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什么是電子陶瓷材料 電子陶瓷材料有哪些種類

本文章由注冊用戶 時代工業園 上傳提供 2024-11-15 評論 0
摘要:電子陶瓷是一種應用于電子工業領域的陶瓷材料,通過對表面、晶界和尺寸結構的精密控制而獲得新功能,廣泛用于制作電子功能元件,電子陶瓷的種類也很多,一般根據功能用途不同,可分為絕緣裝置瓷、電容器瓷、鐵電陶瓷、半導體陶瓷和離子陶瓷五大類。下面一起來詳細了解一下什么是電子陶瓷材料以及電子陶瓷材料有哪些種類吧。

一、什么是電子陶瓷材料

電(dian)子陶瓷(ci)是(shi)指在(zai)(zai)電(dian)子工業中能夠利用電(dian)、磁性質的(de)陶瓷(ci),一般在(zai)(zai)電(dian)子設備當中,作為(wei)安裝、固定、支撐、保護、絕緣(yuan)、隔離以及(ji)(ji)連接各(ge)種無線電(dian)元(yuan)件(jian)及(ji)(ji)器件(jian)的(de)材料。

電子陶瓷屬于(yu)無機多晶體,微觀結構上是(shi)介乎單品與玻(bo)璃之間的(de)一類物質,陶瓷內部(bu)之間是(shi)由離子鍵和(he)(he)共(gong)價鍵所結合(he),通(tong)(tong)過(guo)精密控制陶瓷的(de)表面、晶界和(he)(he)尺寸結構可以使陶瓷獲得新功能(neng),具(ju)有高擦點、硬(ying)度高和(he)(he)彈性(xing)(xing)模(mo)量大等特點,能(neng)夠耐高溫、磨損和(he)(he)氧化(hua)腐蝕,化(hua)學穩定性(xing)(xing)好,廣(guang)泛應用于(yu)光(guang)(guang)通(tong)(tong)信(xin)、無線通(tong)(tong)信(xin)、工業(ye)激光(guang)(guang)、消費(fei)電(dian)子、汽車電(dian)子等領域。

二、電子陶瓷材料有哪些種類

電子陶瓷材料的種類眾多,按功能和用途不同(tong),可分(fen)為(wei)五(wu)大類:

1、絕緣裝置瓷

簡稱(cheng)裝(zhuang)置(zhi)瓷(ci),具有優(you)良的(de)電絕(jue)(jue)緣性能(neng),用作電子(zi)設(she)備和(he)器(qi)件(jian)中的(de)結(jie)構件(jian)、基片(pian)和(he)外(wai)殼等的(de)電子(zi)陶瓷(ci)。絕(jue)(jue)緣裝(zhuang)置(zhi)瓷(ci)件(jian)包括各種絕(jue)(jue)緣子(zi)、線圈骨架、電子(zi)管座、波段開關、電容(rong)器(qi)支柱支架、集成電路基片(pian)和(he)封裝(zhuang)外(wai)殼等。對這類瓷(ci)的(de)基本(ben)要求是(shi)介(jie)電常數ε低(di),介(jie)質損耗(hao)tanδ小,絕(jue)(jue)緣電阻率(lv)ρ高,擊穿強(qiang)度(du)E?大,介(jie)電溫度(du)特性和(he)頻率(lv)特性好。此外(wai),還要求有較高的(de)機械強(qiang)度(du)和(he)化學穩定(ding)性。

在這類陶瓷中(zhong)以滑石(shi)(shi)瓷和(he)氧(yang)(yang)化鋁(lv)(lv)(lv)瓷應用(yong)最(zui)廣,滑石(shi)(shi)瓷的(de)電(dian)絕(jue)緣性(xing)(xing)(xing)優良且(qie)成本較低,是用(yong)于射(she)電(dian)頻(pin)段(duan)內的(de)典型高(gao)(gao)(gao)(gao)頻(pin)裝置瓷。氧(yang)(yang)化鋁(lv)(lv)(lv)瓷是一(yi)類電(dian)絕(jue)緣性(xing)(xing)(xing)更佳的(de)高(gao)(gao)(gao)(gao)頻(pin)、高(gao)(gao)(gao)(gao)溫、高(gao)(gao)(gao)(gao)強(qiang)度(du)裝置瓷。其(qi)電(dian)性(xing)(xing)(xing)能(neng)和(he)物理性(xing)(xing)(xing)能(neng)隨三(san)氧(yang)(yang)化二(er)鋁(lv)(lv)(lv)含(han)量的(de)增多(duo)而(er)提高(gao)(gao)(gao)(gao)。常用(yong)的(de)有含(han)75%、95%、99%三(san)氧(yang)(yang)化二(er)鋁(lv)(lv)(lv)的(de)高(gao)(gao)(gao)(gao)鋁(lv)(lv)(lv)氧(yang)(yang)瓷。在一(yi)些要求極高(gao)(gao)(gao)(gao)的(de)集成電(dian)路(lu)中(zhong),甚至還使用(yong)三(san)氧(yang)(yang)化二(er)鋁(lv)(lv)(lv)含(han)量達99.9%的(de)純(chun)剛(gang)(gang)玉(yu)瓷,其(qi)性(xing)(xing)(xing)質與(yu)藍寶石(shi)(shi)單晶相近(jin)。高(gao)(gao)(gao)(gao)鋁(lv)(lv)(lv)氧(yang)(yang)瓷,尤其(qi)是純(chun)剛(gang)(gang)玉(yu)瓷的(de)缺點是制造困難,燒成溫度(du)高(gao)(gao)(gao)(gao)、價格(ge)貴(gui)。

