成立于2012年,國家封測/系統集成先導技術研發中心,開展多種晶圓級高密度封裝工藝與SiP產品應用的研發,為產業界提供知識產權/技術方案/批量生產以及新設備與材料的工藝開發和驗證的相關服務
華進半導體封裝先導技(ji)術(shu)研發中心(xin)有限公司作為江蘇(su)省無錫市落實中央打造以企業為創新主體的(de)新創新體系典型(xing),在江蘇(su)省/無錫市政府、國家02重大專項與國家封測產業鏈技(ji)術(shu)創新戰略(lve)聯盟的(de)共(gong)同支持下于(yu)2012年9月注(zhu)冊成立。公司英文全稱為:National Center for Advanced Packaging Co.,Ltd.(NCAP China)。
公司是(shi)由中(zhong)科(ke)(ke)院微電(dian)(dian)子所和長電(dian)(dian)科(ke)(ke)技(ji)、通富微電(dian)(dian)、華天科(ke)(ke)技(ji)、深南電(dian)(dian)路(lu)、蘇州(zhou)晶方、安捷利(蘇州(zhou))、中(zhong)科(ke)(ke)物聯、興森快(kuai)捷、國(guo)開(kai)基(ji)金等(deng)三十家(jia)(jia)單位共同投資而建立,總股本為36042.32萬元(yuan)。2020年4月(yue)獲(huo)批準建設國(guo)家(jia)(jia)集成(cheng)電(dian)(dian)路(lu)特(te)色(se)工藝(yi)及封裝測試創(chuang)新中(zhong)心,12月(yue)獲(huo)準設立國(guo)家(jia)(jia)博(bo)士后科(ke)(ke)研工作站。
公司作為(wei)國家集成(cheng)電路特色工藝及封裝測試創新(xin)中心(xin),通過以(yi)(yi)企業(ye)為(wei)創新(xin)主體的產(chan)(chan)學研(yan)用相(xiang)結合的模(mo)式,開展系統封裝設計(ji)、2.5D/3D集成(cheng)、晶圓級(ji)扇(shan)出封裝、大(da)尺寸(cun)FCBGA封裝、光(guang)電合封、SiP封裝等關(guan)鍵核心(xin)技術研(yan)發,為(wei)產(chan)(chan)業(ye)界(jie)提(ti)供知識產(chan)(chan)權、技術方案、批(pi)量生(sheng)產(chan)(chan)以(yi)(yi)及新(xin)設備(bei)與(yu)材料的工藝開發和驗(yan)證(zheng)的相(xiang)關(guan)服務。
公司(si)研(yan)發團(tuan)隊由中科院領(ling)軍人(ren)才和具(ju)有海內外豐富研(yan)發經驗的(de)人(ren)員(yuan)所(suo)組成,研(yan)發人(ren)員(yuan)近百人(ren),其中一半(ban)以上具(ju)有博士學位(wei)和碩(shuo)士學位(wei)。公司(si)擁有3200 平米(mi)的(de)凈化間和300mm晶圓(yuan)整套先進封裝(zhuang)(zhuang)研(yan)發平臺(tai)(包括2.5D/3D IC后端制程(cheng)和微(wei)組裝(zhuang)(zhuang),測試分(fen)析與可(ke)靠性(xing))及先進封裝(zhuang)(zhuang)設計仿真平臺(tai)。
2015年成為(wei)(wei)(wei)江蘇(su)省產業技(ji)術研(yan)究院半導(dao)體(ti)(ti)封裝技(ji)術研(yan)究所(suo)(suo),作(zuo)為(wei)(wei)(wei)省級科研(yan)單位本著以企業為(wei)(wei)(wei)主體(ti)(ti)、市場為(wei)(wei)(wei)導(dao)向、產學研(yan)相結合(he)的(de)方針(zhen),按(an)照省產研(yan)院建設平臺一流(liu)、隊伍一流(liu)、機制創(chuang)新(xin)研(yan)究所(suo)(suo)的(de)有關要求,加快產業關鍵共性技(ji)術研(yan)發,強化企業合(he)同科研(yan)服務(wu),推進體(ti)(ti)制機制的(de)創(chuang)新(xin)與(yu)實(shi)踐。華(hua)進公司已初步建成為(wei)(wei)(wei)全國(guo)內領先、國(guo)際一流(liu)的(de)半導(dao)體(ti)(ti)封測(ce)先導(dao)技(ji)術研(yan)發中心,國(guo)內大型的(de)國(guo)產設備驗證應用基(ji)(ji)(ji)地之(zhi)一、人才實(shi)訓基(ji)(ji)(ji)地和“雙創(chuang)”培育(yu)基(ji)(ji)(ji)地。
專利號/專利申請號 | 專利名稱 | 專利詳情 |
ZL201310163510.6 | 一種TSV露頭工藝 | 第二十一屆中國專利銀獎(2019年) |
標準號 | 標準名稱 | 發布日期 | 實施日期 | 標準詳情 |
GB/T 35010.4-2018 | 半導體芯片產品 第4部分:芯片使用者和供應商要求 | 2019-03-15 | 2019-08-01 |