1、接觸式曝光(guang)（Contact Printing）

掩膜板直(zhi)接(jie)與光(guang)刻膠層接(jie)觸(chu)。曝光(guang)出來的(de)(de)圖形(xing)與掩膜板上的(de)(de)圖形(xing)分辨率相當(dang)，設備簡單。接(jie)觸(chu)式(shi)，根(gen)據施加力(li)量(liang)的(de)(de)方式(shi)不同又(you)分為(wei)：軟接(jie)觸(chu)，硬接(jie)觸(chu)和真空接(jie)觸(chu)。

（1）軟(ruan)接觸：就是(shi)把基(ji)(ji)片通過托盤(pan)吸附(fu)住（類似(si)于勻膠(jiao)機的基(ji)(ji)片放置方式），掩膜蓋在(zai)基(ji)(ji)片上(shang)面。

（2）硬接(jie)觸(chu)：是(shi)將(jiang)基片(pian)通過一個氣壓（氮氣），往上頂(ding)，使(shi)之與掩膜(mo)接(jie)觸(chu)。

（3）真空(kong)接(jie)觸：是在掩膜和基片(pian)中(zhong)間(jian)抽氣，使(shi)之更加好的貼合（想一想把被子抽真空(kong)放置的方(fang)式(shi)）。

缺(que)點：光(guang)刻(ke)膠污染掩(yan)膜板(ban)；掩(yan)膜板(ban)的(de)(de)磨損，容(rong)易損壞，壽命很低（只能使用(yong)5～25次(ci)）；容(rong)易累積缺(que)陷；上個(ge)世(shi)紀七十年代的(de)(de)工業(ye)水準，已經逐漸被(bei)接(jie)近式(shi)曝(pu)光(guang)方(fang)式(shi)所淘汰了，國(guo)產(chan)光(guang)刻(ke)機均為接(jie)觸(chu)式(shi)曝(pu)光(guang)，國(guo)產(chan)光(guang)刻(ke)機的(de)(de)開發機構無(wu)法提供工藝要(yao)求更高的(de)(de)非(fei)接(jie)觸(chu)式(shi)曝(pu)光(guang)的(de)(de)產(chan)品化。

2、接近(jin)式(shi)曝(pu)光(guang)（Proximity Printing）

掩(yan)膜板(ban)與(yu)光(guang)刻(ke)(ke)(ke)膠(jiao)基(ji)底(di)層保(bao)留(liu)一個微(wei)小的(de)縫隙（Gap），Gap大(da)約為0～200μm。可以有效避(bi)免(mian)與(yu)光(guang)刻(ke)(ke)(ke)膠(jiao)直接接觸而引起(qi)的(de)掩(yan)膜板(ban)損傷(shang)，使(shi)掩(yan)膜和光(guang)刻(ke)(ke)(ke)膠(jiao)基(ji)底(di)能耐久使(shi)用；掩(yan)模壽命(ming)長（可提高10倍以上），圖形(xing)缺陷少(shao)。接近式(shi)在現代光(guang)刻(ke)(ke)(ke)工(gong)藝中應(ying)用最為廣泛。

3、投影(ying)式(shi)曝光（Projection Printing）

在(zai)掩(yan)(yan)膜(mo)板(ban)與(yu)光(guang)刻(ke)膠之間使用(yong)光(guang)學系統(tong)聚集光(guang)實現曝(pu)光(guang)。一般掩(yan)(yan)膜(mo)板(ban)的尺寸會以(yi)需要轉移圖(tu)形的4倍制作。優點：提高了(le)分辨率；掩(yan)(yan)膜(mo)板(ban)的制作更加容易；掩(yan)(yan)膜(mo)板(ban)上(shang)的缺陷影響減小。

投影(ying)式曝光分類：

（1）掃(sao)描投影曝光（Scanning Project Printing）。70年代末～80年代初(chu)，〉1μm工藝；掩膜板1：1，全尺寸；

（2）步(bu)進重復投影曝光（Stepping-repeating Project Printing或(huo)稱作(zuo)Stepper）。80年(nian)(nian)代(dai)末～90年(nian)(nian)代(dai)，0.35μm（I line）～0.25μm（DUV）。掩膜板縮小比例（4：1），曝光區域（Exposure Field）22×22mm（一次曝光所能覆蓋的區域）。增(zeng)加了棱鏡系統的制(zhi)作(zuo)難度。

（3）掃描步進投(tou)影曝(pu)(pu)光（Scanning-Stepping Project Printing）。90年代末(mo)～至(zhi)今，用于≤0.18μm工藝。采用6英寸(cun)的(de)掩膜(mo)板按照4：1的(de)比例(li)曝(pu)(pu)光，曝(pu)(pu)光區(qu)域（Exposure Field）26×33mm。優(you)點：增大了每次曝(pu)(pu)光的(de)視場；提供硅片表面不平整的(de)補償；提高整個(ge)硅片的(de)尺寸(cun)均(jun)勻(yun)性。但是，同時因為需(xu)要反向運動，增加了機械(xie)系統的(de)精度要求。

4、高精度雙面

主要用于中(zhong)小規模集成電(dian)(dian)(dian)路(lu)、半導體元器件、光電(dian)(dian)(dian)子(zi)器件、聲表(biao)面波器件、薄膜電(dian)(dian)(dian)路(lu)、電(dian)(dian)(dian)力電(dian)(dian)(dian)子(zi)器件的研制(zhi)和生產。

高(gao)精(jing)度(du)特制的翻版機構、雙視場CCD顯微顯示系(xi)(xi)統(tong)、多點光(guang)源曝光(guang)頭、真(zhen)空管路(lu)系(xi)(xi)統(tong)、氣路(lu)系(xi)(xi)統(tong)、直聯(lian)式無油真(zhen)空泵、防震工作臺等組成。

適用于φ100mm以下，厚度5mm以下的(de)各種基片的(de)對準(zhun)曝光(guang)。

5、高精度單面

針(zhen)對各大專(zhuan)院校(xiao)、企業及科研單位，對光(guang)刻(ke)機使用特性(xing)研發的一種高精度光(guang)刻(ke)機，中小規模集成電(dian)路、半導體元器(qi)件(jian)(jian)(jian)、光(guang)電(dian)子器(qi)件(jian)(jian)(jian)、聲表面波(bo)器(qi)件(jian)(jian)(jian)的研制(zhi)和生(sheng)產。

高精(jing)度(du)對準工(gong)作(zuo)臺、雙目分離(li)視場(chang)CCD顯微顯示系(xi)統(tong)、曝光頭、氣動系(xi)統(tong)、真(zhen)空管路(lu)系(xi)統(tong)、直聯(lian)式無(wu)油(you)真(zhen)空泵(beng)、防震工(gong)作(zuo)臺和附件箱等組成。

解決非(fei)圓形基(ji)片、碎片和底面不(bu)平的(de)(de)(de)基(ji)片造(zao)成的(de)(de)(de)版(ban)片分(fen)離不(bu)開所引起的(de)(de)(de)版(ban)片無(wu)法對(dui)準的(de)(de)(de)問(wen)題。