裝置瓷(ci)中(zhong)還(huan)有一類以氧(yang)化(hua)鈹(pi)(BeO)為代(dai)表的(de)(de)高(gao)(gao)熱(re)導(dao)瓷(ci)。含(han)BeO95%的(de)(de)氧(yang)化(hua)鈹(pi)瓷(ci)的(de)(de)室溫(wen)(wen)導(dao)熱(re)率與金(jin)屬相同。氧(yang)化(hua)鈹(pi)還(huan)具有良好的(de)(de)介電性、耐溫(wen)(wen)度劇變性和(he)很高(gao)(gao)的(de)(de)機械強度。其缺點是BeO原料(liao)的(de)(de)毒(du)性很大,瓷(ci)料(liao)燒成溫(wen)(wen)度高(gao)(gao),因而限制了它的(de)(de)應(ying)用(yong)。氮化(hua)硼?(BN)瓷(ci)和(he)氮化(hua)鋁(lv)(AlN)瓷(ci)也屬于高(gao)(gao)熱(re)導(dao)瓷(ci),其導(dao)熱(re)性雖(sui)不及氧(yang)化(hua)鈹(pi)瓷(ci),但無毒(du),加工性能(neng)和(he)介電性能(neng)均好,可供高(gao)(gao)頻(pin)大功率晶體管和(he)大規(gui)模集成電路中(zhong)作散熱(re)及絕緣用(yong)。

2、電容器瓷

是(shi)用(yong)作電容器(qi)介質的電子陶瓷(ci)(ci),這類陶瓷(ci)(ci)用(yong)量最大、規(gui)格品(pin)種也(ye)最多,主要的有高頻、低頻電容器(qi)瓷(ci)(ci)和半導體電容器(qi)瓷(ci)(ci):

(1)高頻電容器瓷:屬(shu)(shu)于Ⅰ類電(dian)容(rong)器(qi)瓷,主(zhu)要(yao)用于制造高(gao)頻電(dian)路中(zhong)的高(gao)穩定性陶(tao)瓷電(dian)容(rong)器(qi)和溫(wen)度補償電(dian)容(rong)器(qi)。構(gou)成這類陶(tao)瓷的主(zhu)要(yao)成分大多是堿土金屬(shu)(shu)或稀土金屬(shu)(shu)的鈦酸鹽和以鈦酸鹽為基的固溶(rong)體。

(2)低頻電容器瓷:屬(shu)于Ⅱ類電(dian)(dian)容器瓷(ci),主(zhu)(zhu)要用于制(zhi)造低頻(pin)電(dian)(dian)路中的(de)旁路、隔直流和濾波用的(de)陶(tao)瓷(ci)電(dian)(dian)容器。主(zhu)(zhu)要特點是介電(dian)(dian)常數ε?高,損耗角(jiao)正切較大(da)且(qie)tanδ及ε隨溫度的(de)變(bian)化率(lv)(lv)較大(da)。這類陶(tao)瓷(ci)中應用最多(duo)的(de)是以鐵(tie)電(dian)(dian)鈦酸鋇(bei)(BaTiO3)為主(zhu)(zhu)成(cheng)分,通過摻雜改性(xing)而得到的(de)高ε(室(shi)溫下(xia)可(ke)達20000)和ε的(de)溫度變(bian)化率(lv)(lv)低的(de)瓷(ci)料。

(3)半導體電容器瓷:利用(yong)半導(dao)體(ti)化的(de)陶(tao)(tao)瓷(ci)外表面或(huo)晶(jing)粒間(jian)的(de)內(nei)表面(晶(jing)界(jie)(jie)(jie))上形成(cheng)的(de)絕(jue)緣層為電(dian)(dian)容(rong)器介(jie)質(zhi)(zhi)的(de)電(dian)(dian)子陶(tao)(tao)瓷(ci)。其中利用(yong)陶(tao)(tao)瓷(ci)晶(jing)界(jie)(jie)(jie)層的(de)介(jie)電(dian)(dian)性(xing)質(zhi)(zhi)而制成(cheng)的(de)邊界(jie)(jie)(jie)層電(dian)(dian)容(rong)器是一類新(xin)型的(de)高(gao)性(xing)能、高(gao)可靠的(de)電(dian)(dian)容(rong)器,它的(de)介(jie)電(dian)(dian)損耗小(xiao)、絕(jue)緣電(dian)(dian)阻(zu)及工(gong)作電(dian)(dian)壓高(gao)。這種(zhong)陶(tao)(tao)瓷(ci)的(de)視在介(jie)電(dian)(dian)常數極高(gao)(可達105以上)、介(jie)質(zhi)(zhi)損耗小(xiao)(小(xiao)于1%)、體(ti)電(dian)(dian)阻(zu)率高(gao)(高(gao)于1011歐·厘(li)米(mi))、介(jie)質(zhi)(zhi)色(se)散(san)頻率高(gao)(高(gao)于1吉(ji)赫)、抗潮性(xing)好,是一種(zhong)高(gao)性(xing)能、高(gao)穩定(ding)的(de)電(dian)(dian)容(rong)器介(jie)質(zhi)(zhi)。

