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評價(jia)內存條的性能指標一(yi)共有四個：

(1) 存(cun)(cun)(cun)儲容(rong)量：即一(yi)根內(nei)存(cun)(cun)(cun)條可(ke)(ke)以容(rong)納的(de)(de)(de)二進制信息量，如(ru)常用的(de)(de)(de)168線內(nei)存(cun)(cun)(cun)條的(de)(de)(de)存(cun)(cun)(cun)儲容(rong)量一(yi)般多為32兆(zhao)、64兆(zhao)和128兆(zhao)。而DDRII3普遍為1GB到(dao)8GB。 (2) 存(cun)(cun)(cun)取(qu)速度(du)（存(cun)(cun)(cun)儲周期）：即兩(liang)次獨立的(de)(de)(de)存(cun)(cun)(cun)取(qu)操作之間(jian)(jian)所需(xu)的(de)(de)(de)最短時間(jian)(jian)，又稱為存(cun)(cun)(cun)儲周期，半導體存(cun)(cun)(cun)儲器的(de)(de)(de)存(cun)(cun)(cun)取(qu)周期一(yi)般為60納秒(miao)(miao)至100納秒(miao)(miao)。 (3) 存(cun)(cun)(cun)儲器的(de)(de)(de)可(ke)(ke)靠(kao)性(xing)(xing)：存(cun)(cun)(cun)儲器的(de)(de)(de)可(ke)(ke)靠(kao)性(xing)(xing)用平均(jun)故障間(jian)(jian)隔(ge)時間(jian)(jian)來衡量，可(ke)(ke)以理解(jie)為兩(liang)次故障之間(jian)(jian)的(de)(de)(de)平均(jun)時間(jian)(jian)間(jian)(jian)隔(ge)。 (4)性(xing)(xing)能(neng)(neng)價格比(bi)：性(xing)(xing)能(neng)(neng)主要(yao)包括(kuo)存(cun)(cun)(cun)儲器容(rong)量、存(cun)(cun)(cun)儲周期和可(ke)(ke)靠(kao)性(xing)(xing)三項內(nei)容(rong)，性(xing)(xing)能(neng)(neng)價格比(bi)是(shi)一(yi)個(ge)綜合性(xing)(xing)指標，對于不同的(de)(de)(de)存(cun)(cun)(cun)儲器有不同的(de)(de)(de)要(yao)求(qiu)。