汽車芯片是怎么制造的

1、沉積

沉積步(bu)驟(zou)從晶(jing)圓(yuan)(yuan)(yuan)開始(shi)，晶(jing)圓(yuan)(yuan)(yuan)是從99.99%的純硅圓(yuan)(yuan)(yuan)柱體(ti)上切(qie)下來的，并(bing)被打磨得(de)極為光滑，再根據結構需求(qiu)將導體(ti)、絕緣體(ti)或半導體(ti)材料薄膜沉積到晶(jing)圓(yuan)(yuan)(yuan)上，以便(bian)能在上面印(yin)制第一層。

2、光刻膠涂覆

晶圓隨后會被涂覆光(guang)敏材(cai)料“光(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)膠(jiao)”。光(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)膠(jiao)也分為兩種——“正(zheng)性(xing)光(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)膠(jiao)”和(he)(he)(he)“負性(xing)光(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)膠(jiao)”。正(zheng)性(xing)和(he)(he)(he)負性(xing)光(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)膠(jiao)的主要區(qu)別在于材(cai)料的化(hua)學結構和(he)(he)(he)光(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)膠(jiao)對光(guang)的反應方式。

3、光刻

光刻決定芯片上的(de)(de)晶(jing)體管(guan)可以(yi)做到多小。晶(jing)圓(yuan)(yuan)會被放入(ru)光(guang)刻(ke)機中(zhong)，暴露在深紫(zi)外光(guang)下。光(guang)線會通過(guo)“掩模版”投射到晶(jing)圓(yuan)(yuan)上，光(guang)刻(ke)機的(de)(de)光(guang)學系統(tong)（DUV系統(tong)的(de)(de)透鏡）將(jiang)掩模版上設計好的(de)(de)電路圖案縮小并聚焦(jiao)到晶(jing)圓(yuan)(yuan)上的(de)(de)光(guang)刻(ke)膠。

4、刻蝕

在"刻(ke)蝕"過程中，晶(jing)圓(yuan)被烘烤(kao)和(he)顯影，一些光刻(ke)膠(jiao)被洗(xi)掉，從(cong)而顯示出一個開放(fang)通(tong)道的3D圖案。刻(ke)蝕也(ye)分為“干式”和(he)“濕(shi)式”兩種。干式刻(ke)蝕使用氣體(ti)來確定晶(jing)圓(yuan)上(shang)的暴露圖案。濕(shi)式刻(ke)蝕通(tong)過化學方法來清洗(xi)晶(jing)圓(yuan)

5、離子注入

一旦圖(tu)案(an)被刻蝕在晶圓上，晶圓會受到(dao)正離(li)子(zi)(zi)或(huo)負(fu)離(li)子(zi)(zi)的轟擊，以(yi)調整部分圖(tu)案(an)的導電(dian)特性。將(jiang)帶電(dian)離(li)子(zi)(zi)引導到(dao)硅晶體中(zhong)，讓電(dian)的流動可以(yi)被控制(zhi)，從而創造出芯片基本構件的電(dian)子(zi)(zi)開關——晶體管(guan)。

6、封裝

為了把芯片從晶(jing)(jing)圓上(shang)取出來，要用(yong)金(jin)剛石鋸將其切(qie)成單個芯片，稱為“裸(luo)晶(jing)(jing)”，這些裸(luo)晶(jing)(jing)隨后會被放置在(zai)“基板”上(shang)——這種基板使用(yong)金(jin)屬箔將裸(luo)晶(jing)(jing)的輸入和輸出信號引導到系統的其他部(bu)分。

汽車芯片的主要材料是什么

汽車芯片(pian)的主(zhu)要(yao)材(cai)料是(shi)硅。硅是(shi)最(zui)常用(yong)的芯片(pian)材(cai)料之(zhi)一，價格低(di)廉、成(cheng)熟，適用(yong)于(yu)(yu)(yu)大(da)規(gui)模生(sheng)產(chan)。硅芯片(pian)的功(gong)率密度(du)低(di)，特(te)別適用(yong)于(yu)(yu)(yu)低(di)功(gong)耗和低(di)成(cheng)本的應用(yong)場(chang)景。硅材(cai)質也易(yi)于(yu)(yu)(yu)加工和集成(cheng)，可以(yi)輕松(song)實(shi)現超(chao)大(da)規(gui)模的集成(cheng)電(dian)路。

汽車芯片很難制造嗎

造(zao)汽車芯(xin)片的難度較大。

1、汽車(che)對芯片和元器件的工作溫(wen)度要(yao)求比(bi)較寬，根據不(bu)同的安裝位置等(deng)有不(bu)同的需求，但一般都要(yao)高于民用產(chan)品的要(yao)求，比(bi)如發動機艙要(yao)求-40℃-150℃；車(che)身控制要(yao)求-40℃-125℃。

2、汽車在行(xing)進過程中會(hui)遭遇更多的振(zhen)動和沖擊，車規(gui)級半導體(ti)必須(xu)滿足在高(gao)低溫交變(bian)、震(zhen)動風擊、防水(shui)防曬、高(gao)速移動等各類(lei)變(bian)化中持續保證穩定(ding)工作。另外汽車對器(qi)件的抗干擾性能(neng)(neng)要求極高(gao)，包括抗ESD靜(jing)電，EFT群脈沖，RS傳導輻射、EMC，EMI等分(fen)析(xi)，芯片(pian)在這些(xie)干擾下既不(bu)能(neng)(neng)不(bu)可控的影響(xiang)工作，也不(bu)能(neng)(neng)干擾車內別的設備（控制總線(xian)，MCU，傳感器(qi)，音響(xiang)，等等）等。