汽車芯片是怎么制造的

1、沉積

沉(chen)積步驟從晶圓(yuan)開(kai)始，晶圓(yuan)是(shi)從99.99%的純硅(gui)圓(yuan)柱(zhu)體(ti)上(shang)切下(xia)來的，并被(bei)打磨得極為光(guang)滑(hua)，再根據(ju)結構需求將導(dao)體(ti)、絕緣體(ti)或半導(dao)體(ti)材料薄膜沉(chen)積到晶圓(yuan)上(shang)，以便(bian)能在上(shang)面印(yin)制第一層。

2、光刻膠涂覆

晶(jing)圓隨后會被(bei)涂覆光敏材(cai)料“光刻(ke)(ke)膠(jiao)”。光刻(ke)(ke)膠(jiao)也分為兩種——“正性(xing)光刻(ke)(ke)膠(jiao)”和“負性(xing)光刻(ke)(ke)膠(jiao)”。正性(xing)和負性(xing)光刻(ke)(ke)膠(jiao)的主(zhu)要區別(bie)在于材(cai)料的化學(xue)結構和光刻(ke)(ke)膠(jiao)對(dui)光的反應方式。

3、光刻

光刻決定芯片上(shang)的(de)晶體管可以(yi)做到多小(xiao)。晶圓(yuan)會(hui)被放入(ru)光(guang)刻(ke)機中，暴(bao)露在深紫外光(guang)下。光(guang)線會(hui)通(tong)過“掩模版”投射到晶圓(yuan)上(shang)，光(guang)刻(ke)機的(de)光(guang)學系統(tong)（DUV系統(tong)的(de)透(tou)鏡）將(jiang)掩模版上(shang)設計好(hao)的(de)電路圖案(an)縮(suo)小(xiao)并聚焦(jiao)到晶圓(yuan)上(shang)的(de)光(guang)刻(ke)膠。

4、刻蝕

在"刻(ke)蝕"過程(cheng)中，晶(jing)圓(yuan)被(bei)烘烤和顯影，一些光刻(ke)膠被(bei)洗掉(diao)，從而顯示(shi)出一個開放通道的3D圖案(an)。刻(ke)蝕也分為“干式”和“濕式”兩種。干式刻(ke)蝕使用氣體來(lai)確定晶(jing)圓(yuan)上的暴露圖案(an)。濕式刻(ke)蝕通過化學方法來(lai)清洗晶(jing)圓(yuan)

5、離子注入

一旦圖(tu)案被刻(ke)蝕在(zai)晶(jing)圓(yuan)上(shang)，晶(jing)圓(yuan)會受到(dao)正離(li)(li)子(zi)或負離(li)(li)子(zi)的(de)轟擊，以調(diao)整部分圖(tu)案的(de)導(dao)(dao)電特性。將帶電離(li)(li)子(zi)引導(dao)(dao)到(dao)硅晶(jing)體中，讓電的(de)流動可以被控制，從(cong)而(er)創造出(chu)芯片基本構件的(de)電子(zi)開關——晶(jing)體管。

6、封裝

為(wei)了(le)把芯片(pian)(pian)從(cong)晶(jing)圓上(shang)取出來，要用金剛石鋸將其切成單(dan)個芯片(pian)(pian)，稱為(wei)“裸(luo)晶(jing)”，這(zhe)些(xie)裸(luo)晶(jing)隨后會(hui)被放置在(zai)“基(ji)板(ban)”上(shang)——這(zhe)種基(ji)板(ban)使(shi)用金屬箔將裸(luo)晶(jing)的輸入和輸出信號引(yin)導到系(xi)統的其他部(bu)分。

汽車芯片的主要材料是什么

汽車芯片的主要材(cai)(cai)料(liao)是硅(gui)。硅(gui)是最常用(yong)的芯片材(cai)(cai)料(liao)之一，價格(ge)低(di)廉、成(cheng)熟，適(shi)用(yong)于大(da)規(gui)模生產。硅(gui)芯片的功(gong)率密(mi)度低(di)，特別適(shi)用(yong)于低(di)功(gong)耗和低(di)成(cheng)本(ben)的應用(yong)場景。硅(gui)材(cai)(cai)質也易于加工和集(ji)成(cheng)，可以輕松實(shi)現超大(da)規(gui)模的集(ji)成(cheng)電路。

汽車芯片很難制造嗎

造汽車芯片(pian)的難(nan)度較大。

1、汽車(che)對芯(xin)片(pian)和(he)元器件的工作溫度要(yao)求比(bi)較(jiao)寬，根據不(bu)同(tong)的安裝位(wei)置(zhi)等有不(bu)同(tong)的需求，但(dan)一(yi)般都要(yao)高于民用產品的要(yao)求，比(bi)如發(fa)動機艙要(yao)求-40℃-150℃；車(che)身(shen)控制(zhi)要(yao)求-40℃-125℃。

2、汽車在(zai)行進過(guo)程(cheng)中(zhong)會(hui)遭遇(yu)更多的(de)振(zhen)動(dong)和沖擊，車規級(ji)半導體必須滿足在(zai)高低溫交變(bian)、震動(dong)風擊、防水防曬、高速(su)移動(dong)等各類變(bian)化中(zhong)持續保(bao)證穩定工(gong)作。另外汽車對器(qi)件的(de)抗(kang)干擾性能(neng)要求極高，包(bao)括抗(kang)ESD靜(jing)電，EFT群(qun)脈沖，RS傳導輻射(she)、EMC，EMI等分析，芯片(pian)在(zai)這些干擾下既不(bu)能(neng)不(bu)可控(kong)的(de)影響(xiang)工(gong)作，也不(bu)能(neng)干擾車內別的(de)設(she)備（控(kong)制總線，MCU，傳感器(qi)，音響(xiang)，等等）等。