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1、顯(xian)(xian)卡(ka)芯片：顯(xian)(xian)卡(ka)核心型(xing)(xing)號(hao)差一檔，性能(neng)(neng)也就差了一檔，所(suo)以可根據(ju)核心型(xing)(xing)號(hao)來判斷顯(xian)(xian)卡(ka)的高低，例(li)如，N卡(ka)型(xing)(xing)號(hao)的前綴(zhui)一共有(you)GTX > GTS > GT > GF，其后的兩位數或一位數代表代數，再其后兩位數越大，表示同代中(zhong)的性能(neng)(neng)就越強(qiang)，后綴(zhui)有(you)Ti、SE、M、MX，分(fen)別表示加強(qiang)版、閹割(ge)版、移動版、移動加強(qiang)版。

2、流(liu)(liu)處(chu)理(li)(li)(li)(li)器：流(liu)(liu)處(chu)理(li)(li)(li)(li)器是顯卡(ka)(ka)的核心，直接影響處(chu)理(li)(li)(li)(li)能(neng)力，對于N卡(ka)(ka)和(he)(he)A卡(ka)(ka)來說，流(liu)(liu)處(chu)理(li)(li)(li)(li)單(dan)(dan)(dan)元(yuan)(yuan)個(ge)(ge)數越(yue)多(duo)則處(chu)理(li)(li)(li)(li)能(neng)力越(yue)強。N卡(ka)(ka)和(he)(he)A卡(ka)(ka)的流(liu)(liu)處(chu)理(li)(li)(li)(li)單(dan)(dan)(dan)元(yuan)(yuan)可采取近似比(bi)較，N卡(ka)(ka)的1個(ge)(ge)流(liu)(liu)處(chu)理(li)(li)(li)(li)單(dan)(dan)(dan)元(yuan)(yuan)相當(dang)于AMD的5個(ge)(ge)流(liu)(liu)處(chu)理(li)(li)(li)(li)單(dan)(dan)(dan)元(yuan)(yuan)。

3、顯(xian)(xian)存位(wei)寬：顯(xian)(xian)存位(wei)寬表示一個時鐘周期內所能(neng)傳(chuan)(chuan)送數據的(de)位(wei)數，位(wei)數越大(da)則(ze)傳(chuan)(chuan)輸量越大(da)，常見的(de)有64位(wei)、128位(wei)和256位(wei)顯(xian)(xian)卡。在顯(xian)(xian)存頻率(lv)相(xiang)當情況下，顯(xian)(xian)存位(wei)寬決(jue)定著帶寬的(de)大(da)小(xiao)。

4、顯(xian)存(cun)類型：顯(xian)存(cun)類型主要(yao)有SDRAM，DDR SDRAM，DDR SGRAM三(san)種，SDRAM顆粒主要(yao)應用在低端顯(xian)卡上，頻率(lv)一般不超過200MHz；DDR SDRAM是主流；DDR SGRAM適合(he)繪圖專用。

5、散(san)熱(re)設計：散(san)熱(re)系統的好壞直接(jie)決定(ding)(ding)了(le)性(xing)能發揮的穩定(ding)(ding)性(xing)，被(bei)動式噪音(yin)低(di)，適合低(di)頻(pin)率顯(xian)(xian)卡；主動式有散(san)熱(re)片和風扇，適合高頻(pin)率顯(xian)(xian)卡；導流式適合高檔游戲顯(xian)(xian)卡。