一、bjt指的是什么
bjt是(shi)雙極結(jie)(jie)型晶體管(guan)(guan)（Bipolar Junction Transistor—BJT）的縮寫，又常稱為雙載(zai)子晶體管(guan)(guan)。它是(shi)通過一(yi)定的工藝將兩個PN結(jie)(jie)結(jie)(jie)合在(zai)一(yi)起的器件，有PNP和NPN兩種組(zu)合結(jie)(jie)構。
晶體管分兩類：
1、一類是雙(shuang)極性晶體(ti)管，BJT；BJT是電流控制器件。
2、一類是場效(xiao)應晶(jing)體管(guan)，FET；FET是電壓(ya)控制(zhi)器件(jian)。
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二、MOSFET和BJT有什么區別
金屬氧化物半(ban)導體場效應(ying)晶(jing)體管(guan)(guan)(guan)(MOSFET)和雙極結型(xing)晶(jing)體管(guan)(guan)(guan)(BJT)是兩種封(feng)裝(zhuang)形式(shi)(shi)各異(yi)的(de)(de)晶(jing)體管(guan)(guan)(guan)，不熟悉電子(zi)產品(pin)的(de)(de)人(ren)常常難(nan)以決定應(ying)該在他們(men)的(de)(de)開發項目(mu)中(zhong)使用哪一種。雖然MOSFET和BJT都是晶(jing)體管(guan)(guan)(guan)，但它(ta)們(men)的(de)(de)工(gong)作方(fang)式(shi)(shi)不同，表現出不同的(de)(de)行為，因(yin)此它(ta)們(men)的(de)(de)使用方(fang)式(shi)(shi)不同。
MOSFET和(he)BJT之(zhi)間有很多不同(tong)之(zhi)處：
1、MOSFET（電(dian)壓控制）是金(jin)屬(shu)氧(yang)化(hua)物半導體，而BJT（電(dian)流(liu)控制）是雙極結型晶體管。
2、雖然兩者都有(you)三個終端，但它們有(you)所(suo)不同。MOSFET具(ju)有(you)源極(ji)、漏極(ji)和柵(zha)極(ji)，而BJT具(ju)有(you)基(ji)極(ji)、發射極(ji)和集電極(ji)。
3、MOSFET是高功(gong)率(lv)應用(yong)的理想(xiang)選(xuan)擇，而BJT更常用(yong)于(yu)低電流應用(yong)。
4、BJT取決(jue)于其基極端子上(shang)(shang)的電流，而(er)MOSFET取決(jue)于氧化物絕緣柵電極上(shang)(shang)的電壓。
5、MOSFET的結(jie)構本質上比(bi)BJT的結(jie)構更(geng)復雜。
三、三極管的作用是什么
1、擴流
把(ba)一(yi)(yi)只(zhi)小功(gong)率(lv)(lv)可(ke)控(kong)硅和一(yi)(yi)只(zhi)大(da)功(gong)率(lv)(lv)三(san)極(ji)管(guan)組合，就(jiu)可(ke)得到(dao)一(yi)(yi)只(zhi)大(da)功(gong)率(lv)(lv)可(ke)控(kong)硅，其最大(da)輸出電流由大(da)功(gong)率(lv)(lv)三(san)極(ji)管(guan)的特性(xing)決定，利用(yong)三(san)極(ji)管(guan)的電流放大(da)作用(yong)，將電容容量(liang)擴大(da)若干倍。這(zhe)種等效電容和一(yi)(yi)般(ban)電容器一(yi)(yi)樣，可(ke)浮置工作，適用(yong)于在長延時(shi)電路中作定時(shi)電容。
2、代換
兩只三極(ji)(ji)管(guan)(guan)串(chuan)聯(lian)可直接代換調光臺(tai)燈中的雙向觸(chu)發二極(ji)(ji)管(guan)(guan)，三極(ji)(ji)管(guan)(guan)可代用(yong)(yong)8V左(zuo)右的穩(wen)壓(ya)(ya)管(guan)(guan)。三極(ji)(ji)管(guan)(guan)可代用(yong)(yong)30V左(zuo)右的穩(wen)壓(ya)(ya)管(guan)(guan)。上述應用(yong)(yong)時，三極(ji)(ji)管(guan)(guan)的基極(ji)(ji)均不使(shi)用(yong)(yong)。
3、模擬
用(yong)三(san)(san)極管(guan)夠成的(de)(de)(de)(de)電(dian)路(lu)還可(ke)以模擬(ni)其(qi)它元器件。大功率(lv)可(ke)變(bian)電(dian)阻價貴(gui)難覓，其(qi)穩壓(ya)(ya)原理是：當加(jia)到A、B兩端(duan)的(de)(de)(de)(de)輸(shu)入(ru)電(dian)壓(ya)(ya)上(shang)升(sheng)時，因三(san)(san)極管(guan)的(de)(de)(de)(de)B、E結壓(ya)(ya)降(jiang)(jiang)基本不變(bian)，故(gu)R2兩端(duan)壓(ya)(ya)降(jiang)(jiang)上(shang)升(sheng)，經過R2的(de)(de)(de)(de)電(dian)流上(shang)升(sheng)，三(san)(san)極管(guan)發(fa)射結正偏(pian)增強，其(qi)導通性也增強，C、E極間呈現的(de)(de)(de)(de)等效電(dian)阻減小(xiao)，壓(ya)(ya)降(jiang)(jiang)降(jiang)(jiang)低，從而使AB端(duan)的(de)(de)(de)(de)輸(shu)入(ru)電(dian)壓(ya)(ya)下(xia)降(jiang)(jiang)。調(diao)節(jie)R2即可(ke)調(diao)節(jie)此(ci)模擬(ni)穩壓(ya)(ya)管(guan)的(de)(de)(de)(de)穩壓(ya)(ya)值。
四、三極管的工作原理是什么
三極管(guan)工作原理是：三極管(guan)，是一種電(dian)流控制(zhi)電(dian)流的半導體器(qi)件，三極管(guan)是在一塊半導體基(ji)片上制(zhi)作兩(liang)個相距很近的PN結(jie)，兩(liang)個PN結(jie)把整塊半導體分(fen)成三部分(fen)，中(zhong)間(jian)部分(fen)是基(ji)區(qu)(qu)，兩(liang)側(ce)部分(fen)是發射區(qu)(qu)和集電(dian)區(qu)(qu)，從(cong)而完成工作。
