhong)類的薄膜電池(chi)(chi)(chi)(chi)由于(yu)技(ji)術不是很(hen)成(cheng)(cheng)(cheng)熟，似乎很(hen)難(nan)在短期(qi)內(nei)替代硅(gui)系太(tai)陽(yang)(yang)能(neng)電池(chi)(chi)(chi)(chi)。目前的硅(gui)系太(tai)陽(yang)(yang)能(neng)電池(chi)(chi)(chi)(chi)最高(gao)(gao)轉換(huan)效(xiao)率只有20%左右(you)，要想再進一(yi)(yi)步提高(gao)(gao)已經非常(chang)困難(nan)。眾(zhong)所周知(zhi)，提高(gao)(gao)轉換(huan)效(xiao)率和(he)降低成(cheng)(cheng)(cheng)本是太(tai)陽(yang)(yang)能(neng)光伏技(ji)術中的根本因素。開(kai)展(zhan)高(gao)(gao)效(xiao)太(tai)陽(yang)(yang)能(neng)電池(chi)(chi)(chi)(chi)技(ji)術研究(jiu)，開(kai)發新的電池(chi)(chi)(chi)(chi)材料、電池(chi)(chi)(chi)(chi)結(jie)(jie)構，也一(yi)(yi)直是該領域的熱點。在這其中，高(gao)(gao)效(xiao)多結(jie)(jie)太(tai)陽(yang)(yang)能(neng)電池(chi)(chi)(chi)(chi)技(ji)術的研究(jiu)尤為(wei)引人注(zhu)目。

認識高效多結太陽能電池技術

一般所說的(de)高效(xiao)多(duo)結太陽能電(dian)(dian)池(chi)是指針對太陽光譜，在不(bu)(bu)同的(de)波段選取不(bu)(bu)同頻寬(kuan)的(de)半導(dao)體材料(liao)做(zuo)成(cheng)多(duo)個(ge)太陽能子電(dian)(dian)池(chi)，最后將這些子電(dian)(dian)池(chi)串聯形成(cheng)多(duo)結太陽能電(dian)(dian)池(chi)。目(mu)前研究較(jiao)多(duo)的(de)III-V族(zu)材料(liao)體系(xi)，如InGaP/GaAs/Ge三結電(dian)(dian)池(chi)，所報導(dao)的(de)轉(zhuan)換效(xiao)率可達42.8%左右(you)。也有選取II-VI族(zu)材料(liao)的(de)，但目(mu)前還處于研究階段。本文將主要介紹InGaP/GaAs/Ge等(deng)III-V族(zu)材料(liao)體系(xi)。

圖1是一個典型的(de)(de)(de)(de)多(duo)結(jie)(jie)太陽能電(dian)池(chi)示意圖。其中(zhong)頂層(ceng)的(de)(de)(de)(de)InGaP電(dian)池(chi)、中(zhong)層(ceng)的(de)(de)(de)(de)GaAs電(dian)池(chi)和底層(ceng)的(de)(de)(de)(de)Ge電(dian)池(chi)帶(dai)隙分別為1.86eV、1.40eV和0.65eV。在頂層(ceng)和中(zhong)層(ceng)相(xiang)鄰兩個電(dian)池(chi)間(jian)設有寬帶(dai)隙的(de)(de)(de)(de)異質結(jie)(jie)構(gou)隧(sui)道結(jie)(jie)，使(shi)得(de)入射(she)光能順利通過頂層(ceng)電(dian)池(chi)到達中(zhong)層(ceng)的(de)(de)(de)(de)GaAs電(dian)池(chi)。同時(shi)提(ti)供高的(de)(de)(de)(de)結(jie)(jie)間(jian)勢壘，防止兩層(ceng)中(zhong)產生的(de)(de)(de)(de)少子擴(kuo)散。

