汽車芯片是怎么制造的

1、沉積

沉積步驟(zou)從(cong)晶圓(yuan)(yuan)開始，晶圓(yuan)(yuan)是從(cong)99.99%的(de)純硅圓(yuan)(yuan)柱體上(shang)切下(xia)來(lai)的(de)，并(bing)被打磨(mo)得極(ji)為光滑，再根據結構(gou)需求(qiu)將導(dao)體、絕緣體或半導(dao)體材(cai)料薄膜沉積到晶圓(yuan)(yuan)上(shang)，以便能在上(shang)面(mian)印(yin)制第一層。

2、光刻膠涂覆

晶圓隨后(hou)會被涂覆(fu)光(guang)(guang)敏材(cai)料“光(guang)(guang)刻(ke)膠”。光(guang)(guang)刻(ke)膠也(ye)分為兩(liang)種——“正性(xing)光(guang)(guang)刻(ke)膠”和“負性(xing)光(guang)(guang)刻(ke)膠”。正性(xing)和負性(xing)光(guang)(guang)刻(ke)膠的主(zhu)要區別(bie)在于材(cai)料的化(hua)學結構和光(guang)(guang)刻(ke)膠對(dui)光(guang)(guang)的反應方式(shi)。

3、光刻

光刻決定芯片上(shang)的晶(jing)體管可(ke)以做到(dao)多(duo)小。晶(jing)圓(yuan)會被放入光(guang)刻機(ji)中，暴(bao)露在深紫外光(guang)下。光(guang)線會通過“掩模(mo)版”投(tou)射(she)到(dao)晶(jing)圓(yuan)上(shang)，光(guang)刻機(ji)的光(guang)學系統（DUV系統的透鏡）將掩模(mo)版上(shang)設計好(hao)的電路圖案縮小并聚焦到(dao)晶(jing)圓(yuan)上(shang)的光(guang)刻膠。

4、刻蝕

在"刻蝕(shi)"過(guo)程中，晶(jing)圓(yuan)被烘烤和(he)顯(xian)影(ying)，一些光刻膠(jiao)被洗(xi)(xi)掉，從而顯(xian)示(shi)出一個開放通(tong)道的(de)3D圖案。刻蝕(shi)也分為“干式(shi)”和(he)“濕(shi)式(shi)”兩種。干式(shi)刻蝕(shi)使用氣體(ti)來確定晶(jing)圓(yuan)上(shang)的(de)暴露圖案。濕(shi)式(shi)刻蝕(shi)通(tong)過(guo)化學方法(fa)來清洗(xi)(xi)晶(jing)圓(yuan)

5、離子注入

一旦圖案(an)被(bei)刻蝕在晶(jing)(jing)圓上(shang)，晶(jing)(jing)圓會受到正離子(zi)或負離子(zi)的轟擊(ji)，以(yi)調整(zheng)部分圖案(an)的導(dao)電(dian)特(te)性。將帶電(dian)離子(zi)引(yin)導(dao)到硅(gui)晶(jing)(jing)體中，讓電(dian)的流動可以(yi)被(bei)控制(zhi)，從(cong)而創造出芯片基本構件(jian)的電(dian)子(zi)開(kai)關——晶(jing)(jing)體管。

6、封裝

為了(le)把(ba)芯片從(cong)晶(jing)圓上(shang)取(qu)出(chu)來，要用金剛石鋸將(jiang)其切(qie)成單個芯片，稱(cheng)為“裸(luo)晶(jing)”，這些裸(luo)晶(jing)隨后會被放(fang)置在“基(ji)板(ban)”上(shang)——這種基(ji)板(ban)使用金屬箔將(jiang)裸(luo)晶(jing)的輸(shu)入(ru)和輸(shu)出(chu)信(xin)號引導到系統的其他部分。

汽車芯片的主要材料是什么

汽車芯(xin)片的(de)主要材(cai)料是硅(gui)。硅(gui)是最常用(yong)的(de)芯(xin)片材(cai)料之一，價格(ge)低(di)(di)廉、成(cheng)熟，適用(yong)于大規模生產。硅(gui)芯(xin)片的(de)功率密度低(di)(di)，特別適用(yong)于低(di)(di)功耗和低(di)(di)成(cheng)本(ben)的(de)應用(yong)場景。硅(gui)材(cai)質也易于加(jia)工和集成(cheng)，可以輕(qing)松實(shi)現超大規模的(de)集成(cheng)電路。

汽車芯片很難制造嗎

造汽車芯片的難度較大(da)。

1、汽車對芯片和元器件的(de)工作(zuo)溫度(du)要求(qiu)(qiu)比較寬，根據不(bu)同的(de)安裝位置等有不(bu)同的(de)需求(qiu)(qiu)，但一般都要高于民用產品的(de)要求(qiu)(qiu)，比如(ru)發動機艙要求(qiu)(qiu)-40℃-150℃；車身控制要求(qiu)(qiu)-40℃-125℃。

2、汽車在行進過程中(zhong)會遭遇更多的(de)振(zhen)動(dong)和沖擊，車規(gui)級半(ban)導(dao)體必須滿足在高低溫(wen)交變(bian)、震動(dong)風(feng)擊、防(fang)水防(fang)曬、高速移動(dong)等各(ge)類變(bian)化中(zhong)持(chi)續保(bao)證(zheng)穩定(ding)工(gong)作。另外汽(qi)車對器件的(de)抗干擾性能要求極(ji)高，包括(kuo)抗ESD靜電，EFT群脈沖，RS傳(chuan)導(dao)輻射、EMC，EMI等分析，芯片在這些干擾下既不能不可控(kong)的(de)影(ying)響工(gong)作，也(ye)不能干擾車內別的(de)設備（控(kong)制總線，MCU，傳(chuan)感器，音響，等等）等。