一、中國芯片發展的4個階段

我國芯片(pian)產(chan)業的發(fa)展(zhan)(zhan)大致(zhi)可(ke)分為四個階段，分別是1956-1978年自力更生的初創期(qi)、1979-1989年改革開放后的探索發(fa)展(zhan)(zhan)期(qi)、1990-1999年重點(dian)建設時(shi)期(qi)、2000年以來的快(kuai)速發(fa)展(zhan)(zhan)時(shi)期(qi)。

自2000年以來，我國的(de)芯(xin)片(pian)產業進入了快(kuai)速發(fa)展(zhan)時(shi)期。在該時(shi)期內，國家及各級政府從財稅(shui)、投融資環境(jing)、研究開發(fa)、進出口(kou)、人才等幾個方面在國內市場加大了對芯(xin)片(pian)和(he)相關軟件產業的(de)扶(fu)持力(li)度，這(zhe)些舉措進一步優化了芯(xin)片(pian)產業發(fa)展(zhan)環境(jing)，培(pei)育(yu)了一批具(ju)有實力(li)和(he)影響力(li)的(de)企業。

二、中國芯片的發展歷程

中國的芯(xin)片發展史，最早要追溯到(dao)20世紀五(wu)十年代。

1956年，在周恩來總理(li)的(de)重(zhong)(zhong)點關注下，半導(dao)體技(ji)術被列入國家重(zhong)(zhong)要(yao)的(de)科(ke)學(xue)技(ji)術項(xiang)目。由此中國開始(shi)了漫(man)長(chang)的(de)半導(dao)體全面攻堅戰(zhan)。

1947年(nian)12月23日，美國貝爾(er)實驗室正式(shi)地(di)成功演示了第(di)一(yi)個(ge)基于(yu)鍺半導體的(de)(de)具有放大(da)功能的(de)(de)點接觸式(shi)晶體管，標志著現(xian)代半導體產業的(de)(de)誕生和信息時(shi)代的(de)(de)開啟。

1960年，中科(ke)院半(ban)導體(ti)所和河北半(ban)導體(ti)所正式成立(li)，標志著我國半(ban)導體(ti)工業體(ti)系初步建成。

此時(shi)全世界各國(guo)(guo)都(dou)在積(ji)蓄(xu)力量發展科技，然而此時(shi)的(de)(de)(de)中(zhong)國(guo)(guo)在這(zhe)場科技戰(zhan)爭打響前(qian)時(shi)期，中(zhong)國(guo)(guo)卻顯現(xian)出無力感(gan)，集成電路等先(xian)進技術(shu)(shu)在國(guo)(guo)際社會(hui)的(de)(de)(de)施壓(ya)之下，讓中(zhong)國(guo)(guo)斷(duan)了與國(guo)(guo)際技術(shu)(shu)交流。再(zai)者就是(shi)(shi)當時(shi)中(zhong)國(guo)(guo)還(huan)在進行文(wen)革，街上(shang)浮現(xian)的(de)(de)(de)是(shi)(shi)甚是(shi)(shi)夸張的(de)(de)(de)標語(yu)：街邊(bian)隨便(bian)的(de)(de)(de)一個老太太在弄(nong)堂(tang)里拉一個爐(lu)子都(dou)能做(zuo)出半導體。

技術更迭速度是(shi)非常(chang)的(de)迅速，中國至此已經開始落(luo)后。

1960年(nian)，國(guo)(guo)營(ying)江南無線電(dian)器材廠(chang)就(jiu)成立于(yu)無錫(xi)一(yi)個名(ming)為棉花巷(xiang)的(de)地(di)方，200左右名(ming)員(yuan)工(gong)的(de)主(zhu)要任務就(jiu)是(shi)生產二極管。隨(sui)后在(zai)1968年(nian)底，國(guo)(guo)家“大力發展電(dian)子工(gong)業(ye)”的(de)號召從上傳到(dao)下，國(guo)(guo)防工(gong)業(ye)軍管小(xiao)組大手(shou)一(yi)揮(hui)，無錫(xi)無線電(dian)機械學(xue)校與“742”廠(chang)合并，開(kai)始搞新型(xing)半導體工(gong)藝(yi)設備的(de)研究、試制和生產。

