一、euv光刻膠是什么

euv光刻膠也稱極紫(zi)外光刻(ke)膠(jiao)或EUVL，是一(yi)種使用極紫(zi)外（EUV）波長(chang)的下(xia)一(yi)代光刻(ke)技術(shu)。EUV光刻(ke)膠(jiao)采用波長(chang)為10-14納米的極紫(zi)外光作(zuo)為光源，可使曝光波長(chang)一(yi)下(xia)子降到13.5nm，它能夠把(ba)光刻(ke)技術(shu)擴(kuo)展(zhan)到32nm以下(xia)的特(te)征(zheng)尺(chi)寸(cun)。

二、euv光刻膠的缺點

EUV光刻膠用(yong)于晶(jing)圓廠的芯(xin)(xin)片(pian)生(sheng)產，它使用(yong)一個(ge)巨(ju)大的掃描儀在(zai)高級(ji)節點上(shang)對芯(xin)(xin)片(pian)的微小(xiao)特(te)征(zheng)(zheng)進(jin)行(xing)圖(tu)(tu)案化，在(zai)操作(zuo)中，EUV的掃描儀產生(sheng)光(guang)(guang)子，最終與晶(jing)圓上(shang)的光(guang)(guang)敏材料(liao)光(guang)(guang)刻膠相互作(zuo)用(yong)，以(yi)形成(cheng)精確的特(te)征(zheng)(zheng)化圖(tu)(tu)案。

不過(guo)，并(bing)不是(shi)每(mei)次都(dou)可以(yi)實現(xian)(xian)精確圖(tu)案(an)化，在EUV中，光子撞擊光刻膠發生反應(ying)且這(zhe)(zhe)一動作(zuo)重復(fu)多次，這(zhe)(zhe)些過(guo)程充(chong)滿不可預測(ce)性和隨(sui)機(ji)性，可能(neng)會(hui)產(chan)生新的反應(ying)，也就(jiu)是(shi)說EUV光刻工藝(yi)容易出(chu)現(xian)(xian)所謂的隨(sui)機(ji)性，是(shi)具有(you)隨(sui)機(ji)變量的事(shi)件，這(zhe)(zhe)些變化被統稱為隨(sui)機(ji)效應(ying)。隨(sui)機(ji)效應(ying)有(you)時會(hui)導致芯(xin)片(pian)中出(chu)現(xian)(xian)不必要的接觸缺陷或(huo)有(you)粗糙(cao)度的圖(tu)案(an)，兩者都(dou)會(hui)影響(xiang)芯(xin)片(pian)的性能(neng)，甚至導致設備出(chu)現(xian)(xian)故障(zhang)。

在操作中(zhong)，EUV掃描儀應該(gai)在芯片中(zhong)創建各(ge)種圖案，例如微小的接(jie)(jie)觸(chu)孔、線條和通孔，并(bing)且具有良好的均勻(yun)性(xing)。但有時，掃描儀可能(neng)無法圖案化所(suo)需線條，出(chu)現換行符，無法打(da)印每一(yi)個(ge)接(jie)(jie)觸(chu)孔，出(chu)現缺失接(jie)(jie)觸(chu)，其他情況下，該(gai)過程還會導致(zhi)一(yi)個(ge)或多個(ge)孔合并(bing)，出(chu)現“接(jie)(jie)吻接(jie)(jie)觸(chu)”。

換行符(fu)、缺(que)失接(jie)觸(chu)和(he)接(jie)吻接(jie)觸(chu)都被(bei)認為是隨機效應引(yin)起(qi)的(de)缺(que)陷，另(ling)一(yi)個隨機效應是線邊(bian)緣粗(cu)糙度（LER）。LER被(bei)定(ding)義(yi)為特征邊(bian)緣與(yu)理想(xiang)形狀的(de)偏差，不隨特征大(da)小而縮放，因(yin)此(ci)是有問題(ti)的(de)。