1、顯卡芯片：顯卡核心型(xing)號差(cha)一檔，性能也就差(cha)了一檔，所(suo)以可根據核心型(xing)號來(lai)判斷顯卡的高低，例如，N卡型(xing)號的前(qian)綴一共有(you)GTX > GTS > GT > GF，其后(hou)(hou)的兩(liang)位(wei)數(shu)(shu)或一位(wei)數(shu)(shu)代表(biao)代數(shu)(shu)，再其后(hou)(hou)兩(liang)位(wei)數(shu)(shu)越(yue)大，表(biao)示(shi)同代中的性能就越(yue)強，后(hou)(hou)綴有(you)Ti、SE、M、MX，分別表(biao)示(shi)加強版(ban)、閹割(ge)版(ban)、移動版(ban)、移動加強版(ban)。

2、流(liu)(liu)(liu)處(chu)理(li)器：流(liu)(liu)(liu)處(chu)理(li)器是(shi)顯卡(ka)(ka)(ka)的(de)核心，直接影響處(chu)理(li)能力，對于(yu)N卡(ka)(ka)(ka)和(he)(he)A卡(ka)(ka)(ka)來說，流(liu)(liu)(liu)處(chu)理(li)單元(yuan)個數越多則處(chu)理(li)能力越強。N卡(ka)(ka)(ka)和(he)(he)A卡(ka)(ka)(ka)的(de)流(liu)(liu)(liu)處(chu)理(li)單元(yuan)可(ke)采(cai)取近似(si)比(bi)較，N卡(ka)(ka)(ka)的(de)1個流(liu)(liu)(liu)處(chu)理(li)單元(yuan)相當于(yu)AMD的(de)5個流(liu)(liu)(liu)處(chu)理(li)單元(yuan)。

3、顯(xian)存(cun)位(wei)(wei)寬：顯(xian)存(cun)位(wei)(wei)寬表(biao)示(shi)一個(ge)時鐘周期內所能傳送數(shu)據的位(wei)(wei)數(shu)，位(wei)(wei)數(shu)越大(da)則傳輸量越大(da)，常見的有64位(wei)(wei)、128位(wei)(wei)和256位(wei)(wei)顯(xian)卡。在顯(xian)存(cun)頻率相當情(qing)況下，顯(xian)存(cun)位(wei)(wei)寬決定著(zhu)帶寬的大(da)小。

4、顯存類(lei)(lei)型(xing)：顯存類(lei)(lei)型(xing)主(zhu)要有SDRAM，DDR SDRAM，DDR SGRAM三種，SDRAM顆(ke)粒(li)主(zhu)要應(ying)用(yong)在低端顯卡上，頻率一般(ban)不超過200MHz；DDR SDRAM是主(zhu)流；DDR SGRAM適(shi)合繪圖專用(yong)。

5、散熱設計：散熱系統的(de)好壞直接決定了性(xing)能發(fa)揮的(de)穩定性(xing)，被動(dong)式(shi)(shi)(shi)噪(zao)音低，適(shi)合低頻率顯(xian)(xian)卡；主動(dong)式(shi)(shi)(shi)有散熱片和風扇，適(shi)合高頻率顯(xian)(xian)卡；導流(liu)式(shi)(shi)(shi)適(shi)合高檔游戲顯(xian)(xian)卡。