1、總頻差(cha)：在規定的(de)時間內，由于規定的(de)工作(zuo)和(he)非工作(zuo)參(can)數全(quan)部(bu)組合而引(yin)起的(de)晶體振蕩器(qi)頻率與(yu)給定標稱頻率的(de)最大(da)偏差(cha)。

2、頻(pin)率溫(wen)度(du)穩(wen)定度(du)：在(zai)標(biao)稱(cheng)電源和(he)負載下，工作(zuo)在(zai)規定溫(wen)度(du)范圍內的不(bu)帶(dai)隱含基(ji)準溫(wen)度(du)或帶(dai)隱含基(ji)準溫(wen)度(du)的最(zui)大允許頻(pin)偏。

3、開(kai)機特性(xing)（頻(pin)率(lv)穩定(ding)預熱(re)時間）：指開(kai)機后(hou)一段時間（如(ru)5分鐘）的頻(pin)率(lv)到開(kai)機后(hou)另一段時間（如(ru)1小時）的頻(pin)率(lv)的變化率(lv)，表示(shi)了(le)晶振達(da)到穩定(ding)的速度(du)。

4、頻率(lv)(lv)(lv)老化(hua)率(lv)(lv)(lv)：在恒定(ding)的環境條件下測量振(zhen)(zhen)蕩器(qi)頻率(lv)(lv)(lv)時，振(zhen)(zhen)蕩器(qi)頻率(lv)(lv)(lv)和(he)時間之間的關系。這種(zhong)長期頻率(lv)(lv)(lv)漂移是(shi)由晶體元(yuan)件和(he)振(zhen)(zhen)蕩器(qi)元(yuan)件的緩慢(man)變化(hua)造成(cheng)的。因(yin)此(ci)，其頻率(lv)(lv)(lv)偏(pian)移的速率(lv)(lv)(lv)叫老化(hua)率(lv)(lv)(lv)，可(ke)用規定(ding)時限(xian)后的最(zui)大變化(hua)率(lv)(lv)(lv)（如±10ppb/天(tian)，加電72小時后），或(huo)規定(ding)的時限(xian)內最(zui)大的總頻率(lv)(lv)(lv)變化(hua)（如：±1ppm/（第一年(nian)）和(he)±5ppm/（十年(nian)））來表示(shi)。

5、短(duan)穩(wen)：短(duan)期穩(wen)定度。

6、頻率壓(ya)(ya)控(kong)范(fan)圍：將頻率控(kong)制電壓(ya)(ya)從基(ji)準(zhun)電壓(ya)(ya)調到規定的終點(dian)電壓(ya)(ya)，晶體(ti)振蕩器頻率的最小峰值改變(bian)量。

7、率壓控(kong)線性：與理想(xiang)（直線）函數相(xiang)比(bi)的(de)輸出(chu)頻率-輸入控(kong)制電壓傳輸特性的(de)一(yi)種量度(du)，它以百分數表示整(zheng)個范圍頻偏(pian)的(de)可容許非(fei)線性度(du)。

8、單(dan)邊帶相(xiang)位噪聲￡（f）：偏離載波(bo)(bo)f處(chu)，一個相(xiang)位調(diao)制邊帶的功率密度與載波(bo)(bo)功率之比。