一、中國芯片發展的4個階段

我(wo)國芯片產(chan)業的(de)發展(zhan)大致(zhi)可分為四(si)個階段，分別是(shi)1956-1978年自力(li)更(geng)生(sheng)的(de)初(chu)創(chuang)期(qi)、1979-1989年改革開放后的(de)探(tan)索發展(zhan)期(qi)、1990-1999年重點建(jian)設時(shi)期(qi)、2000年以來(lai)的(de)快速(su)發展(zhan)時(shi)期(qi)。

自(zi)2000年以(yi)來，我國的(de)芯(xin)片(pian)(pian)產(chan)業(ye)進入(ru)了(le)快(kuai)速發(fa)展(zhan)(zhan)時期。在(zai)該時期內(nei)，國家(jia)及各(ge)級政(zheng)府從財(cai)稅、投融資(zi)環境、研究開發(fa)、進出口、人(ren)才等(deng)幾個方(fang)面在(zai)國內(nei)市(shi)場(chang)加大了(le)對芯(xin)片(pian)(pian)和相關軟件產(chan)業(ye)的(de)扶持(chi)力度，這些舉措進一(yi)步優化了(le)芯(xin)片(pian)(pian)產(chan)業(ye)發(fa)展(zhan)(zhan)環境，培育了(le)一(yi)批具有實力和影響(xiang)力的(de)企業(ye)。

二、中國芯片的發展歷程

中國的芯片發展史，最(zui)早(zao)要追溯(su)到20世(shi)紀(ji)五十年代。

1956年，在周恩來總理的重點關注下，半導(dao)體(ti)技術被列入國家重要的科學技術項目。由(you)此中國開始了漫長(chang)的半導(dao)體(ti)全(quan)面攻堅戰。

1947年12月(yue)23日，美國貝爾實驗(yan)室正式地(di)成(cheng)功演示了第一(yi)個(ge)基于鍺半導體的(de)具有放大功能的(de)點(dian)接(jie)觸式晶體管(guan)，標(biao)志著現代半導體產業的(de)誕生和(he)信息時(shi)代的(de)開啟。

1960年，中科院半導(dao)體所(suo)和(he)河北半導(dao)體所(suo)正式成立(li)，標志著我國半導(dao)體工業體系(xi)初(chu)步建成。

此時(shi)全世界各國(guo)都在積蓄力量發展科(ke)技(ji)，然而此時(shi)的中(zhong)(zhong)(zhong)國(guo)在這(zhe)場科(ke)技(ji)戰爭打(da)響前時(shi)期，中(zhong)(zhong)(zhong)國(guo)卻顯(xian)現出(chu)無力感，集成(cheng)電路等(deng)先進(jin)技(ji)術在國(guo)際社會的施壓(ya)之下，讓中(zhong)(zhong)(zhong)國(guo)斷了(le)與國(guo)際技(ji)術交(jiao)流。再者(zhe)就是(shi)當時(shi)中(zhong)(zhong)(zhong)國(guo)還(huan)在進(jin)行文革(ge)，街上浮(fu)現的是(shi)甚是(shi)夸(kua)張的標(biao)語：街邊(bian)隨便的一(yi)個老太(tai)太(tai)在弄堂里拉一(yi)個爐(lu)子都能做出(chu)半導體(ti)。

技術更迭(die)速(su)(su)度是非(fei)常的迅(xun)速(su)(su)，中(zhong)國至(zhi)此已經開(kai)始落后。

1960年，國(guo)(guo)營江(jiang)南無線電器(qi)材廠就成立于無錫(xi)一(yi)個名為棉花巷的(de)(de)地方，200左(zuo)右名員工(gong)的(de)(de)主要任務就是生(sheng)(sheng)產二(er)極管。隨后(hou)在1968年底(di)，國(guo)(guo)家“大力發展電子工(gong)業”的(de)(de)號召從上傳(chuan)到下，國(guo)(guo)防工(gong)業軍管小組大手一(yi)揮，無錫(xi)無線電機械學(xue)校與“742”廠合并，開始搞新型半導體(ti)工(gong)藝設(she)備的(de)(de)研究、試制和生(sheng)(sheng)產。