高效(xiao)多(duo)結(jie)太陽能電池技術(shu) 器(qi)件結(jie)構和系統的優化設計

多結太(tai)陽能電池(chi)經過近十幾年的發展，其(qi)在太(tai)空領域已經被廣泛應用，效(xiao)(xiao)率紀錄也不斷被刷新。但由于成本(ben)等原因，很難得以(yi)大規(gui)模地面推廣。因此必須(xu)盡可能地提高其(qi)轉(zhuan)換效(xiao)(xiao)率，降(jiang)低成本(ben)，才(cai)能顯出其(qi)優(you)勢。

目前降低成本(ben)主要采(cai)用聚光(guang)(guang)(guang)鏡技術，將太(tai)(tai)陽(yang)光(guang)(guang)(guang)通過透(tou)鏡收集起(qi)來(lai)，大(da)(da)大(da)(da)減小了芯片的(de)(de)面積。日(ri)本(ben)夏普公司2007年底公布了1000倍聚光(guang)(guang)(guang)、轉換效(xiao)率高達(da)40％的(de)(de)4.5mm2的(de)(de)InGaPAs系(xi)多(duo)結(jie)太(tai)(tai)陽(yang)能電(dian)池單元。2008年初，Delaware大(da)(da)學的(de)(de)Allen Barnett的(de)(de)研(yan)究(jiu)團隊研(yan)制的(de)(de)超(chao)高效(xiao)太(tai)(tai)陽(yang)能電(dian)池（VHESC），僅在20個(ge)太(tai)(tai)陽(yang)的(de)(de)聚光(guang)(guang)(guang)條件下即可(ke)(ke)(ke)實(shi)現(xian)42.8%的(de)(de)組(zu)合(he)效(xiao)率。2008年8月，美國能源部可(ke)(ke)(ke)再生能源實(shi)驗室（NREL）宣布，采(cai)用倒置贗形三結(jie)結(jie)構的(de)(de)太(tai)(tai)陽(yang)能電(dian)池在326個(ge)太(tai)(tai)陽(yang)的(de)(de)聚光(guang)(guang)(guang)條件下，其光(guang)(guang)(guang)電(dian)轉化效(xiao)率可(ke)(ke)(ke)達(da)40.8%，并宣稱這是(shi)迄今為止(zhi)光(guang)(guang)(guang)伏技術中被(bei)證實(shi)的(de)(de)最高效(xiao)率。隨著效(xiao)率紀錄不斷被(bei)刷(shua)新(xin)，高效(xiao)多(duo)結(jie)太(tai)(tai)陽(yang)能電(dian)池的(de)(de)研(yan)發也(ye)正(zheng)進一步(bu)深入。

太陽能電池新材料的研發現狀

為(wei)了提高多(duo)結太陽能電池(chi)的轉換效(xiao)率，研究者們從(cong)新材(cai)料(liao)(liao)開發、器(qi)件結構(gou)乃(nai)至整個系統等方面對多(duo)結太陽能電池(chi)進行了優化。在新材(cai)料(liao)(liao)開發方面，主要有摻氮材(cai)料(liao)(liao)、量(liang)子點結構(gou)，以及In(Ga)N氮化物(wu)材(cai)料(liao)(liao)。