3、鐵電陶瓷

是(shi)以(yi)(yi)鐵電(dian)(dian)性晶(jing)體(ti)為(wei)主晶(jing)相的(de)電(dian)(dian)子陶瓷,利(li)用其壓電(dian)(dian)特(te)性可(ke)以(yi)(yi)制成壓電(dian)(dian)器(qi)件,這是(shi)鐵電(dian)(dian)陶瓷的(de)主要(yao)(yao)應(ying)用,因(yin)而常(chang)把鐵電(dian)(dian)陶瓷稱為(wei)壓電(dian)(dian)陶瓷。利(li)用鐵電(dian)(dian)陶瓷的(de)熱釋電(dian)(dian)特(te)性(在溫度變(bian)化時,因(yin)極(ji)化強度的(de)變(bian)化而在鐵電(dian)(dian)體(ti)表面釋放電(dian)(dian)荷的(de)效應(ying))可(ke)以(yi)(yi)制成紅外探測(ce)器(qi)件,在測(ce)溫、控溫、遙測(ce)、遙感以(yi)(yi)至(zhi)生物、醫學等領域均有(you)重要(yao)(yao)應(ying)用價值(zhi)。

利用透(tou)明鐵電(dian)(dian)(dian)陶瓷PLZT(摻鑭的鈦鋯(gao)酸鉛)的強電(dian)(dian)(dian)光效應(通(tong)過外(wai)加電(dian)(dian)(dian)場對透(tou)明鐵電(dian)(dian)(dian)陶瓷電(dian)(dian)(dian)疇狀態(tai)的控(kong)(kong)制(zhi)而改變其光學性質,從(cong)而表現(xian)出電(dian)(dian)(dian)控(kong)(kong)雙折射和電(dian)(dian)(dian)控(kong)(kong)光散射的效應),可(ke)以制(zhi)成(cheng)激(ji)光調制(zhi)器(qi)、光電(dian)(dian)(dian)顯(xian)示器(qi)、光信息存(cun)儲(chu)器(qi)、光開關(guan)、光電(dian)(dian)(dian)傳感器(qi)、圖像存(cun)儲(chu)和顯(xian)示器(qi),以及激(ji)光或核輻射防護鏡等新型器(qi)件。

4、半導體陶瓷

通過半(ban)導(dao)體(ti)(ti)化措施使陶(tao)瓷具有半(ban)導(dao)電性(xing)晶粒和絕緣(yuan)性(xing)(或(huo)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)性(xing))晶界,從而呈現很強的界面勢壘等半(ban)導(dao)體(ti)(ti)特性(xing)的電子陶(tao)瓷。

半導(dao)體陶瓷種(zhong)(zhong)類很多,其中包括(kuo)利(li)用半導(dao)體瓷中晶粒(li)本身性質制(zhi)成(cheng)的(de)(de)各種(zhong)(zhong)負溫度系數(shu)熱敏(min)(min)電(dian)阻;利(li)用晶界性質制(zhi)成(cheng)的(de)(de)半導(dao)體電(dian)容器、ZnO?壓敏(min)(min)電(dian)阻器、BaTiO3系正溫度系數(shu)熱敏(min)(min)電(dian)阻器、CdS/Cu2S太陽能電(dian)池;以及利(li)用表面性質制(zhi)成(cheng)的(de)(de)各種(zhong)(zhong)陶瓷型濕敏(min)(min)電(dian)阻器和氣(qi)敏(min)(min)電(dian)阻器等。

5、離子陶瓷

快離子導電的電子陶瓷,具(ju)有快(kuai)速(su)傳遞正離子(zi)的特性,典型代表是β-Al2O3瓷(ci)。這種陶瓷(ci)在(zai)300℃下離子(zi)電(dian)導(dao)率(lv)可達0.1/(歐·厘米),可用來(lai)制(zhi)作(zuo)(zuo)較經濟(ji)的高(gao)比率(lv)能量的固體電(dian)池,還(huan)可制(zhi)作(zuo)(zuo)緩慢放電(dian)的高(gao)儲能密度的電(dian)容器,它是有助于(yu)解決(jue)能源問題的材(cai)料。

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