1982年，國務院專門成立領導小組，制定詳細的中國芯片發展規(gui)劃，四年之(zhi)后，籌備許(xu)久的關于中國芯(xin)的第一個發展戰略(lve)誕生——“531”戰略(lve)。

1988年，我(wo)國集(ji)成(cheng)電路(lu)(lu)產量達到1億塊(kuai)，標志(zhi)著我(wo)國開始進入工業化大生產，比老(lao)美晚(wan)了22年，比日本(ben)晚(wan)了20年，從1965年的第一塊(kuai)集(ji)成(cheng)電路(lu)(lu)，中(zhong)國用(yong)了漫(man)漫(man)的23年。

“531”戰略的(de)成功，讓當(dang)時的(de)中(zhong)國人充(chong)滿(man)了(le)斗志，于(yu)是(shi)908工程順利誕生，當(dang)時計(ji)劃投入20億資金，但是(shi)這一(yi)計(ji)劃在審核階(jie)段(duan)就(jiu)花(hua)費(fei)了(le)整整兩年(nian)(nian)的(de)時間(jian)，兩年(nian)(nian)時間(jian)說長(chang)(chang)不(bu)長(chang)(chang)，但是(shi)對于(yu)高新技術發展來說卻(que)是(shi)漫長(chang)(chang)的(de)一(yi)段(duan)時間(jian)。1997年(nian)(nian)無錫華晶(jing)才建成，此時已經整整落后(hou)其他國家一(yi)大截。

20世紀(ji)90年代，國(guo)家領導人在參(can)觀了三星集成電(dian)路(lu)生產(chan)線后(hou)(hou)意識(shi)到(dao)(dao)了中國(guo)在集成電(dian)路(lu)方面(mian)的(de)落后(hou)(hou)。當時帶回來(lai)的(de)是“觸目驚心”的(de)四字感嘆。在如(ru)此(ci)背景(jing)下誕生了909工程(cheng)。909工程(cheng)的(de)審批上吸取了908的(de)教訓。資金計劃審批幾乎是即刻(ke)就到(dao)(dao)位了。

2001年(nian)(nian)對中國(guo)(guo)人來說是(shi)一(yi)個不平凡的(de)一(yi)年(nian)(nian)，2001年(nian)(nian)中國(guo)(guo)申奧(ao)成功，2001年(nian)(nian)“方舟1號”誕(dan)生。此時中國(guo)(guo)的(de)龍(long)芯項目也在悄(qiao)然(ran)地進行著。當(dang)時龍(long)芯項目所遇也是(shi)困難重重，由于技術上(shang)面(mian)的(de)不成熟(shu)，無法得到市(shi)場的(de)認可(ke)。

2006年(nian)，“核(he)高(gao)基”重大(da)(da)專(zhuan)項正式上馬。“核(he)高(gao)基”是“核(he)心電(dian)子器件(jian)、高(gao)端通用芯片及基礎軟件(jian)產(chan)品”的簡稱(cheng)。當年(nian)，國(guo)務院(yuan)頒布(bu)了《國(guo)家中長(chang)期科(ke)學和技術發展規劃(hua)綱(gang)要（2006－2020年(nian)）》，將“核(he)高(gao)基”列為(wei)16個科(ke)技重大(da)(da)專(zhuan)項之首，與載人航天、探月工(gong)程等并列。

現在的(de)美國(guo)(guo)技術制裁的(de)情況下，換種思路考慮(lv)何嘗(chang)不是促(cu)進中國(guo)(guo)的(de)高新技術發(fa)展(zhan)了，希望國(guo)(guo)家(jia)砥礪前(qian)行(xing)，美國(guo)(guo)是否是搬起石頭(tou)砸自(zi)己的(de)腳，讓我(wo)們(men)拭目(mu)以待。