1982年，國務院專門成立領導小組，制定詳細的中國芯片發展規劃，四(si)年之后，籌備許久的關于(yu)中國芯的第一個(ge)發展戰(zhan)略(lve)誕生——“531”戰(zhan)略(lve)。

1988年(nian)，我(wo)國集(ji)(ji)成電路產量達到1億塊(kuai)(kuai)，標志著我(wo)國開始(shi)進入工業化(hua)大生產，比(bi)(bi)老美晚了22年(nian)，比(bi)(bi)日本(ben)晚了20年(nian)，從1965年(nian)的第一塊(kuai)(kuai)集(ji)(ji)成電路，中國用了漫漫的23年(nian)。

“531”戰略(lve)的(de)成(cheng)功，讓當時(shi)(shi)的(de)中國人充滿了斗志，于(yu)是(shi)(shi)908工(gong)程順利誕(dan)生，當時(shi)(shi)計劃投(tou)入20億資金(jin)，但是(shi)(shi)這一(yi)計劃在審核階段就花(hua)費(fei)了整(zheng)(zheng)整(zheng)(zheng)兩年的(de)時(shi)(shi)間(jian)，兩年時(shi)(shi)間(jian)說長不長，但是(shi)(shi)對于(yu)高(gao)新技術發(fa)展(zhan)來說卻是(shi)(shi)漫(man)長的(de)一(yi)段時(shi)(shi)間(jian)。1997年無錫華(hua)晶才建成(cheng)，此時(shi)(shi)已經整(zheng)(zheng)整(zheng)(zheng)落后其他(ta)國家一(yi)大(da)截。

20世紀90年代(dai)，國家領導(dao)人在(zai)參觀(guan)了(le)(le)三星(xing)集成電路生(sheng)產線后意識到了(le)(le)中國在(zai)集成電路方(fang)面(mian)的(de)落(luo)后。當時帶回來的(de)是“觸目驚心”的(de)四字(zi)感(gan)嘆。在(zai)如此背景下誕生(sheng)了(le)(le)909工程。909工程的(de)審批(pi)上吸取了(le)(le)908的(de)教訓。資金計劃審批(pi)幾乎是即刻就到位了(le)(le)。

2001年(nian)對中國(guo)人來(lai)說是一個不平凡的(de)一年(nian)，2001年(nian)中國(guo)申奧成功，2001年(nian)“方(fang)舟1號”誕(dan)生。此時中國(guo)的(de)龍芯(xin)項(xiang)目也在悄然地進行著。當時龍芯(xin)項(xiang)目所遇(yu)也是困難重重，由(you)于技術上面的(de)不成熟，無(wu)法得到市場的(de)認(ren)可。

2006年(nian)，“核(he)高(gao)(gao)基”重大專項正(zheng)式上馬。“核(he)高(gao)(gao)基”是“核(he)心(xin)電子器(qi)件、高(gao)(gao)端通用芯片及(ji)基礎軟件產品(pin)”的簡(jian)稱。當年(nian)，國務院(yuan)頒布了《國家中長(chang)期科學和技(ji)術發展規劃(hua)綱要（2006－2020年(nian)）》，將“核(he)高(gao)(gao)基”列為(wei)16個(ge)科技(ji)重大專項之首，與載人航天、探月(yue)工程(cheng)等并列。

現(xian)在的(de)美國(guo)技(ji)術制裁的(de)情況下，換種思路考(kao)慮(lv)何嘗不是(shi)促進中國(guo)的(de)高新技(ji)術發展了(le)，希望國(guo)家砥礪前行，美國(guo)是(shi)否是(shi)搬(ban)起石(shi)頭(tou)砸自(zi)己的(de)腳，讓我(wo)們拭目(mu)以(yi)待。