1、顯卡芯片:顯卡核(he)心(xin)型號(hao)差一檔(dang),性(xing)能也(ye)就差了一檔(dang),所(suo)以可根據核(he)心(xin)型號(hao)來判斷顯卡的(de)(de)高(gao)低,例如,N卡型號(hao)的(de)(de)前綴一共(gong)有GTX > GTS > GT > GF,其后(hou)的(de)(de)兩(liang)位(wei)數(shu)(shu)或一位(wei)數(shu)(shu)代表(biao)代數(shu)(shu),再其后(hou)兩(liang)位(wei)數(shu)(shu)越(yue)大(da),表(biao)示(shi)(shi)同代中的(de)(de)性(xing)能就越(yue)強,后(hou)綴有Ti、SE、M、MX,分別表(biao)示(shi)(shi)加強版(ban)、閹割版(ban)、移動(dong)版(ban)、移動(dong)加強版(ban)。
2、流(liu)(liu)處(chu)(chu)理(li)器:流(liu)(liu)處(chu)(chu)理(li)器是顯卡(ka)(ka)(ka)(ka)的核心,直接影(ying)響(xiang)處(chu)(chu)理(li)能力(li),對于N卡(ka)(ka)(ka)(ka)和A卡(ka)(ka)(ka)(ka)來說,流(liu)(liu)處(chu)(chu)理(li)單(dan)(dan)元個數越(yue)多則處(chu)(chu)理(li)能力(li)越(yue)強。N卡(ka)(ka)(ka)(ka)和A卡(ka)(ka)(ka)(ka)的流(liu)(liu)處(chu)(chu)理(li)單(dan)(dan)元可采取近似比較,N卡(ka)(ka)(ka)(ka)的1個流(liu)(liu)處(chu)(chu)理(li)單(dan)(dan)元相當于AMD的5個流(liu)(liu)處(chu)(chu)理(li)單(dan)(dan)元。
3、顯存位(wei)(wei)寬(kuan)(kuan):顯存位(wei)(wei)寬(kuan)(kuan)表示一(yi)個時鐘周期內所能傳(chuan)送數據的(de)位(wei)(wei)數,位(wei)(wei)數越大(da)則傳(chuan)輸量越大(da),常見的(de)有(you)64位(wei)(wei)、128位(wei)(wei)和(he)256位(wei)(wei)顯卡。在顯存頻率相當情況(kuang)下,顯存位(wei)(wei)寬(kuan)(kuan)決定著帶寬(kuan)(kuan)的(de)大(da)小。
4、顯存類型:顯存類型主要有(you)SDRAM,DDR SDRAM,DDR SGRAM三種,SDRAM顆粒主要應用在低端顯卡上,頻率一般不超(chao)過200MHz;DDR SDRAM是(shi)主流;DDR SGRAM適合繪(hui)圖專用。
5、散(san)(san)熱(re)設計:散(san)(san)熱(re)系統的好壞直接決定了性能(neng)發揮的穩定性,被動式(shi)(shi)噪音低,適(shi)合低頻(pin)(pin)率(lv)顯(xian)(xian)卡;主動式(shi)(shi)有散(san)(san)熱(re)片(pian)和風扇(shan),適(shi)合高頻(pin)(pin)率(lv)顯(xian)(xian)卡;導流(liu)式(shi)(shi)適(shi)合高檔(dang)游(you)戲(xi)顯(xian)(xian)卡。