新型材(cai)料(liao)的(de)(de)(de)(de)(de)研發始終是(shi)一個活躍的(de)(de)(de)(de)(de)領域，研究者們(men)首先想到(dao)(dao)(dao)的(de)(de)(de)(de)(de)是(shi)摻氮材(cai)料(liao)。因為(wei)從III-V族半導體能帶結(jie)(jie)構和晶格(ge)常(chang)數關系圖(tu)中(zhong)(zhong)可(ke)以看(kan)出，對(dui)于GaInNAs材(cai)料(liao)四(si)元(yuan)材(cai)料(liao)的(de)(de)(de)(de)(de)晶格(ge)和GaAs匹(pi)配，頻(pin)寬(kuan)為(wei)在(zai)1.05eV附近(jin)(jin)，若(ruo)將(jiang)其加到(dao)(dao)(dao)GaInP/GaAs/Ge三(san)結(jie)(jie)結(jie)(jie)構上，產生的(de)(de)(de)(de)(de)四(si)結(jie)(jie)電(dian)池（1.88/1.42/1.05/0.67eV），其頻(pin)寬(kuan)更加接近(jin)(jin)理想值。在(zai)具有相(xiang)同結(jie)(jie)數的(de)(de)(de)(de)(de)器件中(zhong)(zhong)，效率(lv)可(ke)達到(dao)(dao)(dao)最大。對(dui)于多(duo)結(jie)(jie)太陽能電(dian)池來說，它(ta)似乎是(shi)實現高效率(lv)的(de)(de)(de)(de)(de)最理想的(de)(de)(de)(de)(de)方法。但是(shi)，復雜的(de)(de)(de)(de)(de)四(si)元(yuan)材(cai)料(liao)體系在(zai)生長上很難(nan)保證材(cai)料(liao)的(de)(de)(de)(de)(de)品質，更無(wu)法保證材(cai)料(liao)的(de)(de)(de)(de)(de)重(zhong)復性穩定(ding)性等問(wen)題。比如少數載流(liu)子擴散長度的(de)(de)(de)(de)(de)問(wen)題就阻(zu)礙了GaInNAs材(cai)料(liao)的(de)(de)(de)(de)(de)進展。近(jin)(jin)十年來，GaInNAs在(zai)光伏方面的(de)(de)(de)(de)(de)應(ying)用正(zheng)在(zai)逐漸(jian)減(jian)少。

其次，量(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)點結(jie)(jie)構也是新材料開發(fa)方(fang)面(mian)的(de)(de)(de)熱點。主要理(li)念是將量(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)點層(ceng)放在p-n結(jie)(jie)的(de)(de)(de)耗盡區(qu)內，在光生(sheng)(sheng)載流(liu)子(zi)(zi)(zi)復合之前被(bei)集中(zhong)(zhong)起來。這其實是一種(zhong)使(shi)用(yong)中(zhong)(zhong)間(jian)帶的(de)(de)(de)方(fang)法，通過提高(gao)量(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)效(xiao)率(lv)(lv)來獲得高(gao)效(xiao)率(lv)(lv)。很容易(yi)看出(chu)，必須有足夠多(duo)的(de)(de)(de)高(gao)品質量(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)點作為吸收(shou)層(ceng)才能(neng)實現提高(gao)效(xiao)率(lv)(lv)的(de)(de)(de)目的(de)(de)(de)，這就(jiu)在量(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)點材料生(sheng)(sheng)長方(fang)面(mian)提出(chu)了很高(gao)的(de)(de)(de)要求。例如，日(ri)本(ben)筑波大學的(de)(de)(de)研(yan)究(jiu)者利用(yong)量(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)點的(de)(de)(de)太(tai)(tai)陽(yang)能(neng)電(dian)池(chi)(chi)單元的(de)(de)(de)光電(dian)轉(zhuan)換(huan)效(xiao)率(lv)(lv)可達到8.54％。其量(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)點型太(tai)(tai)陽(yang)能(neng)電(dian)池(chi)(chi)是在p-n結(jie)(jie)之間(jian)層(ceng)疊(die)多(duo)個(ge)量(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)點層(ceng)，在1cm2的(de)(de)(de)GaAs襯底上(shang)交替疊(die)加了30層(ceng)GaNAs和30層(ceng)InAs的(de)(de)(de)超晶格結(jie)(jie)構（見圖(tu)2）。在GaNAs上(shang)生(sheng)(sheng)長InAs時，自組織生(sheng)(sheng)成(cheng)高(gao)為3～4nm、直徑為20～30nm的(de)(de)(de)量(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)點。同時，超晶格結(jie)(jie)構導致量(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)點之間(jian)產(chan)生(sheng)(sheng)結(jie)(jie)合后(hou)，在傳導帶上(shang)形(xing)成(cheng)微帶，使(shi)各(ge)種(zhong)波長的(de)(de)(de)光吸收(shou)成(cheng)為可能(neng)。多(duo)個(ge)早(zao)期(qi)研(yan)究(jiu)量(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)點的(de)(de)(de)研(yan)究(jiu)組目前正對量(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)點在太(tai)(tai)陽(yang)能(neng)電(dian)池(chi)(chi)中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)應用(yong)進行(xing)深入研(yan)究(jiu)，如英國格拉斯哥大學、日(ri)本(ben)東京大學等。量(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)點型太(tai)(tai)陽(yang)能(neng)電(dian)池(chi)(chi)的(de)(de)(de)理(li)論轉(zhuan)換(huan)效(xiao)率(lv)(lv)可達60％以上(shang)，是頗受矚目的(de)(de)(de)高(gao)效(xiao)太(tai)(tai)陽(yang)能(neng)電(dian)池(chi)(chi)的(de)(de)(de)候選者之一。

高效(xiao)多結太陽能電(dian)池技(ji)術 器件(jian)結構(gou)和系統的優化設計(ji)

InN和(he)InGaN的(de)(de)(de)(de)全氮化物(wu)太(tai)陽能電(dian)池(chi)是一種非常吸引人的(de)(de)(de)(de)高效(xiao)電(dian)池(chi)，理(li)論(lun)上(shang)它(ta)可以連續(xu)復(fu)蓋(gai)0.7到2.4eV光譜。南京(jing)大學的(de)(de)(de)(de)研(yan)究者們通過計算得出(chu)，在理(li)想情(qing)況下，InGaN材料(liao)(liao)應用(yong)于(yu)單結(jie)、雙結(jie)和(he)三結(jie)太(tai)陽電(dian)池(chi)時，其轉換效(xiao)率(lv)可分別高達(da)27.3%、36.6%和(he)41.3%。但是，氮化物(wu)本身也存在很(hen)多問題，如襯底材料(liao)(liao)選擇、材料(liao)(liao)品質控制、p型材料(liao)(liao)的(de)(de)(de)(de)摻雜、隧道(dao)二極管的(de)(de)(de)(de)問題等，因此目前(qian)的(de)(de)(de)(de)研(yan)究還處于(yu)開發基(ji)礎材料(liao)(liao)和(he)器件的(de)(de)(de)(de)階段。

器件結構和系統的優化設計

器件結(jie)構(gou)(gou)和系(xi)統的(de)優化(hua)設計也是(shi)提高多(duo)結(jie)太陽能電池效率的(de)重要方(fang)法。器件結(jie)構(gou)(gou)及系(xi)統改進方(fang)面主要包括贗(yan)形層(ceng)結(jie)構(gou)(gou)、機械疊加結(jie)結(jie)構(gou)(gou)等等。

贗形(xing)層結構是指在已有的GaInP/GaAs/Ge三(san)結電(dian)池上(shang)增加一個晶格失配層（贗形(xing)層），其(qi)實(shi)這是結合材料生長與器件(jian)結構優化的一種方法(fa)。

一般多(duo)(duo)(duo)結(jie)(jie)(jie)電(dian)池的(de)(de)(de)(de)外(wai)延層(ceng)(ceng)是晶格失配生長，會產生很多(duo)(duo)(duo)位錯(cuo)，減少了(le)少子(zi)(zi)擴散長度，降低(di)了(le)器件性(xing)能(neng)。在(zai)贗形(xing)層(ceng)(ceng)結(jie)(jie)(jie)構多(duo)(duo)(duo)結(jie)(jie)(jie)太陽能(neng)電(dian)池中，使用(yong)(yong)組分漸變方法在(zai)GaInP/GaAs雙結(jie)(jie)(jie)上(shang)生長InGaAs結(jie)(jie)(jie)，使得(de)所有(you)(you)位錯(cuo)都局限在(zai)低(di)頻寬(kuan)的(de)(de)(de)(de)InGaAs結(jie)(jie)(jie)中。其實贗形(xing)層(ceng)(ceng)方法在(zai)GaAs基(ji)HEMT的(de)(de)(de)(de)開發中廣泛應(ying)(ying)用(yong)(yong)，近幾年(nian)在(zai)GaAs基(ji)長波長雷射器中也有(you)(you)應(ying)(ying)用(yong)(yong)。值得(de)一提的(de)(de)(de)(de)是，倒置的(de)(de)(de)(de)贗形(xing)層(ceng)(ceng)多(duo)(duo)(duo)結(jie)(jie)(jie)太陽能(neng)電(dian)池結(jie)(jie)(jie)構（IMM）是EMCORE公司的(de)(de)(de)(de)專(zhuan)利技術（見圖3），它(ta)(ta)采用(yong)(yong)倒置的(de)(de)(de)(de)方法生長和Ge或GaAs襯(chen)底(di)匹配的(de)(de)(de)(de)GaInP和GaAs結(jie)(jie)(jie)，InGaP首先被淀(dian)積(ji)在(zai)基(ji)于Ge襯(chen)底(di)的(de)(de)(de)(de)子(zi)(zi)電(dian)池上(shang)面。這種設(she)計(ji)保持了(le)GaInP/GaAs結(jie)(jie)(jie)的(de)(de)(de)(de)品(pin)質，它(ta)(ta)對整個器件總的(de)(de)(de)(de)發電(dian)能(neng)力(li)具有(you)(you)決定性(xing)的(de)(de)(de)(de)作用(yong)(yong)。倒置贗性(xing)三(san)結(jie)(jie)(jie)結(jie)(jie)(jie)構據稱可與多(duo)(duo)(duo)項(xiang)其它(ta)(ta)工藝相容，如(ru)(ru)柔(rou)性(xing)襯(chen)底(di)。因為Ge襯(chen)底(di)能(neng)夠被去除，從(cong)而器件可以安裝在(zai)如(ru)(ru)聚醯(xi)亞(ya)胺膠帶(dai)等(deng)柔(rou)性(xing)襯(chen)底(di)上(shang)。

高效多結太(tai)陽能電池技術 器件結構(gou)和系統的優化設計

機械疊加多(duo)(duo)芯(xin)片(pian)結(jie)(jie)一般是指，將(jiang)生(sheng)長在(zai)不(bu)同(tong)襯底(di)上(shang)不(bu)同(tong)頻寬(kuan)(kuan)的(de)(de)(de)電(dian)池(chi)壓焊(han)到(dao)一起而(er)形成所謂的(de)(de)(de)多(duo)(duo)芯(xin)片(pian)結(jie)(jie)。如將(jiang)Ge或GaAs襯底(di)上(shang)的(de)(de)(de)頻寬(kuan)(kuan)較(jiao)(jiao)寬(kuan)(kuan)的(de)(de)(de)GaInP/GaAs多(duo)(duo)結(jie)(jie)結(jie)(jie)構(gou)電(dian)池(chi)壓焊(han)到(dao)InP襯底(di)上(shang)的(de)(de)(de)頻寬(kuan)(kuan)較(jiao)(jiao)窄的(de)(de)(de)GaInAsP/GaInAs（1.05/0.75eV）串聯結(jie)(jie)構(gou)電(dian)池(chi)之上(shang)。也可采用(yong)光(guang)(guang)電(dian)互連以及(ji)機械疊加相結(jie)(jie)合的(de)(de)(de)方法，如Delaware大學(xue)的(de)(de)(de)Allen Barnett的(de)(de)(de)研究團(tuan)隊(dui)研制(zhi)的(de)(de)(de)超高(gao)(gao)效(xiao)太(tai)陽能電(dian)池(chi)（VHESC），組合效(xiao)率(lv)在(zai)20個太(tai)陽聚光(guang)(guang)條件下(xia)可達42.8%。這(zhe)種(zhong)(zhong)超高(gao)(gao)效(xiao)太(tai)陽能電(dian)池(chi)采用(yong)全新的(de)(de)(de)橫向光(guang)(guang)學(xue)聚焦系統(tong)，使入射光(guang)(guang)的(de)(de)(de)不(bu)同(tong)光(guang)(guang)譜波(bo)段被光(guang)(guang)學(xue)地分離和定向，然后被不(bu)同(tong)頻寬(kuan)(kuan)的(de)(de)(de)太(tai)陽能電(dian)池(chi)所吸收（見(jian)圖4）。這(zhe)種(zhong)(zhong)光(guang)(guang)學(xue)聚焦系統(tong)具有較(jiao)(jiao)寬(kuan)(kuan)的(de)(de)(de)接收角度(du)，從而(er)不(bu)需(xu)(xu)要(yao)(yao)復(fu)雜的(de)(de)(de)定位跟蹤系統(tong)。但(dan)是我們可以看出，機械疊加類型的(de)(de)(de)結(jie)(jie)構(gou)設計在(zai)生(sheng)長工藝(yi)需(xu)(xu)要(yao)(yao)多(duo)(duo)種(zhong)(zhong)襯底(di)，工藝(yi)中需(xu)(xu)要(yao)(yao)襯底(di)的(de)(de)(de)剝離，在(zai)外延層上(shang)壓焊(han)芯(xin)片(pian)等，成本較(jiao)(jiao)高(gao)(gao)和而(er)且器件品質很難(nan)保證。

高效多結太陽能電池技(ji)術 器件結構和系(xi)統(tong)的(de)優化設計

發展前景廣闊

高(gao)效(xiao)多(duo)結(jie)(jie)太陽(yang)(yang)(yang)能(neng)(neng)(neng)電(dian)(dian)池技術(shu)(shu)的(de)研(yan)(yan)究(jiu)(jiu)一(yi)(yi)直是太陽(yang)(yang)(yang)能(neng)(neng)(neng)光(guang)伏技術(shu)(shu)中(zhong)的(de)熱點之一(yi)(yi)，國外多(duo)家研(yan)(yan)究(jiu)(jiu)機(ji)構、公司等(deng)(deng)投入了大量的(de)人力(li)物力(li)。我國在這方面(mian)的(de)研(yan)(yan)究(jiu)(jiu)起步(bu)也較早，如(ru)電(dian)(dian)子18所、航太811所、中(zhong)科院半導(dao)體所等(deng)(deng)等(deng)(deng)。最(zui)近廈門(men)三安的(de)GaAs/Ge多(duo)結(jie)(jie)太陽(yang)(yang)(yang)能(neng)(neng)(neng)電(dian)(dian)池外延片關鍵技術(shu)(shu)研(yan)(yan)制及產業化項目(mu)宣稱(cheng)，其研(yan)(yan)制的(de)多(duo)結(jie)(jie)太陽(yang)(yang)(yang)能(neng)(neng)(neng)電(dian)(dian)池光(guang)電(dian)(dian)轉換效(xiao)率達27%，遠高(gao)于19.5%的(de)硅電(dian)(dian)池最(zui)高(gao)轉換效(xiao)率。并具(ju)有(you)更強的(de)抗輻(fu)照能(neng)(neng)(neng)力(li)、更好的(de)耐(nai)高(gao)性(xing)能(neng)(neng)(neng)，加上聚(ju)光(guang)技術(shu)(shu)的(de)應用（降低成本(ben)），將是新(xin)一(yi)(yi)代高(gao)性(xing)能(neng)(neng)(neng)長壽命(ming)太陽(yang)(yang)(yang)能(neng)(neng)(neng)電(dian)(dian)池最(zui)具(ju)發展潛力(li)的(de)產品。但我們(men)可以看出，相(xiang)比國外來說(shuo)，轉換效(xiao)率相(xiang)對較低，并且器(qi)件指標還有(you)一(yi)(yi)定差距。總之，從新(xin)材料開發、器(qi)件結(jie)(jie)構乃至整個系統設計(ji)方面(mian)，在高(gao)效(xiao)多(duo)結(jie)(jie)太陽(yang)(yang)(yang)能(neng)(neng)(neng)電(dian)(dian)池方面(mian)還有(you)很(hen)多(duo)工作值得(de)進一(yi)(yi)步(bu)深入研(yan)(yan)究(jiu)(jiu)。